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second layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21455件
The second base layer 15 is a metal nonmagnetic layer having hcp crystal structure, and the soft magnetic layer 13 is the Co containing layer.例文帳に追加
第2下地層15は、hcp結晶構造を有する金属非磁性層であり、軟磁性層13はCoを含有する層である。 - 特許庁
A ferromagnetic stabilization layer 304 is combined in switched connection by a second antiferromagnetism layer 306 in such a manner that it is separated from the free layer 210 by a spacer layer 302.例文帳に追加
強磁性安定化層304は自由層210とはスペーサ層302によって隔てられ、第2の反強磁性層306と交換結合されている。 - 特許庁
A storage element including at least a magnetization recording layer, a non-magnetic layer, and a magnetization reference layer is provided on the second diffusion layer.例文帳に追加
前記第2の拡散層上には、少なくとも磁化記憶層、非磁性層、および磁化参照層を有する記憶素子が設けられる。 - 特許庁
A passivation layer (18) is attached onto the dielectric layer, and a second thick dielectric layer (20) is formed on the surface of the passivation layer.例文帳に追加
パシベーション層(18)は誘電体層の上に付着され、第2の厚い誘電体層(20)はパシベーション層の表面上に形成される。 - 特許庁
The foundation protecting layer 3, the first inter-layer insulating film 5, and the second inter-layer insulating film 6 are composed of dielectric multi-layer films.例文帳に追加
下地保護膜3、第1の層間絶縁膜5、および第2の層間絶縁膜6は、誘電体多層膜から構成されている。 - 特許庁
A second metallic layer 9 is then deposited on the first metallic layer 7 and the adhesive layer so as to cover a most part of the first layer.例文帳に追加
続いて、第1の層の大部分を覆うように第1の金属層7と接着層に第2の金属層9を堆積する。 - 特許庁
The first semiconductor layer 3, the second semiconductor layer 4, the third semiconductor layer 5, and the fourth semiconductor layer 6 contain a nitride semiconductor.例文帳に追加
第1半導体層3、第2半導体層4、第3半導体層5及び第4半導体層6は、窒化物半導体を含む。 - 特許庁
The element comprises the electron transport layer including the fullerene and a second conductive layer zoning a negative electrode layer on the electron transport layer.例文帳に追加
この素子には、フラーレンを含む電子輸送層と、電子輸送層上の陰極電極層を画定する第2の導電性層がある。 - 特許庁
An n-type source region 4 is formed to be a multilayer structure having a first layer 4a as an upper layer and a second layer 4b as a lower layer.例文帳に追加
n型ソース領域4を上層部となる第1層4aおよび下層部となる第2層4bを備えた多層構造にする。 - 特許庁
The base material layer 12 has three-layered structure consisting of the first polyolefin layer 121, barrier layer 122, and second polyolefin layer 123.例文帳に追加
基材層12は、第一のポリオレフィン層121、バリア層122および第二のポリオレフィン層123からなる3層構成となっている。 - 特許庁
An electron supply layer 12 that is a second semiconductor layer is formed on an electron transit layer 11 that is a first semiconductor layer.例文帳に追加
第1の半導体層である電子走行層11上に、第2の半導体層である電子供給層12が形成されている。 - 特許庁
The current confining layer 18 includes a first semiconductor layer 18A, a second semiconductor layer 18B and a third semiconductor layer 18C.例文帳に追加
電流狭窄層18は、第1の半導体層18Aと、第2の半導体層18Bと、第3の半導体層18Cとを有する。 - 特許庁
An insulation layer 5 and a wiring layer 8 are formed on the second resin layer, and a first semiconductor chip 10 is mounted on the wiring layer.例文帳に追加
第2の樹脂層上に絶縁層5および配線層8を形成し、配線層上に第1の半導体チップ10を実装する。 - 特許庁
A 2DEG layer 8 is formed along a hetero-junction surface between the electron travelling layer 3 and the electron supply layer (second semiconductor layer) 6.例文帳に追加
電子走行層3と電子供給層(第2の半導体層)6とのヘテロ接合面に沿って2DEG層8が形成される。 - 特許庁
A passivation layer (18) sticks to the dielectrics layer, while a second thick dielectrics layer (20) is formed on the surface of the passivation layer.例文帳に追加
パシベーション層(18)は誘電体層の上に付着され、第2の厚い誘電体層(20)はパシベーション層の表面上に形成される。 - 特許庁
A second conductive layer 7 is disposed on the second conductive interlayer insulating film 6.例文帳に追加
第二導電層7が第二の導電層間絶縁膜6上に配置されている。 - 特許庁
The second light diffusion layer 5 is configured of a second polarizing plate 51 and a light diffusion film 52.例文帳に追加
第2光拡散層5は、第2偏光板51と、光拡散膜52とから構成する。 - 特許庁
The second wiring layer is not provided with wiring in the upper part of the second element region 1b.例文帳に追加
