「phase-shifting mask」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

BLANK FOR HALFTONE PHASE SHIFTING MASK, AND HALFTONE PHASE SHIFTING MASK例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクおよびハーフトーン型位相シフトマスク - 特許庁

PHASE SHIFTING MASK AND ITS FABRICATION METHOD例文帳に追加

位相シフトマスク及びその作製方法 - 特許庁

HALFTONE PHASE SHIFTING MASK AND BLANK例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクおよびブランク - 特許庁

PHASE SHIFTING MASK AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

位相シフトマスク及びその製造方法 - 特許庁

PHASE SHIFTING MASK BLANK AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

位相シフトマスクブランク及びその製造方法 - 特許庁

HALFTONE PHASE SHIFTING MASK AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ハーフトーン位相シフトマスク及びその製造方法 - 特許庁

PHASE SHIFTING MASK FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE MASK例文帳に追加

半導体素子製造のための位相反転マスク及びその製造方法 - 特許庁

HALFTONE PHASE SHIFTING MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク及びパターン転写方法 - 特許庁

APPARATUS FOR MANUFACTURING PHASE SHIFTING MASK, METHOD THEREFOR AND PATTERN FORMING METHOD USING PHASE SHIFTING MASK例文帳に追加

位相シフトマスクの作製装置及び作製方法並びに位相シフトマスクを使用するパターン形成方法 - 特許庁

HALFTONE PHASE SHIFTING MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFTING MASK, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 - 特許庁

SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING PHASE SHIFTING MASK BLANK, AND PHASE SHIFTING MASK USING THE SAME例文帳に追加

スパッタターゲット、並びに該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 - 特許庁

PHASE SHIFTING MASK BLANK, PHASE SHIFTING MASK AND METHOD FOR PRODUCING THOSE例文帳に追加

位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク並びに位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 - 特許庁

PHASE SHIFTING MASK, METHOD FOR SETTING THE SAME AND PATTERN FORMING APPARATUS例文帳に追加

位相シフトマスクおよびその設定方法並びにパターン形成装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND PHASE SHIFTING MASK例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法並びに位相シフトマスク - 特許庁

DESIGN AND LAYOUT OF PHASE SHIFTING PHOTOLITHOGRAPHIC MASK例文帳に追加

位相シフト・ホトリソグラフイック・マスクのレイアウト及び設計 - 特許庁

HALFTONE PHASE SHIFTING MASK, EXPOSURE METHOD, AND ALIGNER例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスク、露光方法及び露光装置 - 特許庁

PHASE SHIFTING MASK, PATTERN FORMING METHOD USING THE MASK, AND SOLID-STATE DEVICE PRODUCED BY THE PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

位相シフトマスク、該位相シフトマスクを用いたパタン形成法、該パタン形成法による固体素子 - 特許庁

To provide a phase shifting mask for manufacturing a semiconductor device and to provide a method for manufacturing the mask.例文帳に追加

半導体素子製造のための位相反転マスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The phase shifting mask has a mask substrate substantially transparent to the energy beam used and a patterned phase shifting layer disposed on the mask substrate and having openings therein exposing the mask substrate.例文帳に追加

この位相シフト・マスクは、使用されるエネルギー・ビームに対しほぼ透明なマスク基板と、マスク上に付着されマスク基板を露出させる開口をその中に有するパターン化された位相シフト層とを備える。 - 特許庁

To control a phase difference to a target phase difference by measuring the phase difference on the way of a phase shifting mask fabrication process.例文帳に追加

位相シフトマスク作製工程途中で位相差を測定し、目標とする位相差になるよう制御する。 - 特許庁

In one embodiment, a first mask (a phase shift mask, for example) is generated that includes the component to be manufactured using the phase shifting process.例文帳に追加

一実施形態では、位相シフト処理を使用して製造される構成要素を含む第１のマスク（例えば位相シフトマスク）を製造する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING LITHOGRAPHY MASK BLANK, LITHOGRAPHY MASK AND HALFTONE PHASE SHIFTING MASK BLANK例文帳に追加

