「process interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a bonded wafer having an oxide film with a uniform thickness of approximately several nanometers nm in which an oxide residue does not locally remain on a bonding interface by heat treatment in a bonding process.例文帳に追加

貼り合わせ工程の熱処理によって貼り合わせ界面に局所的な酸化物が残留しない、数nm程度の均一な厚みの酸化膜を有する、貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

A user data reading process part 201 reads from the CD-ROM 100 via a recording medium accessing part 22 user information as information about a user who uses the particular service, function or interface.例文帳に追加

ユーザデータ読込処理部２０１は、記録媒体アクセス部２２を介してＣＤ−ＲＯＭ・１００から、特定のサービス、機能、又はインタフェースを利用する利用者に関する情報である利用者情報を読み出す。 - 特許庁

To obtain a clean interface by removing contaminants containing the single bond of carbon that especially cannot be removed by a conventional method in the contamination of interfaces, in the manufacturing process of a semiconductor device, which includes a forming of a lamination layer.例文帳に追加

積層形成を行う半導体装置の製造において、界面の汚染のうち特に従来の方法では除去できない炭素の一重結合を含む汚染物を除去し、清浄な界面を得る。 - 特許庁

The single crystal silicon having low resistivity is produced by the Czochralski process, by controlling a height of a solid liquid interface when the single crystal silicon is pulled up.例文帳に追加

チョクラルスキー法により単結晶シリコンを製造するに当たり、単結晶シリコンを引き上げ時における固液界面の高さを制御することによって、低抵抗率の単結晶シリコンを製造する。 - 特許庁

In more generous modes of this invention, an undesired material arranged on the bonding interface of two silicon-contained semiconductor materials can be removed by a similar annealing process.例文帳に追加

本発明の更なる一般的な態様において、類似したアニール処理を用いて、２つのシリコン含有半導体材料の接合境界面に配置された望ましくない材料を除去することができる。 - 特許庁

A microwave transceiver 140 generates a microwave signal, and the microwave signal is advanced along a termination 110 through a reference impedance discontinuous surface 155 and propagated into the interface 127 of a process product.例文帳に追加

マイクロ波トランシーバ１４０がマイクロ波信号を発生し、該マイクロ波信号は、基準インピーダンス不連続面１５５を介して、成端１１０に沿って進行し、プロセス製品の界面１２７内に伝播する。 - 特許庁

A graphical user interface process part of the information processing system determines that the operation of the pointer has been to set the paper to face sideways, and sets the print processing conditions so that the paper faces sideways.例文帳に追加

情報処理システムのグラフィカルユーザインタフェース処理部では、ポインタの操作が用紙の横向き設定であるものと判断し、印刷処理条件における用紙の向きが横向きとなるように設定する。 - 特許庁

Thereafter, a MOS transistor and a capacitor are formed by injecting impurities into the semiconductor substrate (S105, S106), then a hydrogen sintering process is carried out as an interface level reduction treatment (S107).例文帳に追加

その後、半導体基板に不純物を注入する等してＭＯＳトランジスタとキャパシタを形成した（Ｓ１０５，Ｓ１０６）後、界面準位低減処理としての水素シンタリングを行う（Ｓ１０７）。 - 特許庁

When the client process receives the identifier of the stub, it receives the demand for calling the function member of the interface, and simultaneously generates an instance of a proxy object for transmitting the demand to the identified stub.例文帳に追加

クライエントプロセスはスタブの識別子を受け取ると、インターフェイスのファンクションメンバーを呼び出す要求を受け取ると共に、要求を識別されたスタブへ送信するプロキシーオブジェクトをインスタンス生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, which has such structure as lowers a contact interface resistance between a contact plug and a lower electrode of a capacitor, in a microfabrication process, for improved yield.例文帳に追加

微細化加工において、コンタクトプラグとキャパシタの下部電極との接触界面抵抗を低下させ、歩留まりを向上させる構造の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form crystal in defect-free area in good yield by changing pulling velocity V and temperature gradient G of a single crystal grown by the Czochralski process according to dopant concentration and keeping V/G value in crystal interface within a prescribed range in the radial direction of the crystal.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成において、結晶中のドーパント濃度が変化した場合でも、無欠陥領域の結晶を、歩留良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

