「quantum effect device」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a device simulation method by which the quantum effect of an inverted layer in a high-grate voltage area can be expressed better.例文帳に追加

ゲート電圧が高い領域での反転層量子効果をより良く表現できるデバイスシミュレーション方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride-based light-emitting diode (LED) device, which allows maximizing an effect of improving external quantum efficiency.例文帳に追加

外部量子効率の改善効果を極大化させ得る窒化ガリウム系発光ダイオード（ＬＥＤ）素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide: a device which achieves wavelength conversion by using a Purcell effect and a photonic band gap effect in a coupling system between a quantum dot and a resonator; a wavelength conversion method; and a single photon generation device.例文帳に追加

量子ドットと共振器の結合系におけるパーセル効果とフォトニックバンドギャップ効果を用いることで、波長変換を実現する装置および波長変換方法および単一光子発生装置を提供する。 - 特許庁

A simulation method for a semiconductor device has a step for determing a Fermi energy of the semiconductor device when assuming that it has no potential and the neutrality condition of its charge is satisfied, and ignoring any quantum many-body effect in it; and a step for using the Fermi energy to determine the ionization rates of its donor and acceptor when considering the quantum many-body effect in it.例文帳に追加

電位が無く、かつ電荷の中性条件が成立すると仮定し、量子多体効果を無視した場合のフェルミエネルギーを求めるステップと、前記フェルミエネルギーを用いて、量子多体効果を考慮したドナーおよびアクセプターのイオン化率を求めるステップと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To freely adjust the threshold voltage Vth of a fined element in spite of a scaling rule on a field effect semiconductor device having a multidimensional confinement quantum well.例文帳に追加

多次元閉じ込め量子井戸を有する電界効果型半導体装置に関し、スケーリング則に拘わらず、微細化した素子のしきい値電圧Ｖ_thを自由に調整する。 - 特許庁

The substrate having the arrangement of metal dots can be used for a quantum device using a single electron tunneling effect such as a single electron transistor and a single electron memory.例文帳に追加

この金属ドットを配列させた基板は、単一電子トランジスタや単一電子メモリ−のような単一電子トンネル果を利用した量子素子に用いることができる。 - 特許庁

To obtain a superconducting detector in which an external magnetic field used for restraining a Josephson current of a sensor superconducting tunnel junction(STJ) device is positioned accurately, so as not to have magnetically adverse effect to other STJ device integrated circuits such as a superconducting quantum interference device(SQUID) and the like.例文帳に追加

センサ用超伝導トンネル接合（STJ）素子のジョセフソン電流を抑制するための外部磁場を正確に位置付けし、超伝導量子干渉素子（SQUID）等他のSTJ素子集積回路に磁気的悪影響を与えない。 - 特許庁

The quantum-entangled photon pair generating device has a polarization-maintaining loop optical path having a polarization separation multiplexing module as both ends, and a secondary nonlinear optical medium having a secondary nonlinear optical effect is placed in the loop optical path.例文帳に追加

偏波分離合波モジュールを両端とする偏波保持のループ光路を有し、このループ光路に２次非線形光学効果を有する２次非線形光学媒質が介在されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device comprises an optical control part having a liquid crystal to modulates ultraviolet rays and an electrode to drive the liquid crystal and a luminous layer 17 which emits light by the ultraviolet rays passing the optical control part and includes a self light-emitting quantum dot having a quantum confinement effect with the ultraviolet inorganic phosphor.例文帳に追加

紫外線を変調する液晶及び液晶を駆動する電極を備える光制御部と、光制御部を通過した紫外線により発光し、紫外線無機蛍光体と量子孤立効果を有する自発光量子ドットを含む発光層とを備える液晶表示装置である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which scarcely influences the decrease of quantum efficiency of a photoelectric conversion element and the effect to an integrated circuit and can laminate a photoelectric conversion element and an integrated circuit.例文帳に追加

光電変換素子の量子効率の低下と集積回路に与える影響とが少なく、光電変換素子と集積回路とを積層することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a device simulation apparatus, a device simulation method and a program that accurately analyze electric characteristics of a Schottky source/drain MOSFET at a high speed by employing the effect of quantum-mechanical tunneling through a Schottky barrier for a device simulator based on a classical and a semiclassical transport equation.例文帳に追加

ショットキー障壁を量子力学的にトンネルする効果を、古典的・半古典的な輸送方程式に基づくデバイスシミュレータに取り入れ、ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴの電気的特性を高速で正確に解析可能なデバイスシミュレーション装置、方法、プログラムの提供。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device of surface light emission, a Bragg reflection mechanism comprising DBR multi-layer reflectors 64 and 69 on upper and lower layers sandwiching an active layer 66 is provided to restrict light emitting patterns by light quantum containment effect by the Bragg reflection mechanism.例文帳に追加

面発光型の半導体発光素子において、活性層66を挟む上下層にＤＢＲ多層反射鏡64および69からなるブラッグ反射機構を備え、ブラッグ反射機構による光の量子閉じ込め効果により発光パターンを制限する。 - 特許庁

To provide a vertically structured gallium nitride-based LED device adapted to increase a light emission efficiency and maximize an improving effect on an external quantum efficiency by forming a fine surface unevenness, that is, a light-scattering structure, on the surface of an n-type gallium nitride layer disposed on a light emission side and the surface of a p-type gallium nitride layer disposed on a light reflection side.例文帳に追加

発光側のｎ型窒化ガリウム層の表面及び反射側のｐ型窒化ガリウム層の表面に微細な光散乱構造である表面凹凸を形成することで、光放出効率を増加させ、外部量子効率の改善効果を極大化する垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供する。 - 特許庁