リソグラフィーマスクブランクの製造方法及びリソグラフィーマスク並びにハーフトーン型位相シフトマスクブランク - 特許庁

The phase shifting mask which widens a process window is manufactured by preparing a phase shifting mask having at least two phase shifters used for a multiple exposure method and adjusting the shifting width of the phase shifters according to the width of a light shielding region between the phase shifters.例文帳に追加

多重露光法に用いられる少なくても２つの位相シフタを有する位相シフトマスクの位相シフタ間の遮光領域の幅に対応して位相シフタのシフト幅を調整し、プロセスウィンドウを広げた位相シフトマスクを製作する。 - 特許庁

To produce a phase shifting mask capable of achieving high transfer pattern dimensions, to provide a phase shifting mask which enables production of a high performance large-scale integrated circuit by achieving higher transfer accuracy and to provide a pattern forming method using the phase shifting mask and a solid-state device produced by the pattern forming method.例文帳に追加

高い転写パタン寸法を実現できる位相シフトマスクが製造でき、さらに高い転写精度を実現することで高性能な大規模集積回路の製造が可能となる位相シフトマスク、該位相シフトマスクを用いたパタン形成法、該パタン形成法による固体素子を提供する。 - 特許庁

PHASE SHIFTING MASK FOR EXTREMELY SHORT ULTRAVIOLET LIGHT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

極短紫外光の位相シフトマスクおよびその製造方法並びに半導体装置の製造方法 - 特許庁

HIGH TRANSMITTANCE HALFTONE PHASE SHIFTING MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

高透過率型ハーフトーン位相シフトマスクおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁

To transfer a line pattern to a positive photoresist by an exposure method using a phase shifting mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いた露光法によりポジ型のフォトレジストにラインパターンを転写する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING PHASE SHIFTING MASK AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加

位相シフトマスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 - 特許庁

To provide a halftone phase shifting mask capable of transferring a high-precision transfer pattern.例文帳に追加

高精度な転写パターンを転写することが可能なハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD AND METHOD FOR FABRICATING HALFTONE PHASE SHIFTING MASK例文帳に追加

ドライエッチング方法およびハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 - 特許庁

TRANSMISSION TYPE PHASE SHIFTING MASK AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

透過型位相シフトマスク及び該透過型位相シフトマスクを用いたパターン形成方法 - 特許庁

To reliably detect a defect or foreign matter in a halftone phase shifting mask.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクにおける欠陥或いは異物をより確実に検出できるようにする。 - 特許庁

To provide a halftone phase shifting mask blank capable of high- precision CD control.例文帳に追加

高精度のＣＤ制御が可能であるハーフトーン型位相シフトマスクブランク等を提供する。 - 特許庁

A condensing/diverging element (3) is arranged in an optical path between the lighting system (2) and the phase-shifting mask (1).例文帳に追加

照明系と位相シフトマスクとの間の光路中に集光発散素子（３）が配置されている。 - 特許庁

To provide an improved phase shifting mask used in lithographic processing of semiconductor substrates.例文帳に追加

半導体基板のリソグラフィ処理に使用される改善された位相シフト・マスクを提供すること。 - 特許庁

Then additional etching is performed on the basis of the phase difference calculation value to control the phase difference of the phase shifting mask.例文帳に追加

これにより、位相差の算出値に基づいて、追加エッチングを行い、位相シフトマスクの位相差を制御する。 - 特許庁

A phase difference monitoring pattern capable of measuring a phase difference on the way of fabricating a phase shifting mask is created and the engraving quantity of a translucent substrate on a phase shifting part is controlled so as to be measured by a level difference measuring instrument even in a deposited state of resist.例文帳に追加

位相シフトマスク作製途中に位相差を測定可能な位相差モニタパターンを作成し、その位相シフト部における透光基板の掘り込み量をレジスト付きの状態でも段差測定器で測定できるようにする。 - 特許庁