When actual process codes are written to program codes and a request to generate a program is made, a client program generation part 2 generates a client program 10, on the basis of the client program codes 6 and interface 5.例文帳に追加

プログラムコードに実際の処理コードを書き込んでプログラムの生成を要求すると、クライアントプログラム生成部２はクライアントプログラムコード６とインタフェース５を基にクライアントプログラム１０を生成する。 - 特許庁

Meanwhile an interface part 32 of an image processing LSI2 is provided with an ECC process part 45 which corrects the error of pixel data by performing error correction decoding based on the encoded data sent from the image sensor 1.例文帳に追加

一方、画像処理LSI２のインタフェース部３２には、イメージセンサ１から送信されてきた符号化データに基づいて誤り訂正復号を行い、画素データのエラーを訂正するECC処理部４５が設けられる。 - 特許庁

When the user interface processing part 10 receives a priority processing request from the customer terminal 500, a priority processing part 50 preferentially processes an unexecuted business process included in the designated electronic commerce.例文帳に追加

顧客端末５００からの優先処理要求をユーザインタフェース処理部１０が受信すると、優先処理部５０は、指定された電子商取引に含まれる未実行業務プロセスを優先処理する。 - 特許庁

The called object 320 obtains the information of the calling object 310 through the information provision interface and rejects the process when the user does not rely on the object.例文帳に追加

前記被呼び出しオブジェクト３２０は、前記情報提供インタフェースによって前記呼び出しオブジェクト３１０の情報を取得し、ユーザーから信頼されていないオブジェクトであった場合には、処理を拒否する。 - 特許庁

To allow an image processing apparatus to preferentially process a processing request instructed by a user by operating a user interface of the image processing apparatus among processing requests output from the inside and the outside of the image processing apparatus.例文帳に追加

画像処理装置の内外から出される処理要求のうち、画像処理装置のユーザインタフェースを操作してユーザが指示した処理要求を画像処理装置が優先的に処理できるようにする。 - 特許庁

The disclosed selective etching process is sufficiently suitable for ferroelectric memory device fabrication using a conductive oxide/ferroelectric interface having silicon nitride as a material for encapsulating a ferroelectric substance.例文帳に追加

開示された選択的エッチングプロセスは、強誘電体の封じ込め材料として窒化シリコンを有する導電性酸化物／強誘電体界面を用いる強誘電体メモリデバイス製造に十分適している。 - 特許庁

A reception process means 6 similarly reads the data from the designated device D1, D2 to Dn while referring to the interface basic command 12, the common attribute data 14, and the device information data 16.例文帳に追加

一方、受信処理手段６も同様に、上記のインターフェイス基本コマンド１２、共通属性データ１４、デバイス情報データ１６を参照して、指定されたデバイスＤ1、Ｄ2・・・Ｄnからのデータの読み出しを行う。 - 特許庁

In an electronic part dismounting process in a repairing work, the electronic part is dismounted after it is subjected to a thermal treatment process containing a thermal treatment condition under which a connection interface between lands located on a mounting board and solders decreases remarkably in strength, then the residual solder is mechanically removed, and a substitute electronic part is remounted and connected.例文帳に追加

リペア工程の電子部品の取り外し工程において、実装基板のランドと、はんだの接続界面の強度を著しく低下させる熱処理条件を含む熱処理工程を経てから、機械的に残留はんだを除去してから代替電子部品の再搭載、接続を行う。 - 特許庁

Also, a program in charge of an application function is integrated into components, and this is divided into a component 66 operating in the process space of a server and a component 75 operating in the process space of the client, and the details of the interface of those application functions are prevented from being known by the client or the server.例文帳に追加

また、アプリケーション機能を担うプログラムをコンポーネント化し、それをさらに、サーバのプロセス空間で動作するコンポーネント６６と、クライアントのプロセス空間で動作するコンポーネント７５とに分け、それらのアプリケーション機能のインターフェースの詳細をクライアント及びサーバが知らなくても良いようにする。 - 特許庁

