「phase-shifting mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a means of obtaining a phase shifting mask which widens a process window in pattern formation in an exposure step.例文帳に追加

露光工程におけるパターンを形成する際のプロセスウィンドウを広げる位相シフトマスクを実現する手段を提供する。 - 特許庁

The radiation is sent from the radiation source onto the material, which is sensitive to the radiation through the phase shifting mask.例文帳に追加

放射線が放射線源から位相シフト用マスクを通して放射線に感応する材料の上に送り込まれる。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a phase shifting mask in which dislocation of a resist pattern due to the waveguide effect of a Levenson phase shifting mask is suppressed and high alignment accuracy can be attained and to provide a method therefor and a pattern forming method.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスクの導波路効果に起因するレジストパターンの位置ずれの発生を抑制し、高度の位置合わせ精度を達成することが可能な位相シフトマスクの作製装置及び作製方法並びにパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for modifying a halftone phase shifting mask capable of saving labor for newly fabricating a mask for modification and capable of avoiding waste of material for the mask.例文帳に追加

新たに修正用のマスクを作製する手間およびマスク用の材料の無駄を省くことができるハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法等を提供する。 - 特許庁

The crystallization apparatus producing a crystalline semiconductor film is equipped with a lighting optical system (2) which illuminates a phase-shifting mask (1), and irradiates an amorphous semiconductor film (4) with light having a light intensity distribution of an inverted peak pattern showing that it is reduced to a minimum intensity at a point corresponding to the phase-shifting part of the phase-shifting mask (1).例文帳に追加

位相シフトマスク（１）を照明する照明光学系（２）を備え、位相シフトマスクの位相シフト部に対応する点において光強度の最も小さい逆ピークパターンの光強度分布を有する光を非晶質半導体膜（４）に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。 - 特許庁

In the phase shifting mask, a phase shifter is formed by engraving a mask substrate, a light shielding film is extended from an unengraved portion to the engraved portion and the thickness of the light shielding film disposed on the engraved portion is varied to eliminate difference in imaging intensity between the engraved and unengraved portions in the phase shifting mask.例文帳に追加

位相シフトマスクにおいて、マスク基板を掘り込むことで位相シフタを形成して、遮光膜を非掘り込み部から前記掘り込みまで延在させ、該掘り込み側部に設けられた遮光膜の厚さを変化させることによって、位相シフトマスクにおける掘り込み非掘り込み部の結像強度をなくすように構成する。 - 特許庁

To provide a high transmittance halftone phase shifting mask capable of clearly transferring a required pattern to a photosensitive resin and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the mask.例文帳に追加

所望のパターンを明確に感光性樹脂に転写することが可能な、高透過率型ハーフトーン位相シフトマスクおよびそのマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a system using exposure through a second mask to assist exposure through a phase shifting mask in printing a tight space adjacent to a large feature.例文帳に追加

大きいフィーチャに隣接する狭いスペースをプリントする際に位相シフトマスクを通す露光を支援するために、第２のマスクを通す露光を用いるシステムを提供すること。 - 特許庁

The condensing/diverging element (3) converts light fed from the lighting system (2) to light having a light intensity distribution of a concave pattern showing that the light is reduced to a minimum in intensity at the phase-shifting part or its vicinity and increases in intensity toward its periphery, and irradiates the phase shifting mask (1) with the above light.例文帳に追加

集光発散素子は、照明系から供給された光を、位相シフト部またはその近傍において光強度が最も小さく且つその周囲に向かって光強度が増加する凹型パターンの光強度分布を有する光に変換して位相シフトマスクに照射する。 - 特許庁

A hole pattern is transferred to a photoresist film 6 on a wafer 4 by reduced projection exposure with an edge emphasized phase shifting resist mask RM1 having a phase shifting film 2 and a light shielding film 3 each comprising a resist film.例文帳に追加

位相シフト膜２および遮光膜３をレジスト膜で構成したエッジ強調型位相シフトレジストマスクＲＭ１を用いた縮小投影露光処理によってウエハ４上のフォトレジスト膜６にホールパターンを転写する。 - 特許庁

Since this mask pattern includes a phase component in addition to an amplitude component, in steps 33 and 34, the objective photomask having a phase shifting layer disposed on a transmissivity modulating layer is produced.例文帳に追加

