「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

In the superlattice layer, a first layer 113A and a second layer 113B having a smaller lattice constant than that of the first layer are alternately laminated.例文帳に追加

超格子層は、第１の層１１３Ａ及び第１の層よりも格子定数が小さい第２の層１１３Ｂが交互に積層されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a GaN layer 10, a first insulating layer 13, a second insulating layer 14, an electrode layer, and an FP electrode 17.例文帳に追加

半導体装置は、ＧａＮ層１０と第１の絶縁層１３と第２の絶縁層１４と電極層とＦＰ電極１７とを備えている。 - 特許庁

In a second embodiment, a horizontal layer of the thermal conductive material is deposited in an oxide layer or bulk silicon layer beneath the upper silicon layer.例文帳に追加

第２の実施の形態では、熱伝導性材料の水平層も、シリコンの上部層下の、酸化物層またはバルク・シリコン層中に付着させる。 - 特許庁

A first clad layer 2, a quantum well active layer 3, a second clad layer 4, and an etching stop layer 5 are sequentially laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上には、第１クラッド層２、量子井戸活性層３、第２クラッド層４及びエッチング停止層５が順次積層されている。 - 特許庁

A DFB laser element 45 comprises a 3-layer low reflection film that comprises a first layer of alumina, a second layer of amorphous silicon, and a third layer of alumina.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ素子４５は、第１層の材質はアルミナ、第２層はアモルファスシリコン、第３層はアルミナからなる３層低反射膜を有する。 - 特許庁

The translucent layer 12 has a first layer 12-1, and a second layer 12-2 having a refractive index larger than that of the first layer 12-1.例文帳に追加

透光性層１２は、第１の層１２−１と、第１の層１２−１より屈折率の大きい第２の層１２−２とを有している。 - 特許庁

The substrate side reflection layer 3 comprises: a first reflection layer 3a and a second reflection layer 3b formed at the same side when viewed from the luminous layer 5.例文帳に追加

基板側反射層３は、発光層５から視て同じ側に形成された第１反射層３ａと第２反射層３ｂとを備えている。 - 特許庁

In the composite sheet, a first surface layer 1, a second surface layer and an intermediate layer 3 are provided and fibers of each layer are interlaced by energy of water jet.例文帳に追加

第１表面層１と第２表面層２および中間層３を有し、各層の繊維がウォータジェットのエネルギーにより交絡されている。 - 特許庁

According to an embodiment, a semiconductor light-emitting element comprises a foundation layer, a first semiconductor layer, a light-emitting layer and a second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The recording medium is formed by laminating a first information layer 2, an intermediate layer 3, a second information layer 4 and a cover layer 5 sequentially on a substrate 1.例文帳に追加

記録媒体は、第１の情報層２と、中間層３、第２の情報層４、カバー層５を基板１上に順次積層してなる。 - 特許庁

The laminate material comprises a polyethylene terephthalate outer layer 50, an optional second layer of a nylon 52, a third layer of metallic foil 54 and a polypropylene inner layer 56.例文帳に追加

ラミネート材料は、ポリエチレンテレフタレート外層５０、随意のナイロン第二層５２、金属ホイル第三層５４、及びポリプロピレン内層５６を含む。 - 特許庁

A diffusion barrier is constituted to have a constricted layer within the layer plane between a first solid electrolytic layer and a second solid electrolytic layer.例文帳に追加

拡散バリアが、第１の固体電解質層と第２の固体電解質層の間の層平面内にくびれ層を有するように構成する。 - 特許庁

A base layer 2 is formed on a surface of an engine 1, and the base layer 2 is covered with the metal foil of a first layer 3 and the metal foil of a second layer 4.例文帳に追加

エンジン１の表面に基層２を形成し、この基層２上に第１層３の金属箔及び第２層４の金属箔で覆う。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes steps of forming a semiconductor layer on an insulated surface, wet-oxidizing the edge of the semiconductor layer to form a first insulation layer, forming a second insulation layer on the semiconductor layer and the first insulation layer, and forming a gate electrode on the semiconductor layer and the first insulation layer via the second insulation layer.例文帳に追加

