「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

The second barrier layer 14, which is formed on the first barrier layer 13 by an atomic layer deposition method, is made of a second inorganic material having water vapor barrier properties.例文帳に追加

第２のバリア層１４は、第１のバリア層１３の上に原子層堆積法によって形成され、水蒸気バリア性を有する第２の無機材料からなる。 - 特許庁

The laminate has a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a spacer layer arranged between the first and second magnetic layers.例文帳に追加

前記積層体は、第１の磁性層と、第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に配置されたスペーサ層と、を有する。 - 特許庁

The first polyimide resin corresponding with the first polyimide resin layer and the second polyimide resin corresponding with the second polyimide resin layer intermingle in the mixed polyimide resin layer.例文帳に追加

ポリイミド樹脂混在層では、第１ポリイミド樹脂層と連続する第１ポリイミド樹脂と、第２ポリイミド樹脂層と連続する第２ポリイミド樹脂とが混在する。 - 特許庁

The laminated structure 20 is a three layered structure formed of a first fiber layer 21, a second fiber layer 22 on a compression side, and a second fiber layer 23 on a tension side, for instance.例文帳に追加

積層構造２０は、たとえば第１繊維層２１、圧縮側第２繊維層２２、および、引張側第２繊維層２３を有する３層構造である。 - 特許庁

A second insulating layer is formed on the fin, exposing a top surface of the mask, wherein a protection layer is deposited between the fin and the second insulating layer.例文帳に追加

マスクの上側表面を露出させたまま、フィン上に第２の絶縁層が形成され、フィンと第２の絶縁層との間に保護層が堆積される。 - 特許庁

After the removing step, impurity ions of the second conductivity are irradiated from the top surface side of the first layer and the second layer toward the semiconductor layer 14.例文帳に追加

除去工程後に、第１層及び第２層の上面側から半導体層１４に向かって第２導電型の不純物イオンを照射する。 - 特許庁

The p-type layer (4) and the second n-type layer (5) contact with each other so as to form a hetero interface, and a positive electrode (E1) is formed on the second n-type layer (5).例文帳に追加

ｐ型層（４）と第２のｎ型層（５）とはヘテロ界面をなすように接しており、第２のｎ型層（５）には正電極（Ｅ１）が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element has: a support substrate; a first electrode; a first conductivity type layer; a light emitting layer; a second conductivity type layer; and a second electrode.例文帳に追加

半導体発光素子は、支持基板と、第１電極と、第１導電形層と、発光層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 4 is provided between the first-layer wiring 3 and the second-layer wiring 5, and the second- layer wiring 5 is covered with a protection insulation film 6.例文帳に追加

第１層目配線３と第２層目配線５との間には、層間絶縁膜４が設けられ、第２層目配線５は、保護絶縁膜６で被覆される。 - 特許庁

The third p-type layer is provided between the first p-type layer and the second p-type layer and contains the p-type impurity at a third concentration lower than the second concentration.例文帳に追加

第３ｐ形層は第１ｐ形層と第２ｐ形層との間に設けられ、第２濃度よりも低い第３濃度でｐ形不純物を含む。 - 特許庁

Furthermore, the insulation layer 300 and the second isolation layer 180 are planarized, and the second isolation layer 180a of existing thickness is left on the semiconductor substrate.例文帳に追加

さらに絶縁層３００及び第２遮断層１８０を平坦化し、半導体基板上に既定の厚さの第２遮断層１８０ａを残留させる。 - 特許庁

A first metal layer 1, a first insulating film 6, a second metal layer 2, a second insulating film 7 and an ITO (indium tinanium oxide) layer 3 are successively formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に、第１のメタル層１、第１の絶縁膜６、第２のメタル層２、第２の絶縁膜７、ＩＴＯ層３が順次形成されている。 - 特許庁

A second conductive layer 32 may be provided on the base material, and the dielectric layer 16 may be provided so as to cover at least one part of the second conductive layer.例文帳に追加

基材上に第２の導電層３２を設け、この第２の導電層の少なくとも一部を覆うように誘電体層１６を設けてもよい。 - 特許庁

The shield 13 has a first layer 13A1, a second layer 13A2, a third layer 13B, a first connecting section 13C and a second connecting section 13D.例文帳に追加

シールド１３は、第１層１３Ａ１、第２層１３Ａ２、第３層１３Ｂ、第１の連結部１３Ｃおよび第２の連結部１３Ｄを有している。 - 特許庁

The relation between the total film thickness d1 of the Si film of a first layer and the SiO_x film of a second layer and SiO_x film d2 of the second layer is 0.1≤d2/d1≤0.9.例文帳に追加

第１層のＳｉ膜と第２層のＳｉＯ_x膜との合計膜厚d1と第２層のＳｉＯ_x膜d2との関係が、0.1≦ｄ2/ｄ1≦0.9となるようにする。 - 特許庁

Alternatively, the heat insulating and retaining material is constituted by laminating the first cloth, a first high foamed layer, a synthetic resin film layer, a second foamed layer and the second cloth in this order and bonding them to one another.例文帳に追加

