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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > process interfaceに関連した英語例文

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process interfaceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 557



例文

Concurrently with reading a plurality of sheets of original images by a read unit 115, a CPU 1 carries out an image process for outputting original image data of a plurality of pages read and transferred via an interface part 16 and a PIOC 8 into one page, thereby generating a printing job which can be processed by a printer 1500 onto a RAM 2 in units of bands.例文帳に追加

読取りユニット115による複数枚の原稿画像の読み取りに並行して、読み取られてインタフェース部16,PIOC8を介して転送される複数ページ分の原稿画像データを1ページに出力するための画像処理をCPU1が施してプリンタ1500が処理可能な印刷ジョブをRAM2上にバンド単位に生成する構成を特徴とする。 - 特許庁

This digital control software fault simulation test device includes at least a plant simulation (Process) device of program simulation; a controller (Controller) including a high pressure spray substance control and software simulation control (Control Logical Simulation); and an operation interface device for enabling an operator (Operator) to observe a high pressure core sparay controller and special safety control system control.例文帳に追加

少なくとも、プログラム模擬のプラント模擬(Process)装置と、高圧注水実体制御とソフト模擬制御(Control Logical Simulation)とが含有される制御装置(Controller)と、作業者(Operator)が高圧炉心注水制御装置と格別安全制御システム制御を観察するための操作インターフェース装置とが含有される。 - 特許庁

The digital camera includes (a) a storage device to store a digital picture; (b) a logic device to process the digital picture; and (c) a user interface to execute an operation to the logic device, by suggestion of the user related to an operation selection option to delete the digital picture from the storage device, and an operation selection option to re-compress the digital picture.例文帳に追加

a)デジタル写真を保持する記憶機構と、b)デジタル写真を処理する論理機構と、c)前記記憶機構からデジタル写真を削除する操作選択肢と、デジタル写真を再圧縮する操作選択肢とを関連づける、前記論理機構にユーザが指示して操作を実行するためのユーザ・インタフェースとを含んでなるデジタル・カメラとこれを用いてユーザと対話する方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a method for automatically recognizing serial memory size capable of dealing with even serial memories based on SPI (serial peripheral interface) where no response bit is imparted to output data, by imparting a fixed bit string for preliminary writing to perform a preliminary writing process, performing first and second reading processes, and determining memory size based on the order of the first and second data read.例文帳に追加

本発明はシリアルメモリサイズ自動認識方法において、事前書き込み用定型ビット列を与えて事前書き込み処理を行い、第1、第2の読み出し処理を行い、前記第1、第2の読み出したデータの組順に基づきメモリサイズを判定するようにしたので、出力データに応答ビットが付与されないSPI準拠のシリアルメモリにも対応可能なシリアルメモリサイズ自動認識方法を提供するのに著効を奏す。 - 特許庁

例文

The method for producing laminate includes a process of heating the sapphire substrate at a temperature of 1,350 to 1,750°C in an atmosphere of a mixed gas of nitrogen-source gas having a nitrogen atom and hydrogen gas to form the aluminum nitride single crystal layer on the surface of the sapphire substrate, wherein, by adjusting conditions, the laminate having a gap on the interface between the sapphire substrate and the aluminum nitride single crystal layer can be produced.例文帳に追加

窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を1350℃以上1750℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 - 特許庁


例文

To provide a manufacturing method of electrode catalyst for a solid polymer fuel cell, of a kind selectively carrying catalyst metal on a reactive interface, with a manufacturing process greatly simplified by increase of a carrying volume of the catalyst metal, and also to provide a solid polymer fuel cell using the electrode catalyst for a fuel cell obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

触媒金属が反応界面に選択的に担持した固体高分子形燃料電池用電極触媒において、触媒金属の担持量を増加させ、製造工程の大幅な簡略化が可能な、固体高分子形燃料電池用電極触媒の製造方法と、この製造方法で得られた燃料電池用電極触媒を用いることを特徴とする固体高分子形燃料電池を提供する。 - 特許庁

例文

Then a hot plasma nitriding processing is coupled with a heating process in the atmosphere containing nitrogen monoxide so as to form an acid silicon nitride film SOX on the surface of the silicon oxide film OX1, with nitrogen N2 segregated on the interface between the silicon oxide film OX1 and a semiconductor substrate 1S.例文帳に追加

第1電位障壁膜EV1の主要構成要素である酸化シリコン膜OX1をプラズマ成膜法により形成した後、高温のプラズマ窒化処理と、一酸化窒素を含む雰囲気中での加熱処理とを組み合わせて実施することにより、酸化シリコン膜OX1の表面に酸窒化シリコン膜SOXを形成し、かつ、酸化シリコン膜OX1と半導体基板1Sの界面に窒素N2を偏析させる。 - 特許庁




  
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