第2配線層は、第2素子領域1bの上方には配線を具備していない。 - 特許庁
Each of the second portions has a portion overlapping the second semiconductor layer when viewed from the stack direction.例文帳に追加
第2部分は、積層方向にみたときに、第2半導体層と重なる部分を有する。 - 特許庁
The second alignment layer is made of a plurality of second one-dimensional nano-structures which are aligned.例文帳に追加
前記第二配向層は、整列した複数の第二一次元ナノ構造体からなる。 - 特許庁
The protective layer is disposed on the second electrode and covers at least a part of the second electrode.例文帳に追加
保護層は第2電極上に配置され、第2電極の少なくとも一部をカバーする。 - 特許庁
A second VCC through-hole 19 is also provided between the second VCC layer 17 and the pad 5.例文帳に追加
第2VCC層17とパッド5の間には第2VCCスルーホール19が設けられる。 - 特許庁
A material of the second semiconductor region 24 is different from that of the second mask layer 25a.例文帳に追加
第2の半導体領域24の材料は、第2のマスク層25aの材料と異なる。 - 特許庁
The second electrode 18 is formed of a free ferromagnetic layer 28 of second thickness t2.例文帳に追加
第2電極(18)は、第2厚さ(t2)を有する自由強磁性層(28)より成る。 - 特許庁
Next, a second electric conduction film 28B is made to laminate via a second insulating layer 17B.例文帳に追加
次に、第2の絶縁層17Bを介して第2の導電膜28Bを積層させる。 - 特許庁
In the present step, second grooves 7a are not yet formed in the second layer 7.例文帳に追加
本工程において、第2の層7には、まだ第2の溝7aは形成されていない。 - 特許庁
A second dielectric substance layer 36 lies on the mutual connection line 32 and is provided with a second groove 38 therein.例文帳に追加
第2の誘電体層が相互接続ライン上にあり、その中に第2の溝をもつ。 - 特許庁
The second wiring is formed in the second direction in one another layer of the flexible film.例文帳に追加
第2配線は、前記フレキシブルフィルムの他の一つの層に第2方向に形成されている。 - 特許庁
A second speedy thermal treatment is executed and a titanium silicide layer changes to a second form.例文帳に追加
第2の急速な熱処理が行われ、ケイ化チタン層が第2の形態に変化する。 - 特許庁
On the other hand, a second wiring 28B is connected to the end of the second electrode layer 23.例文帳に追加
一方、第2の電極層23の端部には、第2の配線28Bが接続される。 - 特許庁
A second PV cell including a negative electrode, a second dye layer, and a positive electrode is also formed.例文帳に追加
陰極、第2の色素層および陽極を含む第2のPVセルも形成される。 - 特許庁
The second conductive layer 40 is provided with a second connecting part 41 and a second contact 42 is formed above the second connecting part 41.例文帳に追加
第2導電層40には第2接続部41が設けられ、第2接続部41の上方には第2コンタクト42が形成されている。 - 特許庁
The first recording layer 12 provided with guide vallyes 12A existing between first and second light transparent layers 10 and 14 and the second recording layer 16 on the surface of the opposite second recording layer 14 are formed.例文帳に追加
光記録媒体は多数の記録層の中少なくとも一つ以上の記録層が入射光が強いと反射率が高い非線形光学特性を持つ物質で形成させた。 - 特許庁
A second base material is prepared which has a second insulating layer 101b and a second conductor layer 100b formed on one surface in a thickness-direction of the first insulating layer 101b.例文帳に追加
第二の絶縁層101bと、第二の絶縁層101bの厚さ方向の一方の面に形成された第二の導体層100bとを有する第二の基材を用意する。 - 特許庁
Likewise, a second reaction layer is formed at a discharge device 120g, a second gas diffusion layer, at a discharge device 120h, and a second current-collecting layer, at a discharge device 120i.例文帳に追加
同様に、吐出装置120gにおいて第2の反応層を、吐出装置120hにおいてガス拡散層を、吐出装置120iにおいて第2の集電層を形成する。 - 特許庁
The laminated structure 10 comprises a first-conductivity first cladding layer, a second-conductivity second cladding layer, and an active layer 15 held by the first and second cladding layers.例文帳に追加
積層構造10は、第1導電型の第1のクラッド層と、第2導電型の第2のクラッド層と、第1および第2のクラッド層に挟まれた活性層15とを有している。 - 特許庁
The second core 3 includes a second superconductive layer 3a used as a returning line or a neutral conductor in DC feeding, and has no superconductive layer other than the second superconductive layer 3a.例文帳に追加
第二コア3は、直流送電において帰路線路又は中性線に用いられる第二超電導層3aを具え、第二超電導層3a以外の超電導層を有していない。 - 特許庁
The second recording structure includes a second recording layer disposed between the substrate and the cap layer, and Nb_2O_5 interface layers disposed between the substrate and the cap layer and between the second recording layers.例文帳に追加
