「refresh buffer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Also, data which cannot be written in a memory cell due to priority of refresh-operation is held temporarily in a write-data buffer 4.例文帳に追加

また、リフレッシュ動作を優先したためメモリセルに書き込むことができないデータをライトデータバッファ４に一時的に保持する。 - 特許庁

An instruction decoder 38 decodes a signal from an instruction buffer 36 and when the semiconductor memory cell reaches an automatic refresh mode, an automatic refresh signal aref of a prescribed level is sent to an input buffer generator 34 and a low active generator 40.例文帳に追加

命令デコーダ３８は、命令バッファ３６からの信号をデコードし、半導体メモリ素子が自動リフレッシュモードに達すると、所定レベルの自動リフレッシュ信号arefを入力バッファジェネレータ３４とローアクティブジェネレータ４０に送る。 - 特許庁

The control circuit controls a corresponding write buffer so as to selectively hold data supplied to the external input circuit in the corresponding write buffer during a period of time for the refresh operation and the read operation of a corresponding memory bank, and control the corresponding write buffer to supply data to the corresponding memory bank after the completion of the refresh operation and the read operation of the corresponding memory bank.例文帳に追加

制御回路は、対応するメモリバンクのリフレッシュ動作と読み出し動作の期間に、外部入力回路に供給されたデータを対応するライトバッファに選択的に保持させる様に、対応するライトバッファを制御し、対応するメモリバンクのリフレッシュ動作と読み出し動作の完了後に、対応するメモリバンクにデータが対応するライトバッファに供給するよう制御する。 - 特許庁

By such a memory, as an external clock is supplied to the command input buffer at the time of data holding mode, a refresh-command is inputted and self-refresh operation can be performed, at the time, an external clock is not supplied to the address input buffer and the data input buffer, current consumption caused by the above can be reduced.例文帳に追加

かかるメモリによれば，データ保持モード時において，外部クロックがコマンド入力バッファに供給されるので，リフレッシュコマンドを入力してセルフリフレッシュ動作を行うことができ，そのとき外部クロックのアドレス入力バッファやデータ入力バッファへの供給が行われないので，それに伴う消費電流を削減することができる。 - 特許庁

When a refresh-test for a redundant memory cell is performed, a redundant CBR refresh-counter 15 is activated for each input of a control signal RACBR, counts the number of input of redundant CBR commands, and outputs them to a X address buffer 2A as redundant counter signals RCNT0- RCNT5.例文帳に追加

冗長CBRリフレッシュカウンタ15は、冗長メモリセルに対するリフレッシュテストを行う場合、制御信号RACBRが入力される毎に活性化され、冗長CBRコマンドの入力される数を計数し、計数値を冗長カウンタ信号RCNT0〜RCNT5として、Xアドレスバッファ2Aへ出力する。 - 特許庁

The X address buffer 2A outputs counter signals being origin for generating internal X address signals XA0-XA11 corresponding to the case of a refresh-test of memory cells and redundant memory cells switching an address counter signal outputted by a CBR refresh-counter 4 and a redundant counter signal outputted by redundant CBR refresh-counter 14.例文帳に追加

Xアドレスバッファ2Aは、内部Xアドレス信号XA0〜XA11を生成する元となるカウンタ信号を、メモリセルと冗長メモリセルとのリフレッシュテストの場合に対応して、CBRリフレッシュカウンタ4の出力するアドレスカウンタ信号と、冗長CBRリフレッシュカウンタ14の出力する冗長カウンタ信号とを切り替えて出力する。 - 特許庁

Thin-film transistors are used for a clock generation part 16, a command decoder 17, a mode resistor 18, a control part 20, a row address buffer and refresh circuit 21, a column address buffer and the burst counter 22, a data control circuit 23, a latch circuit 24, a DLL 25, and a column decoder 31.例文帳に追加

クロック発生部１６、コマンドデコーダ１７、モードレジスタ１８、制御部２０、ロウアドレスバッファ＆リフレッシュ回路２１、カラムアドレスバッファ＆バーストカウンタ２２、データ制御回路２３、ラッチ回路２４、ＤＬＬ２５、カラムデコーダ３１は、薄膜のトランジスタを用いる。 - 特許庁

This semiconductor storage device comprises a command decoder 1 receiving an external signal and generating a command, a clock buffer 2, gates 3, 4, and a refresh counter 7.例文帳に追加

本発明に係る半導体記憶装置は、外部信号を受けてコマンドを発生するコマンドデコーダ１、外部クロックを受けるクロックバッファ２、ゲート３，４、およびリフレッシュカウンタ７を含む。 - 特許庁

Since the LCD controller 5 and the frame buffer 4 are disconnected from the high-speed bus Bh, the electric power consumption during LCD refresh can be reduced.例文帳に追加