このマスクパターンは振幅成分に加えて位相成分も含んでいるので、ステップ３３および３４で透過率変調層に位相シフト層が積層されたフォトマスクを製造する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a halftone phase shifting mask in which high-level cleaning and/or phase contrast adjustment can be carried out during fabrication without adversely affecting a translucent film.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクの製造途中において高度な洗浄および／または位相差調整を、半透光膜になんら悪影響を与えることなく行なうことができる製造方法等を提供する。 - 特許庁

In the halftone phase shifting mask blank having a phase shifter film for forming a phase shifter portion on a transparent substrate, the range of variation of surface reflectance of the phase shifter film is <20% over the wavelength range from the wavelength of exposure light to 700 nm.例文帳に追加

透明基板上に位相シフター部を形成するための位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記位相シフター膜の表面反射率の変動幅が、露光光の波長〜７００ｎｍに亘って２０％以内であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a halftone type phase shift mask with a light shielding frame disposed on a halftone material film around an effective region including a main pattern without adding a photomask producing step and to provide a method for producing the phase shifting mask.例文帳に追加

フォトマスクの製造工程を増やさないで、メインパターンを含む有効領域周辺のハーフトーン材料膜上に遮光性の枠を設けたハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the halftone phase shifting mask blank 1 having a phase shifter film 5, the phase shifter film 5 has a phase adjusting layer 4 which chiefly controls the phase of exposure light and a transmittance adjusting layer 3 formed between a transparent substrate 2 and the phase adjusting layer 4 and having a function to chiefly control the transmittance of exposure light, and the thickness of the transmittance adjusting layer 3 is ≤90 Å.例文帳に追加

位相シフター膜５を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランク１において、前記位相シフター膜５は、主に露光光の位相を制御する位相調整層４と、透明基板２と位相調整層４との間に形成され主に露光光の透過率を制御する機能を有すると透過率調整層３とを有し、前記透過率調整層３の膜厚が、９０オングストローム以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a halftone phase shifting mask blank which ensures a required surface reflectance by suppressing variation of reflectance in the wide wavelength range from the wavelength of exposure light to 700 nm.例文帳に追加

露光光の波長〜７００ｎｍという広波長範囲で、反射率の変動を抑えることによって、所望の表面反射率が得られるような、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク等を提供する。 - 特許庁

To provide a halftone phase shifting mask blank adaptable to shortening of exposure wavelength (an exposure wavelength region of 140-200 nm) and an increase of transmittance of exposure light (8-30% transmittance) and having high processing accuracy.例文帳に追加

露光波長の短波長化（１４０ｎｍ〜２００ｎｍの露光波長領域）や露光光の透過率の高透過率化（透過率８〜３０％）に対応し、高い加工精度を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランク等を提供する。 - 特許庁

The spatial relation between the focal plane and material is adjusted, and then a radiation is sent again from the radiation source onto the material through the phase shifting mask.例文帳に追加

焦点面と放射線に感応する材料との間の空間的関係が調整され、その後ふたたび放射線が放射線源から位相シフト用マスクを通して放射線に感応する材料の上に送り込まれる。 - 特許庁

To provide a metal silicide sputtering target which ensures optical and chemical properties effective in film deposition for a phase shifting mask and can suppress the generation of particles and to provide a method for manufacturing the target.例文帳に追加

位相シフトマスク成膜時に有効な光学的・化学的特性が得られ、且つパーティクルの発生を極めて少なく抑えることのできる金属シリサイドスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To accurately eliminate a defect in a Levenson type phase shifting mask having an undercut structure in such a way as not to cause lowering of light intensity.例文帳に追加

アンダーカット構造を持つレベンソン型位相シフトマスクの欠陥に対して、光量の低下が起こらないような高精度な欠陥修正を行う。 - 特許庁

To provide a method for modifying the surplus defective part of a halftone phase shifting mask by which the harmful effect of a glass part which remains under the surplus defective part without being etched can be eliminated by a relatively simple process.例文帳に追加

余剰欠陥の下部にエッチングされずに残ったガラス部分による弊害を比較的単純な方法で排除できるハーフトーン型位相シフトマスクの余剰欠陥修正方法等を提供する。 - 特許庁

Barrier enhancing parts 13, 23 are formed in the first and second halftone phase shifting masks 10, 20, respectively, in the region corresponding to the light transmitting part of the other mask.例文帳に追加