絶縁表面上に半導体層を形成し、半導体層の端部をウェット酸化して第１の絶縁層を形成し、半導体層上および第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層を介して、半導体層上および第１の絶縁層上にゲート電極を形成する。 - 特許庁

The protective layer 5 comprises a first layer 6 containing a rare earth element and covering the magnet element 3, a second layer 7 having a content of rare earth element lower than that of the first layer 6 and covering the first layer 6, and a metal salt layer 8 covering the second layer 7.例文帳に追加

保護層５は、磁石素体３を覆い希土類元素を含有する第１の層６と、第１の層６を覆い第１の層６よりも希土類元素の含有量が少ない第２の層７と、第２の層７を覆う金属塩層８とを備えている。 - 特許庁

The first electrode layer is provided on the side of the second semiconductor layer opposite to the side on which the first semiconductor layer is provided, and has a metal layer and a plurality of openings penetrating the metal layer along a first direction toward the second semiconductor layer from the first semiconductor layer.例文帳に追加

第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、金属層と、第１半導体層から第２半導体層に向かう第１方向に沿って前記金属層を貫通する複数の開口部と、を有する。 - 特許庁

Structure for a micro-device is fabricated by forming a first layer of sacrifical material, a layer of a structural material over the first sacrifical material layer, a second layer of sacrifical material over the structural material layer, and a protective layer over the second sacrifical material layer.例文帳に追加

マイクロ素子のための構造が、第１の犠牲材料の層，第１の犠牲材料層の上の構造材料の層，構造材料層の上の第２の犠牲材料の層，及び、第２の犠牲材料層の上の保護層、を形成することによって製造される。 - 特許庁

A phase change memory has a structure obtained by sequentially laminating a first polysilicon layer 107, a second polysilicon layer 106, a semiconductor layer 105, a nonvolatile recording material layer 104, a second metal wiring layer 103, and a third metal wiring layer 101, on a first metal wiring layer 102.例文帳に追加

相変化メモリは、第一金属配線層１０２上に、第一ポリシリコン層１０７、第二ポリシリコン層１０６、半導体層１０５、不揮発性記録材料層１０４、第二金属配線層１０３、第三金属配線層１０１を順に積層した構造である。 - 特許庁

In the vicinity of the connection hole where the second conductive layer and the third conductive layer are connected to each other, the third conductive layer does not overlap with the second conductive layer via a first insulation layer, and the end of the third conductive layer is not formed on the first insulation layer.例文帳に追加

第２の導電層及び第３の導電層が接続する接続孔付近において、第３の導電層が第１の絶縁層を介して第２の導電層に重畳せず、第３の導電層の端部が第１の絶縁層上に形成されない。 - 特許庁

The protective layer 4 consists of a hard first protective layer 4a covering the outer face of the information layer 3, a soft second protective layer 4b covering the outer face of the first protective layer 4a, and a hard third protective layer 4c covering the outer face of the second protective layer 4b.例文帳に追加

前記保護層４を、前記情報層３の外面を覆う硬質の第１保護層４ａと、当該第１保護層４ａの外面を覆う軟質の第２保護層４ｂと、当該第２保護層４ｂの外面を覆う硬質の第３保護層４ｃとから構成する。 - 特許庁

The light control layer 22 compensates a difference between the reflection index of an n-type clad layer consisting of the first n-type clad layer 21 and the second n-type clad layer 23 and the reflection index of a p-type clad layer consisting of a first p-type clad layer 25 and a second p-type clad layer 26.例文帳に追加

光コントロール層２２によって、第１ｎ型クラッド層２１と第２ｎ型クラッド層２３からなるｎ型クラッド層の屈折率と、第１ｐ型クラッド層２５と第２ｐ型クラッド層２６からなるｐ型クラッド層の屈折率との差が補償される。 - 特許庁