The crystallization apparatus forming the crystalline semiconductor film is equipped with a lighting system (2) which illuminates a phase-shifting mask (1), and irradiates an amorphous semiconductor film (4) with light having a light intensity distribution of an inverted peak pattern showing that light is reduced to a minimum in intensity at a point corresponding to the phase shifting part of the phase-shifting mask.例文帳に追加

位相シフトマスク（１）を照明する照明系（２）を備え、位相シフトマスクの位相シフト部に対応する点において光強度の最も小さい逆ピークパターンの光強度分布を有する光を非晶質半導体膜（４）に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。 - 特許庁

The mask also includes a patterned layer of a material substantially opaque to the energy beam disposed on the mask substrate or the phase shifting layer.例文帳に追加

マスクはまた、マスク基板または位相シフト層上に配設されエネルギー・ビームに対しほぼ不透明な材料のパターン化された層も含む。 - 特許庁

The patterned phase shifting layer is comprised of a material of differing composition than the mask substrate and is of thickness sufficient to shift the phase of an energy beam passing through the thickness of the phase shifting layer and the mask substrate by 180°, compared to the phase of the energy beam passing through the phase shifting layer openings and the mask substrate.例文帳に追加

パターン化された位相シフト層は、位相シフト層およびマスク基板の厚さを通過するエネルギー・ビームの位相を、位相シフト層の開口およびマスク基板を通過するエネルギー・ビームの位相に比べて１８０°シフトさせるのに十分な厚さをもち、マスク基板とは異なる組成の材料からなる。 - 特許庁

To provide an improved method for designing an Levenson type phase shifting mask with which the phase shape collision within a design layout can be solved.例文帳に追加

設計レイアウト内部の位相形状衝突を解決できるレベンソン型位相シフトマスクを設計する改善された方法を提供すること。 - 特許庁

The phase shifting mask includes a phase shifter defining a space between a first feature and a second feature, wherein the first feature is so large that the effectiveness of of phase shifting is degraded in defining the space.例文帳に追加

この位相シフトマスクは、第１のフィーチャと第２のフィーチャとの間のスペースを規定する位相シフタを含み、第１のフィーチャは、位相シフトの有効性がスペースを規定する際に低下される十分な大きさである。 - 特許庁

When data of the mask patterns of a phase shifting mask are drawn up, the pattern data are separated into an actual pattern data layer having data of actual patterns and a phase shifting pattern data layer having data of the phase shifting patterns and the mask patterns are examined to find whether they satisfy the rule of the interval between identical phase patterns in which the phases of light passing through adjacent patterns become identical with each other.例文帳に追加

位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成する際に、前記パターンデータを実パターンのデータを有する実パターンデータ層および前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層に分離した後、マスクパターンが、互いに隣接するパターンを透過した光の位相が同一となる同位相パターンの間隔の規定を満足するか否かを検証する。 - 特許庁

Thereby phase difference control based on the additional etching can be performed also on the way of the phase shifting mask preparing process, the preparation efficiency of the phase shifting mask can be improved, the quality of a semiconductor device can be stabilized, and the cost of the device can be reduced.例文帳に追加

したがって、位相シフトマスクの作製工程途中でも、追加エッチングによる位相差制御を行なうことが可能になり、位相シフトマスクの作製効率を改善でき、半導体装置の品質の安定化やコストダウンを図ることが可能となる。 - 特許庁

To provide a phase shifting mask capable of relatively easily suppressing size variation and dislocation of a pattern in projection exposure with an error in production nearly equal to that in the case of a conventional bored phase shifting mask by making the intensity of transmitted light from bored regions and that from unbored regions nearly equal to each other in a bored phase shifting mask.例文帳に追加

掘り込み型の位相シフトマスクにおいて、掘り込み部からの透過光と非掘り込み部からの透過光の強度を略一致させて、投影露光時のパターンのサイズ変動や位置ずれを、比較的容易に、かつ従来の掘り込み型位相シフトマスクと同程度の製造誤差で抑えることができる位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