「quantum size effect」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Meanwhile, in the case where the mean particle size of the heat-treated ZnO quantum dots is equal to or less than 10 nm, since a quantum size effect is manifested, and the light emission efficiency is enhanced, it becomes possible to apply to a quantum dot laser by utilizing this property.例文帳に追加

一方、熱処理されたＺｎＯ量子ドットの平均粒径が１０ｎｍ以下の場合は、量子サイズ効果が発現し、かつ発光効率が向上することから、この性質を利用して量子ドットレーザへの応用が可能となる。 - 特許庁

QUANTUM SIZE EFFECT MICRO ELECTRON GUN AND PLANE DISPLAY DEVICE USING THE SAME, PRODUCTION METHOD OF PLANE DISPLAY例文帳に追加

量子サイズ効果型微小電子銃及びこの電子銃を使用した平面型ディスプレイ装置並びにその製造方法 - 特許庁

The diameter of the silicon ultrafine particles is controlled to the range from 1.0 to 5.0 nm which is necessary to develop the quantum size effect by controlling the energizing amount to 0.5 to 2.0 F per 1 mol.例文帳に追加

また、通電量をモルあたり０.５Ｆから２.０Ｆとすることにより、量子サイズ効果を発現させるのに必要な直径１.０ｎｍから５.０ｎｍの範囲のサイズにしたシリコン超微粒子である。 - 特許庁

As a result, at the area near the emitting edge of the resonator, a window structure in which band gap energy is acquired sufficiently larger than that at the center of the resonator can be formed on the basis of quantum size effect.例文帳に追加

その結果、共振器の出射端面付近には、量子サイズ効果に基づいてバンドギャップエネルギーが共振器の中央部よりも十分に大きく確保された窓構造を形成することができる。 - 特許庁

To provide a nonlinear optical material which is a nonlinear optical material using InSb nanoparticles, can sufficiently exhibit a quantum size effect and is excellent in nonlinear optical characteristics.例文帳に追加

本発明は、ＩｎＳｂナノ粒子を用いた非線形光学材料であって、量子サイズ効果を十分に発揮することができ、非線形光学特性に優れる非線形光学材料を提供することを主目的とする。 - 特許庁

Further, equal energy levels are arranged in a moving direction of carriers by arraying quantum dots 6S, 6M and 6L of the same size in a thickness direction, and carriers are moved through tunnel effect without losing energy, thereby extracting a current.例文帳に追加

また、同じサイズの量子ドット６Ｓ，６Ｍ，６Ｌを厚さ方向に配列することで、キャリアの移動方向に同一のエネルギ準位を並べ、エネルギを失うことなくトンネル効果によってキャリアを移動させて、電流を取り出す。 - 特許庁

The length of the growth-interruption period is set within a prescribed range, so that the dots of InGaN in quantum-size which contribute to light emission are formed evenly for promoting quantum effect when dotted, while variation in luminous wavelength among dots is suppressed.例文帳に追加

ｍ番目障壁層を結晶成長させる工程、ｍ番目障壁層の上にｍ番目井戸層を結晶成長させる工程、ｍ番目井戸層の上にｍ＋１番目障壁層を結晶成長させる工程をリアクタ内で順に繰り返し、ｎ＋１層障壁層とｎ層井戸層を交互に結晶成長させ発光層を形成する発光層形成工程を含む。 - 特許庁

In the semiconductor nanoparticles including a doping agent in a semiconductor base material, the mean particle size of the particles is 0.1-20.0 nm, and the doping agent emits light by excitation light having the wavelength of 285 nm, and the semiconductor base material emits light by excitation light having the wavelength of 365 nm by a quantum size effect.例文帳に追加

半導体母材中にドープ剤を含有する半導体ナノ粒子であって、粒子の平均粒径が０．１〜２０．０ｎｍであり、波長２８５ｎｍの励起光により該ドープ剤が発光し、かつ波長３６５ｎｍの励起光により該半導体母材が量子サイズ効果により発光することを特徴とする半導体ナノ粒子。 - 特許庁

To provide a novel composite structure thin-film material which contains simultaneously InSb particles or Sb particles of nano-scale and Al Oxide as mainly a matrix, as a means of manufacturing an inorganic EL element which emits excellently red, green and blue light utilizing nano-scale quantum size effect.例文帳に追加

本発明は、ナノスケール量子サイズ効果を利用した赤、緑及び青を良好に発光する無機ＥＬ素子を作製する手段として、ナノスケールのＩｎＳｂ粒子もしくはＳｂ粒子と、主にマトリクスであるＡｌ酸化物を同時に含む複合構造薄膜材料を新規に提供することにある。 - 特許庁

When a source 103 and a drain 104 larger than a micro wire region 105 made of a semiconductor are connected with both ends of the wire region 105 which is minute enough to cause a quantum size effect, the forbidden band of the wire region 105 serves as an energy band for electrons present in the source 103.例文帳に追加

量子サイズ効果が生じるような微小な細線部１０５の両端に、半導体よりなる細線部１０５より大きなソース１０３及びドレイン１０４が接続された状態とすると、ソース１０３に存在する電子にとって、細線部１０５の禁制帯はエネルギーバリアとなる。 - 特許庁

In this oxidizing process, constriction portions 107 which are constricted in a layer thickness direction are formed nearby the inside of curved line-shaped border portions corresponding to two opposite curved line-shaped edges of the opening 104, and at the constriction portions 107, the silicon layer 102 becomes less in film thickness to form a tunnel barrier through quantum size effect in the layer thickness direction.例文帳に追加

この酸化工程により、開口部１０４の対向する２つの曲線状の縁部に対応する曲線状の境界部の内側近傍において、層厚方向にくびれるくびれ部１０７が形成され、くびれ部１０７においては、シリコン層１０２の層厚がより薄くなり、層厚方向の量子サイズ効果によりトンネルバリアが形成されるようになる。 - 特許庁