第2記録構造が、基板およびキャップ層間に配置される第2記録層と、基板およびキャップ層間ならびに第2記録層間に配置されるNb_2O_5インターフェース層とを含む。 - 特許庁
Or, the second layer containing the luminescent material of the carrier plate 2 is a second dielectric layer or a second protective layer.例文帳に追加
前面プレート(1)上の発光材料を含む前記第1層が第1誘電体層(4)である、または第1保護層(5)である、或いは発光材料を含む前記第1層が追加の層(14)である。 - 特許庁
The transparent adhesive layer is formed between the first and second reaction layers, and therefore the second reaction layer of the first stack does not come off the first reaction layer of the second stack.例文帳に追加
透明接着層は、第1の反応層と第2の反応層との間に形成され、それにより、第1のスタックの第2の反応層は、第2のスタックの第1の反応層から外れない。 - 特許庁
Then a second pair of transparent substrates and a second precursor for a light-controlling layer are used to form a second light-controlling layer 16 in the same process as that of the first layer, and one of the transparent substrates is removed.例文帳に追加
第2の一対の透明基板と第2の調光層前駆体を用いて同様の工程を行い第2の調光層を形成し、一方の透明基板を除去する。 - 特許庁
A transparent insulating film is attachedly formed on the second electrode layer, and it is patterned such that the electrode parts of the second electrode layer are covered and that the wiring parts are exposed to form a second insulating layer.例文帳に追加
第2電極層上に透明な絶縁膜を着膜し、これを第2電極層の電極部が覆われ配線部が露出するようにパターニングし第2絶縁層を形成する。 - 特許庁
The second gate stack 112 comprises a gate dielectric host layer 105, a first metal gate electrode layer 106, a second gate dielectric capping layer 108, and a second metal gate electrode 109.例文帳に追加
第2ゲートスタック112は、ゲート誘電体ホスト層105、第1金属ゲート電極層106、第2ゲート誘電体キャップ層108、第2金属ゲート電極層109を含む。 - 特許庁
The pad P1 has a three layer structure composed of an Au layer (a first metal layer 11) exposed from the first main surface 20A of the first insulation layer 20, a Pd layer (a second metal layer 12) laminated on the first metal layer 11, and a Cu layer (a third metal layer 13) formed between the second metal layer 12 and the wiring layer 21.例文帳に追加
このパッドP1は、第1絶縁層20の第1主面20Aから露出されるAu層(第1金属層11)と、第1金属層11に積層されたPd層(第2金属層12)と、第2金属層12と配線層21との間に形成されたCu層(第3金属層13)とからなる3層構造を有している。 - 特許庁
The semiconductor integrated circuit has a multilayered structure, and comprises a first semiconductor layer, first semiconductor layer transistor formed in the first semiconductor layer, interconnection layer deposited on the first semiconductor layer and is formed with a metal interconnection, second semiconductor layer deposited on the interconnection layer, and second semiconductor layer transistor formed in the second semiconductor layer.例文帳に追加
多層構造で構成される半導体集積回路であって、第1半導体層と、第1半導体層に形成された第1半導体層トランジスタと、第1半導体層上に堆積され、金属配線が形成された配線層と、配線層上に堆積された第2半導体層と、第2半導体層に形成された第2半導体層トランジスタとを備える。 - 特許庁
In this semiconductor element having a multiperiod layer wherein the first layer W and the second layer B having the band width wider than the first layer W, are laminated at multiple period, a δ-layer which is sufficiently thin when compared with the first layer W and the second layer B and quickly changes an energy band is provided on the boundary between the first layer W and the second layer B.例文帳に追加
第1層Wと第1層Wよりもバンド幅の広い第2層Bとを多重周期で積層した多重周期層を有する半導体素子において、第1層Wと第2層Vとの境界に、第1層Wと第2層Bの厚さに比べて充分に薄く、エネルギバンドを急変させるδ層が設けられている。 - 特許庁
After formation of the sacrificial layer 31, a second barrier film 13 made of MnSiO is formed between the Cu layer 20 and a second insulating layer 6 by heat treatment.例文帳に追加
そして、犠牲層31の形成後、熱処理により、Cu層20と第2絶縁層6との間に、MnSiOからなる第2バリア膜13が形成される。 - 特許庁
A first glaze layer 2 comprising the first glaze is formed on the surface of the substrate 1, and a second glaze layer 3 comprising the second glaze is formed on the upper side of the first glaze layer 2.例文帳に追加
基体1の表面に、第1釉薬からなる第1釉薬層2と、より表面側に第2釉薬からなる第2釉薬層3とを形成する。 - 特許庁
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