ＬＣＤコントローラ５およびフレームバッファ４が高速バスＢｈから切り離されるので、ＬＣＤリフレッシュ時の消費電力を低減することができる。 - 特許庁

To provide an input buffer circuit and a semiconductor memory provided therewith, which enables recovery from a refresh operation with a reduced current consumption at refreshing.例文帳に追加

リフレッシュ動作からの復帰を可能にすると共に、リフレッシュ動作時における消費電流を低減した入力バッファ回路及びそれを備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The refresh region is set by, for example, an address scramble circuit 90 provided between an address buffer 91 and an address decoder 92.例文帳に追加

なお、このようなリフレッシュ領域は、アドレスバッファ９１とアドレスデコーダ９２との間に設けられるアドレススクランブル回路９０などによって設定される。 - 特許庁

To enable processing a refresh-cycle and an external read/write access cycle in parallel in a dynamic type memory device to/from which data is inputted/outputted to the outside through a data buffer register.例文帳に追加

データ・バッファ・レジスタを介して外部とデータを入出力するダイナミック型メモリ装置において、リフレッシュ・サイクルと外部リード/ライト・アクセス・サイクルとを並行処理可能にする。 - 特許庁

And when refresh-operation, normal read-out operation of data, or write-in operation of data are not overlapped, data held in the write-data buffer 4 is rewritten in a corresponding memory cell.例文帳に追加

そして、リフレッシュ動作と、通常のデータの読み出しまたは書き込み動作とが重ならないときに、対応するメモリセルにライトデータバッファ４の保持データを書き戻す。 - 特許庁

The semiconductor device includes a calibration circuit 100 to adjust the impedance of an output buffer 71, and a calibration start circuit 200 to activate the calibration circuit 100 in response to auto-refresh commands AR being issued a predetermined number of times.例文帳に追加

出力バッファ７１のインピーダンスを調整するキャリブレーション回路１００と、オートリフレッシュコマンドＡＲが所定回数発行されたことに応答してキャリブレーション回路１００を活性化させるキャリブレーション起動回路２００とを備える。 - 特許庁

Then, by receiving a screen refresh command from the external controller 40, rewrite processing of pixel data is performed based on the display data stored in the buffer memory 32, without interposition of a vertical synchronous signal V_sync in data transmission to and from the external controller 40, under driving of a driver IC 3.例文帳に追加

そして、外部コントローラ４０から画面リフレッシュコマンドを受けることで、ドライバＩＣ３による駆動の下に、外部コントローラ４０との間におけるデータ伝送に垂直同期信号Ｖ_syncが介在しなくても、バッファメモリ３２に格納した表示データを基に画素データの書き換え処理を行う。 - 特許庁

The output section 103 reads the picture data from the frame buffer to supply them to the LCD 124 during a periodical display refresh of the LCD 124, while precharging is carried out for restoring storage contents destroyed by the read-out.例文帳に追加

出力部１０３は、ＬＣＤ１２４の周期的な表示リフレッシュに伴って、フレームバッファから画像データを読み出してＬＣＤ１２４に供給する一方で、読み出しにより破壊された記憶内容を復元するためにプリチャージする。 - 特許庁

A non-volatile semiconductor memory is used as a memory medium and further an S-RAM which does not require refresh operation is used as a buffer to be used in writing and reading out, by which the electric power consumption is reduced as a whole, and reduction in size and weight is achieved.例文帳に追加

記憶媒体として不揮発性半導体メモリを用い、更に、書込及び読出時に用いるバッファとしてリフレッシュ動作を必要としないＳ−ＲＡＭを用いることにより、全体として消費電力量を軽減し、然も小型・軽量化を達した。 - 特許庁

In this semiconductor memory, a clock input buffer which outputs an internal clock signal INCLK is provided, and a NOT circuit 15 into which a external signal/CS is input is provided; and the output of the NOT circuit 15 and a refresh demand signal RFR are input, and an OR circuit 16 which outputs their logical sum as an internal clock enable signal INCE to the clock input buffer 10 is provided.例文帳に追加

半導体記憶装置において、内部クロック信号ＩＮＣＬＫを出力するクロック入力バッファを設け、外部信号／ＣＳが入力されるＮＯＴ回路１５を設け、このＮＯＴ回路１５の出力及びリフレッシュ要求信号ＲＦＲが入力され、その論理和を内部クロックイネーブル信号ＩＮＣＥとして、クロック入力バッファ１０に対して出力するＯＲ回路１６を設ける。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a buffer section which generates a wordline drive signal for enabling the wordline of a memory cell in response to a row address signal and a driver section which generates a wordline reset signal for disabling the wordline in response to the row address signal, a mode register wordline signal and a refresh wordline signal.例文帳に追加

本発明の半導体メモリ装置は、ロウアドレス信号に応答してメモリセルのワードラインをイネーブルさせるワードライン駆動信号を発生するバッファ部と、ロウアドレス信号、モードレジスタワードライン信号及びリフレッシュワードライン信号に応答してワードラインをディセーブルさせるワードラインリセット信号を発生するドライバ部とを含む。 - 特許庁