第１及び第２のハーフトーン型位相シフトマスク１０及び２０のそれぞれにおける相手のマスクの透光部と対応する領域に遮光性強化部１３及び２３が形成されている。 - 特許庁

Such a mask includes a phase shifting technique for forming a dark area of the image by utilizing a destructive interference, and is not restricted so as to coincide with the desired printing pattern.例文帳に追加

こうしたマスクは、破壊的干渉を利用して、イメージの暗領域を画定する位相シフト技術を含み、所望の印刷パターンに合致するように拘束されない。 - 特許庁

Since both the first and second openings 24, 25 can be formed by dry etching, the openings 24, 25 have enhanced dimensional accuracy and the dimensional accuracy of a semiconductor device produced by utilizing the phase shifting mask 20 is enhanced.例文帳に追加

第１及び第２の開口２４、２５が何れもドライエッチングで形成できるので、開口２４、２５の寸法精度が向上し、この位相シフトマスク２０を利用して製造される半導体装置の寸法精度が向上する。 - 特許庁

The surplus defective part 6 of a translucent film in a halftone phase shifting mask is removed by modification, and only a part 7 of a transparent substrate situated under the modified part is etched simultaneously with the removal.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクにおける半透光膜の余剰欠陥６を修正除去すると同時に、修正部分の下部に位置する透明基板の部分７のみを続けてエッチングする。 - 特許庁

The halftone phase shifting mask 20 hag a transparent substrate 21 and a light shielding film 22 and halftone films 23 each formed directly on the substrate 21.例文帳に追加

ハーフトーン位相シフトマスク２０は、透明基板２１と、透明基板２１上に夫々直接に形成された遮光膜２２及びハーフトーン膜２３を有する。 - 特許庁

The phase shifting mask is constructed in such a way that the maximum intensity of transmitted light from bored regions and that from unbored regions are made nearly equal to each other on an image surface by embedding absorbent media in the unbored regions to lower the intensity of transmitted light.例文帳に追加

非掘り込み部に吸収性媒質を埋め込んで透過光強度を低減させ、像面上で掘り込み部と非掘り込み部の最大強度を略一致させるように構成した位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

In the halftone phase shifting mask blank, a phase shifter portion has at least one transmittance adjusting layer having a function to chiefly control the transmittance of exposure light, and at least one phase adjusting layer which chiefly controls the phase of exposure light, wherein the phase adjusting layer comprises a material containing at least carbon.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、位相シフター部が、主に露光光の透過率を制御する機能を有する少なくとも一層の透過率調整層と、主に露光光の位相を制御する少なくとも一層の位相調整層とを有し、前記位相調整層は、少なくとも炭素を含む材料からなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a halftone phase shifting mask blank capable of effectively lowering the transmittance of a phase adjusting layer particularly in the wavelength range of 240-650 nm while suppressing lowering of transmittance at exposure wavelength to a minimum.例文帳に追加

露光波長での透過率減少を軽微に抑えつつ、特に２４０ｎｍから６５０ｎｍにおける波長範囲における位相調整層の透過率を効果的に減衰成することができるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法等を提供する。 - 特許庁

In a halftone phase shifting mask blank 1 having on a transparent substrate a halftone phase shifter film for forming a halftone phase shifter portion, the halftone phase shifter film 5 comprises an upper layer 4 comprising a material consisting essentially of silicon, oxygen and nitrogen and a lower layer 3 comprising a material consisting essentially of tantalum and hafnium.例文帳に追加

透明基板上に前記ハーフトーン位相シフター部を形成するためのハーフトーン位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、ハーフトーン位相シフター膜５が、珪素、酸素、及び窒素とから実質的になる材料からなる上層４と、タンタル及びハフニウムとから実質的になる材料からなる下層３とからなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク１。 - 特許庁

In the halftone phase shifting mask blank having a phase shifter film for forming a phase shifter portion on a transparent substrate, the phase shifter film comprises a film containing ≤10 at.% metal and using the metal, silicon, oxygen and nitrogen as principal constituent elements and an etching stopper film formed between the above film and the transparent substrate.例文帳に追加

透明基板上に前記位相シフター部を形成するための位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記位相シフター膜が、金属を１０原子％以下含有する、金属、珪素、酸素、及び窒素を主構成要素とする膜、及び、前記膜と透明基板との間に形成されたエッチングストッパー膜とからなることを特徴とする。 - 特許庁