または、第一布帛、第一高発泡層、合成樹脂製フィルム層、第二高発泡層及び第二布帛の順で積層貼合されてなる。 - 特許庁

A diverter layer 39 of second conductive type is disposed on the first base layer so as to be able to discharge a carrier of second conductive type from the first base layer.例文帳に追加

第２導電型のキャリアを第１ベース層から排出することができるように、第１ベース層上に第２導電型のダイバータ層３９が配設される。 - 特許庁

On the upper clad layer 109, a third upper clad layer 111 of the second conduction type having a stripe-like ridge structure 130 and a contact layer 113 of the second conduction type are formed.例文帳に追加

ストライプ状のリッジ構造１３０をなす第２導電型の第三上クラッド層１１１と、第２導電型のコンタクト層１１３とを備える。 - 特許庁

An electrolytic-corrosion preventive layer 13 is arranged between the first and second metal layers 11, 12, and a low-reflective layer 14 is arranged on a surface of the second metal layer 12.例文帳に追加

第一、第二の金属層１１、１２の間に電喰防止層１３を配置し、第二の金属層１２の表面に低反射層１４を配置する。 - 特許庁

A magnetic oscillation element has a first electrode, a second electrode, a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a first spacer layer.例文帳に追加

実施形態によれば、第１電極と第２電極と第１磁性層と第２磁性層と第１スペーサ層とを備えた磁気発振素子が提供される。 - 特許庁

A second diffusion prevention layer 7, a second interlayer insulating film 8, and a cap layer 9 are formed on a semiconductor substrate 2, in which a copper wiring layer 1 is formed.例文帳に追加

銅配線層１が形成された半導体基板２の上に、第２の拡散防止層７、第２の層間絶縁膜８およびキャップ層９を形成する。 - 特許庁

A product of stress applied by the second semiconductor layer 15 to the first semiconductor layer 14 and the thickness of the second semiconductor layer 14 is 0.1 N/cm or less.例文帳に追加

第２の半導体層１５が第１の半導体層１４に加える応力と第２の半導体層１４の厚さとの積は、０．１Ｎ／ｃｍ以下である。 - 特許庁

A first gate electrode, a first gate insulation layer, a semiconductor layer, a second gate insulation layer and a second gate electrode are formed sequentially on a substrate.例文帳に追加

第１ゲート電極、第１ゲート絶縁層、半導体層、第２ゲート絶縁層、および第２ゲート電極が、基板上にこの順で形成されている。 - 特許庁

The upper metal level includes a second stop layer 30, deposited over the embedded stop layer 50 and the first metallization and a second dielectric layer.例文帳に追加

上側金属レベルは埋込みストップ層５０上に堆積された第２のストップ層３０、及び第１の金属化層及び第２の誘電体層を含む。 - 特許庁

The light emitting layer, the second doping semiconductor layer and the second electrode are formed on a part of the first doping semiconductor layer in this order.例文帳に追加

前記発光層と、前記第2型ドーピング半導体層と、前記2電極とは、順次、前記第１型ドーピング半導体層の一部分に形成されている。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, a light-emitting layer, first electrodes, second electrodes, and a supporting substrate.例文帳に追加

実施形態に係る半導体発光素子は、第１半導体層、第２半導体層、発光層、第１電極、第２電極及び支持基板、を備える。 - 特許庁

The coupon portion includes a first insulation layer, a first land, a second insulation layer, a second land, a third insulation layer, a conductive material and a wiring.例文帳に追加

前記クーポン部は、第１の絶縁層と、第１のランドと、第２の絶縁層と、第２のランドと、第３の絶縁層と、導電性材料と、配線とを有する。 - 特許庁

In this method, it is preferable that the metal layer is formed of the first and second metal layers and the conductive layer is removed with the selective etching of the second metal layer.例文帳に追加

金属層は第一、第二金属層から構成し、第二金属層の選択的エッチングにより導電層を除去することがより好ましい。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises a supporting substrate, a first electrode, a first-conductivity-type layer, a light-emitting layer, a second-conductivity-type layer, and a second electrode.例文帳に追加

半導体発光素子は、支持基板と、第１電極と、第１導電形層と、発光層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。 - 特許庁

An outer face of the first sheet body 21 is covered with a second soil layer 32, and an outer face of the second soil layer 32 is covered with a second sheet body 22.例文帳に追加

更に、第１シート体２１の外面は第２土層３２で覆われており、第２土層３２の外面が第２シート体２２によって覆われている。 - 特許庁

A second higher-layer encoding section 112 encodes the second higher-layer video image based on the information D105 and outputs a second encoded stream.例文帳に追加

第２の上位階層符号化部１１２は、情報Ｄ１０５に基づいて、第２の上位階層の映像を符号化して第２の符号化ストリームを出力する。 - 特許庁

A second capacitor structure comprises a second dielectric layer (26) and a second gate layer (28), and is formed so as to be overlaid on the first gate structure.例文帳に追加