To improve the reliability of an element without causing mutual reaction in the interface between a dielectric and an electrode, including impurities such as Na in a manufacturing process, and deteriorating a dielectric element due to the diffusion of hydrogen in a heat treatment process in the dielectric element.例文帳に追加

誘電体素子において、誘電体と電極の界面における相互反応、あるいは製造工程におけるＮａ等の不純物の混入や熱処理工程での水素の拡散による誘電体素子の劣化が生じることなく、素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁

A temperature adjustment controller 23 comprises a mother board 23 mounted with a computer which processes information for adjusting temperature of a plurality of process chambers 1A, 1B,..., and a plurality of interface boards 41-47 for inputting/outputting of sensor signal and control signal to the process chambers 1A, 1B,....例文帳に追加

温度調節コントローラ２３は、複数の処理チャンバ１Ａ，１Ｂ，…の温度調節のための情報処理を行うコンピュータを搭載したマザーボード２３と、処理チャンバ１Ａ，１Ｂ，…に対してセンサ信号や制御信号の入出力を行う複数枚のインタフェースボード４１〜４７とを有する。 - 特許庁

The invention relates to a method for executing a print process on the printing apparatus provided with a print engine, a local user interface unit and a control unit, comprising the steps of receiving a cancel instruction and canceling an active print process of the print job executed according to the image processing attributes.例文帳に追加

取消し命令を受け取るステップと、画像処理属性に従って実行される印刷ジョブのアクティブな印刷プロセスを取り消すステップとを含む、印刷エンジンと、ローカルユーザインタフェースユニットと、制御ユニットとが設けられた印刷装置上で、印刷プロセスを実行する方法に関するものである。 - 特許庁

To permit display of use of an operation command even in process of input of the operation command and to permit input of an operation command following a character string in process of input without re-inputting an inputted character string after confirming the use of the operation command by a user in a computer system to define a CUI(character user interface) as an input interface.例文帳に追加

ＣＵＩ（キャラクタ・ユーザ・インタフェース）を入力インタフェースとする計算機システムにおいて、操作指令の入力途中であっても、操作指令の利用方法の表示を可能とすると共に、利用者が操作指令の利用方法の確認を行なった後、入力済の文字列を再度入力することなく、入力途中の文字列に続けて操作指令の入力を可能とすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a process for effectively removing moisture and hydroxy groups (OH) present at an interface or preventing foreign matters from attaching to the surface when manufacturing an optical fiber preform having at least one interface between neighboring soot inside a mode field, wherein the neighboring silica glass bodies are individually prepared through different processes.例文帳に追加

モードフィールド内に隣接するスートの間に界面を少なくとも１つ有し、上記隣接する石英ガラス体を異なる工程で製造する光ファイバ母材（プリフォーム）の製造に際し、界面に存在する水分や水酸基（ＯＨ）の除去、あるいは、表面に異物が付着することを効果的に防止する方法を提供する。 - 特許庁

The display driver to drive an active matrix type electro-optical device includes an interface circuit to receive transmission data, an error detection circuit to perform an error detection process on the data received by the interface circuit, and a gate line driving circuit to select a plurality of gate lines of the electro-optical device.例文帳に追加

アクティブマトリックス型の電気光学装置を駆動するための表示ドライバは、画像データを受信するためのインタフェース回路と、インタフェース回路で受信された画像データのエラー検出処理を行うエラー検出回路と、電気光学装置の複数のゲート線を選択するゲート線駆動回路とを含む。 - 特許庁

A computer device 10 having an I/O interface in which an expansion card 50 is mounted, wherein the card 50 includes a network interface unit 70 making transmit/receive frames among client and a server via a network; and a process processing unit 60 performing load distribution of a server without applying a load on a processor of the computer device 10.例文帳に追加

拡張カード５０を装着するＩ／Ｏインタフェースを備えるコンピュータ装置１０であって、拡張カード５０が、ネットワークを介してクライアント、サーバ間でフレームの送受信を行うネットワークインタフェース部７０と、コンピュータ装置１０のプロセッサに負荷をかけることなく、サーバの負荷分散を行うプロセス処理部６０とを含む。 - 特許庁