An EUV mask 10 includes the substrate 11, a reflective multilayer 12 on the substrate 11, a phase-shifting material 13 disposed above the multilayer in at least one first portion 111 and a masking material 14 disposed above the multilayer in second portions of the substrate and corresponding to mask patterns of the EUV mask.例文帳に追加

ＥＵＶマスク１０は、基板１１と、基板上の反射性多層膜１２と、少なくとも１つの第１部分１１１の範囲内において多層膜上に配置された位相シフト材料１３と、多層膜上で基板の第２部分１１２の範囲内に配置された、ＥＵＶマスクのマスクパターンに対応するマスク材料１４とを備える。 - 特許庁

To provide a technique capable of easily and accurately adjusting the wavelength dependence of reflectance of a light shielding film so as to properly and rapidly perform redesigning under transition of exposure wavelength, resist drawing wavelength and inspection wavelength in a halftone phase shifting mask.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクにおける露光波長、レジスト描画波長、及び検査波長等の推移に伴う再設計を適切かつ迅速に行えるようにするべく、遮光膜の反射率波長依存性を容易にかつ正確に調整できる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a phase shifting mask capable of reducing errors in transfer of patterns due to aberration caused by a difference in transmittance by reducing the difference between the light transmittance of the inside of a larger pattern and that of the outside of the larger pattern.例文帳に追加

他よりも大きなパターンの内側の光の透過率とのその他よりも大きなパターンの外側の光の透過率との差を小さくすることにより、透過率の差によって生じる収差に起因したパターンの転写誤差を小さくすることができる位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is capable of securing high resistance to moisture by preventing separation in a periphery while suppressing an increase in chip area, to provide a method of manufacturing the same, and to provide a phase shifting mask which can be used for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

チップ面積の増加を抑制しながら、周縁部における剥離を防止して高い耐湿性を確保することができる半導体装置及びその製造方法、並びにその半導体装置を製造する際に用いることができる位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition having a wide defocus latitude when orbicular illumination is used and less liable to generate a side lobe in pattern formation using a halftone phase shifting mask and to provide a positive type photosensitive composition having the above characteristics and less liable to generate particles in storage with age.例文帳に追加

輪帯照明を用いた際にデフォーカスラチチュードが広く、ハーフトーン位相シフトマスクを用いてパターン形成した際にサイドローブが発生し難いポジ型感光性組成物、また、加えて経時保存時にパーティクルが発生し難いポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing an exposure mask which is used to perform pattern exposure with a high resolution by shifting the phase of light transmitting both sides in the line width direction of a mask pattern, high-precision patterns requiring line width precision and high-resolution patterns requiring pattern exposure with high resolution are extracted from gate patterns (design patterns) (S2).例文帳に追加

マスクパターンの線幅方向両側を透過する光の位相をシフトさせることで高解像度のパターン露光を行う際に用いられる露光マスクの作製方法であって、ゲートパターン（設計パターン）の中から、線幅精度が要求される高精度パターンと、高解像度でのパターン露光が要求される高解像度パターンとを抽出する（Ｓ２）。 - 特許庁

The laser beam source device is provided with at least one laser beam source 1, a mask 2 provided on the optical path of emitted light from the laser beam source 1, having a plurality of irregularly arrayed patterns of a size equal to or more than the wavelength of the laser beam source for shifting the phase of the emitted light from the laser beam source and a driving device 3 rocking the mask 2.例文帳に追加

少なくとも一つのレーザ光源１と、レーザ光源１からの放射光の光路上に設けた、前記レーザ光源からの放射光の位相をずらす不規則配列をした大きさが前記レーザ光源の波長以上である複数のパターンを有するマスク２と、マスク２を揺動させる駆動装置３と、を設ける。 - 特許庁

In the blank for a halftone phase shifting mask obtained by disposing a translucent film layer comprising a single layer film or a multilayer film whose transmittance and phase after transmission are controlled on a transparent substrate, the principal constituent elements contained in at least one layer of the translucent film layer except oxygen and nitrogen are two metal elements, one of the metal elements is aluminum and the other is a transition metal.例文帳に追加

透明基板上に、透過率および透過した後の位相が制御される単層膜もしくは多層膜からなる半透明膜層が設けられてなるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、前記半透明膜層の少なくとも１層に含まれる、酸素、窒素以外の主要構成元素が２種類の金属元素であり、その一方がアルミニウムであり、他方が遷移金属であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクを提供する。 - 特許庁