Behind the informational content, on a second layer, an advertisement is displayed.例文帳に追加

情報コンテンツの後ろの第２のレイヤに広告が表示される。 - 特許庁

Thickness of the second layer is optionally around 0.1-20 μm.例文帳に追加

前記第二層の厚みは、０．１〜２０μｍ程度であってもよい。 - 特許庁

The second layer 21b is joined to the semiconductor region 13.例文帳に追加

第２の層２１ｂが半導体領域１３に接合を成す。 - 特許庁

The second internal chamber 89 is communicated with the air layer chamber 83.例文帳に追加

第２内部室８９は空気層室８３と連通している。 - 特許庁

The outer layer is formed from a second mixture comprising homopolyamide.例文帳に追加

該外層は、ホモポリアミドを含む第２混合物から形成される。 - 特許庁

The second electrode layer has a metal portion and a plurality of openings.例文帳に追加

第２電極層は、金属部と、複数の開口部と、を有する。 - 特許庁

A second electrode is formed on the sacrificial layer and a supporting body.例文帳に追加

第二電極を犠牲層および支持体上に形成する。 - 特許庁

A p-side electrode 6 is provided on the second layer 12.例文帳に追加

第２層１２上にはｐ側電極６が設けられている。 - 特許庁

The third layer 13 contains the second powder as a main component.例文帳に追加

第３の層１３は第２の粉末を主成分として含む。 - 特許庁

A second flat plate 5 is pasted to the rear surface of the electrocast layer 3.例文帳に追加

電鋳層３の背面に第二の平板５を貼り付ける。 - 特許庁

The second gate insulating layer functions as a so-called back gate.例文帳に追加

第２のゲート電極層は、所謂バックゲートとして機能する。 - 特許庁

The primer layer 60 is not formed on a second portion P2.例文帳に追加

また、プライマ層６０は、第２の部分Ｐ２には形成されない。 - 特許庁

A second layer of metal is formed on the backside of the device chip.例文帳に追加

デバイス・チップの背面上に、金属の第２の層を形成する。 - 特許庁

The second layer is composed of solid-liquid mixture having lithium ion conductivity.例文帳に追加

第２の層は、リチウムイオン伝導性の固液混合物からなる。 - 特許庁

The second layer 3 includes a polyvinyl acetate resin and a plasticizer.例文帳に追加

第２の層３は、ポリビニルアセタール樹脂と、可塑剤とを含有する。 - 特許庁

The frame 21 is a part formed at the second conductive layer.例文帳に追加

フレーム２１は第２導体層において成形された部位である。 - 特許庁

A specified pattern 4 is formed in at least the second layer.例文帳に追加

少なくとも前記第2の層に所定のパターン（４）を形成する。 - 特許庁

The face to a non-skin-abutting face side of the second layer is flat.例文帳に追加

第２層１２の非肌当接面側の面は平坦である。 - 特許庁

The second wiring layer 12 has two or more electrodes 19.例文帳に追加

第２の配線層１２は、複数の電極部１９を有する。 - 特許庁

The second semiconductor layer is formed on the surface 103a.例文帳に追加

第２半導体層は、表面１０３ａ上に形成される。 - 特許庁

A buttered layer is attached to a second article formed from a superalloy.例文帳に追加

超合金からなる第二の物品にバタリング層を形成する。 - 特許庁

A second dielectric layer 62 is formed on the semiconductor device substrate.例文帳に追加

半導体デバイス基板上に第２誘電層（６２）を形成する。 - 特許庁

The second layer preferably has an Aska C hardness of 5-50.例文帳に追加

第２の層のアスカーＣ硬度は５〜５０であることが好ましい。 - 特許庁

Preferably, the second dielectric body is a rutile-phase TiO_2 layer.例文帳に追加

好適には、第２誘電体は、ルチル相のＴｉＯ_２層である。 - 特許庁