In an interface unit 4 of the coating/developing process system 1, first and second partitioning plates 82, 85 are arranged, which partition a transfer region 50 in which a wafer transfer mechanism 54 is arranged, a heat treatment region 51 in which a sixth processing device group G6 is arranged, and an interface region 52 in which a wafer transfer member 80 is arranged.例文帳に追加

塗布現像処理システム１のインタフェイス部４に，第１及び第２仕切板８２，８５を設け，ウェハ搬送機構５４が配置された搬送領域５０と，第６の処理装置群Ｇ６が配置された熱処理領域５１と，ウェハ搬送体８０が配置された受け渡し領域５２とに分ける。 - 特許庁

With this configuration, multi-atom layer step of about 3 nm in height are present in parallel each other in the Si wafer before bonding in micro size, and the step acts as a minute degassing hole in nanometer size at the stacked interface, so the gas generated at the interface in thermal process for raising adhesiveness is released effectively outside a wafer.例文帳に追加

上記構成によって、接着前のSiウェーハはミクロに見れば高さが3nm程度の多原子層ステップがお互い平行に存在し、重ね合わせた界面でこのステップがナノメートルサイズの微細なガス抜き穴として働くため、密着を高めるための熱処理時に界面で発生するガスがウェーハ外に効果的に抜ける。 - 特許庁

To provide a system and methods which construct a communication link in a process control system having a local I/O interface and a remote I/O interface connected through a remote I/O communication bus in a communicable way and a controller connected to an I/O device through a remote I/O communication link.例文帳に追加

リモートＩ／Ｏ通信バスを介して通信可能に結合されたローカルＩ／ＯインタフェースおよびリモートＩ／Ｏインタフェースを有する、リモートＩ／Ｏ通信リンクを介してＩ／Ｏ装置に接続されたコントローラを有するプロセス制御システムにおいて通信リンクを構成するシステムおよび方法を提供すること。 - 特許庁

When packets are inputted from a plurality of input lines 121, the plurality of packet processors 112 which constitute the interface part 110 determine the output line 122 as a destination based on the header of the packet, and then process the packets to be transferred in parallel.例文帳に追加

入力回線121からパケットが入力すると、インターフェース部110を構成する複数のパケット処理部112が該パケットのヘッダから宛先となる出力回線122を判定して転送するパケット処理を並列に実施する。 - 特許庁

To solve the problem that a substrate leakage current increases due to an interface level formed by plasma damage and thereby the image clarity of a CMOS image sensor declines in the case of omitting a high temperature heat treatment process.例文帳に追加

高温熱処理工程を省いた場合に、プラズマダメージによって発生した界面準位が原因で基板リーク電流が増大し、それによってＣＭＯＳイメージセンサの画像鮮明度が落ちることが課題である。 - 特許庁

In this case, the transmission process means 8 communicates with the designated device D1, D2 to Dn while referring to an interface basic command 12 for exchanging data with the PLC 4, common attribute data 14, and device information data 16.例文帳に追加

この際、送信処理手段８は、ＰＬＣ４とのデータやりとりのためのインターフェイス基本コマンド１２、共通属性データ１４、デバイス情報データ１６を参照して、指定されたデバイスＤ1、Ｄ2・・・Ｄnとの通信を行う。 - 特許庁

In a transmission system consisting of the image sensor 1 and the image processing LSI2, a circuit for performing an ECC process is provided to a link layer of the interface part, and the transmission error that occurs at a physical layer is corrected at the link layer.例文帳に追加

イメージセンサ１と画像処理LSI２からなる伝送システムにおいては、インタフェース部のリンク層にECC処理を行う回路が設けられ、物理層で生じた伝送誤りをリンク層において訂正するようになされている。 - 特許庁

This method for manufacturing the slide bearing that employs the bearing material made from the Al-Sn alloy includes adopting a HIP (hot isostatic pressing) process, and using stainless steel for a base material of a back metal or making nickel exist in the interface between the slide bearing and the base material of the back metal.例文帳に追加