第２のコンデンサ構造は、第２の誘電体層（２６）および第２のゲート層（２８）を備え、前記第１のゲート構造上に重なって形成される。 - 特許庁

Further, the outer surface of the first sheet body 21 is covered with a second soil layer 32, and an outer surface of the second soil layer 32 is covered with a second sheet body 22.例文帳に追加

更に、第１シート体２１の外面は第２土層３２で覆われており、第２土層３２の外面が第２シート体２２によって覆われている。 - 特許庁

A second adhesive 19 filling the trenches 17 is formed, and a first cover layer 20 and a second cover layer 21 are stuck via the second adhesive 19.例文帳に追加

このトレンチ１７を充填する第２接着剤１９が形成され、第２接着剤１９を介し第１カバー層２０と第２カバー層２１が貼着される。 - 特許庁

The second ground electrode layer 32 is connected to the first and second ground terminals, and has a region 32A overlapping on the second signal electrode layer 22.例文帳に追加

第２のグランド電極層３２は、第１及び第２のグランド端子と接続され、第２の信号電極層２２と重なる領域３２Ａを有する。 - 特許庁

Further, the third layer 60 has an internal face 64 which forms a second gap section 94 to receive the pressed air together with the second face 42 of the second layer 40.例文帳に追加

さらに、第３の層は、第２の層の第２の面（４２）とともに加圧された空気を受ける第２の空隙部（９４）を形成する内面（６４）を有する。 - 特許庁

Impurity concentration of the second conductivity type of the first polysilicon layer 14a is higher than impurity concentration of the second conductivity type of the second polysilicon layer 14b.例文帳に追加

第１ポリシリコン層１４ａの第２導電型の不純物濃度は、第２ポリシリコン層１４ｂの第２導電型の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

A first organic luminescent layer 6 is provided between the first and second electrodes 3, 4, and a second organic luminescent layer 7 is provided between the second and third electrodes 4, 5.例文帳に追加

第１、第２の電極３、４の間に第１の有機発光層６が、第２、第３の電極４、５間に第２の有機発光層７が設けられている。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has a first negative electrode, a first organic layer, a first positive electrode, a second negative electrode, a second organic layer and a second positive electrode arranged successively.例文帳に追加

そこで、上記問題点を解決するために、有機ＥＬ素子を２つ重ねた有機ＥＬ素子を交流の信号によって駆動する方法が考えられた。 - 特許庁

The gate insulating layer 11 is provided with at least a first insulating layer 7 in contact with the upper surface of the semiconductor layer 6, and a second insulating layer 8 formed on the first insulating layer 7 which has an almost identical form to the semiconductor layer 6.例文帳に追加

ゲート絶縁層１１は少なくとも、半導体層６の上面と接する第１絶縁層７と、第１絶縁層７の上に形成された第２絶縁層８とを有する。 - 特許庁

The magnetic recording medium 100 has a first orientation controlling layer 2, second orientation controlling layer 4, soft magnetic layer 6, nonmagnetic layer 8, recording layer 12 and carbon protective layer 14 on a substrate 1.例文帳に追加

磁気記録媒体１００は、基板１上に、第１配向制御層２、第２配向制御層４、軟磁性層６、非磁性層８、記録層１２及びカーボン保護層１４を備える。 - 特許庁

This test board 1 formed by laminating three substrates comprises a mounting face (first layer) GND solid 8 layer (second layer), an insulating layer (third layer), and a solder face (fourth layer) where a ball grid 7 is formed.例文帳に追加

三枚の基板を積層形成したテストボード１は、実装面（第１層）ＧＮＤベタ８層（第２層）、絶縁層（第３層）、ボールグリッド７が形成されたハンダ面（第４層）からなる。 - 特許庁

A first GaN layer being a channel layer 40, an AlN layer being an electron supply layer 50 and a second GaN layer being a cap layer 60, which are sequentially laminated on a base 20, are arranged.例文帳に追加

下地２０上に順次に積層されたチャネル層４０である第１ＧａＮ層と、電子供給層５０であるＡｌＮ層と、キャップ層６０である第２ＧａＮ層とを備える。 - 特許庁

The layer thickness of the first p-clad layer occupies 50% or more and 80% or less of the total layer thickness of a p-clad layer including the first p-clad layer and the second p-clad layer.例文帳に追加

第１のｐクラッド層と第２のｐクラッド層からなるｐクラッド層全体の層厚のうち第１のｐクラッド層の層厚が占める割合は５０％以上８０％以下である。 - 特許庁

The cathode 50 comes in contact with the organic layer 40 and has a three-layer structure comprising an electron-injection layer 51, a first metal layer 52 and a second metal layer 53 from an organic layer 40 side.例文帳に追加

陰極５０は、有機層４０に接するとともに、有機層４０側から、電子注入層５１、第１金属層５２、第２金属層５３の３層構造をなしている。 - 特許庁