Ａｌ−Ｓｎ合金を軸受材としたすべり軸受製造において、ＨＩＰ（熱間等方圧加圧）法を採用して、裏金母材をステンレス鋼とするか、または界面にニッケルを介在させる。 - 特許庁

A first nitride layer 3a is formed in the vicinity of an interface between the internal wall oxide film 3 and the silicon substrate 1 with the thermal nitriding, and a second nitride layer 3b is formed on the surface of the internal wall oxide film 3 with the radical nitriding process.例文帳に追加

熱窒化処理によって内壁酸化膜３とシリコン基板１との界面近傍に第１窒化層３ａが形成され、ラジカル窒化法によって内壁酸化膜３の表面に第２窒化層３ｂが形成される。 - 特許庁

To provide a fine active layer and interface of the activity layer by suppressing an isolation of In and by enabling crystal growth excellent in controllability in a manufacturing process of compound semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a metallic pattern forming method capable of forming a minute metallic pattern without performing an etching process, the metallic pattern which is excellent in bonding properties with a substrate, has sufficient conductivity, and has small unevenness on an interface with the substrate.例文帳に追加

エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能で、基板との密着性に優れ、十分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さな金属パターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a high speed interface circuit by suppressing fluctuations in an output current and an output amplitude due to fluctuation in a power supply voltage and dispersion in a process with a simple configuration without causing noises.例文帳に追加

電源電圧の変動やプロセスのばらつきによる出力電流や出力振幅の変動を抑制すると共に、簡易な構成で、かつノイズが発生することのない高速なインタフェース回路を提供する。 - 特許庁

One exemplary method for displaying process control information through a graphical user interface includes instantiating a runtime work space so as to be operably interposed between an operating system of an operator station and a user.例文帳に追加

一例では、グラフィックユーザインタフェースを介してプロセス制御情報を表示するための方法は、オペレータステーションのオペレーティングシステムとユーザ間に動作可能に介在するために実行時作業空間をインスタンス化する。 - 特許庁

To realize a MIS compound semiconductor device that uses an InP-based compound semiconductor and have good characteristics by making a gate insulating film having excellent MIS interface characteristics to be formed in a short time at a low process temperature.例文帳に追加

ＭＩＳ界面特性の優れたゲート絶縁膜を低いプロセス温度でより短時間で形成できるようにし、ＩｎＰ系化合物半導体を用いた特性のよいＭＩＳ型デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁

To manage the characteristics of a semiconductor substrate in the fabrication process using a fabrication apparatus clustered in an environment isolated from the atmosphere and the thickness of a film formed thereon on the interface, in the film and on the surface.例文帳に追加

大気と絶縁された雰囲気でクラスタリングされた製造装置を用いた製造工程中における半導体基板と、その上に形成された膜の界面、膜中、表面及び膜厚の特性管理に関する。 - 特許庁

To improve the reproducibility of a copper film by eliminating a process exposing a diffusion barrier film to the outside air before the forming of a copper film, by improving various kinds of properties of the films and characteristics at the interface of the films and by improving a surface management.例文帳に追加

拡散バリア膜の成膜とＣｕ膜の成膜の間に大気暴露工程をなくし、膜の各種特質、膜の界面での特性を改善し、かつ表面管理を良好にして、Ｃｕ膜の再現性を高める。 - 特許庁

The process for forming a trench isolation region comprises a step for performing annealing in NO atmosphere at 850°C for about 30 min after a rounding oxide film is formed, wherein the interface level of the rounding oxide film is reduced through doping of N.例文帳に追加

この界面準位は、その後に形成するトランジスタのＰＮ接合と接するため、界面準位を介した逆バイアス時の接合リークを発生させ、電荷保持特性などの特性劣化の原因となっていた。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing an optical fiber preform on which an external deposition layer can be applied in a high external deposition ratio by reducing the concentration of the hydroxy groups that exist in the neighborhood of the interface of the core rod and the external deposition layer.例文帳に追加

コアロッドと外付け層との界面近傍に存在する水酸基の濃度を低減し、高い外付け倍率で外付け層を外付けすることができる光ファイバ母材の製造方法を提供する。 - 特許庁