「sensitivity of electron beam resist」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a negative type resist composition for electron beams or X-rays excellent in sensitivity and resolving power even under the condition of a high accelerating voltage and excellent in beam shape reproducibility of a pattern.例文帳に追加

高加速電圧の条件においても、感度、解像力に優れ、且つパターンのビーム形状再現性に優れたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist polymer which has high sensitivity and resolution and causes only a small number of defects and a small degree of line edge roughness upon development, when used for a resist composition in DUV excimer laser lithography or electron beam lithography, its manufacturing process, a resist composition containing the resist polymer and a patterning process using the resist composition.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等においてレジスト用組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、現像時のディフェクトや、ラインエッジラフネスが小さいレジスト用重合体、その製造方法、レジスト用重合体を含むレジスト用組成物、および、このレジスト用組成物を用いたパターン製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition for an electron beam or X-ray having high sensitivity, ensuring improved roughness and excellent in PBD stability and correctitude of mark detection.例文帳に追加

高感度を有し、ラフネスが改善され、ＰＢＤ安定性及びマーク検出適正に優れた電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an electron beam or X-ray resist composition having high sensitivity and high resolving power, excellent in PCD and capable of giving a pattern profile excellent in rectangularity.例文帳に追加

高感度、高解像力を有し、ＰＣＤに優れ、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができる電子線又はＸ線レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a negative type electron beam or X-ray resist composition having high sensitivity and high resolving power, capable of giving pattern profile with superior rectangularity and excellent in PCD and PED stability.例文帳に追加

高感度、高解像力を有し、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができしかもＰＣＤ、ＰＥＤ安定性に優れたネガ型電子線又はＸ線レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

To provide a positive type electron beam or X-ray resist composition having high sensitivity and high resolving power, capable of giving a pattern profile with superior rectangularity and excellent in PBD stability.例文帳に追加

高感度、高解像力を有し、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができしかもＰＢＤ安定性に優れたポジ型電子線又はＸ線レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a negative type resist composition which has superior storage stability for resist liquid and post-exposure temporal stability as well as high sensitivity and high resolving power in pattern formation by irradiation with an electron beam or EUV in microprocessing of a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上及び技術の課題を解決することであり、電子線又はＥＵＶの照射によるパターン形成において、高い感度及び解像度とともに、レジスト液の保存安定性及び引き置き経時安定性に優れたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which satisfies such properties as sensitivity, resolving power, variation of sensitivity and line edge roughness when an electron beam or X-rays is used.例文帳に追加

活性光線又は放射線を使用するミクロファブリケーション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はＸ線の使用に対して感度、解像力性、感度変動率及びラインエッジラフネスの特性を満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of a performance enhancing technique proper to microfabrication using an active ray or radiation, particularly an electron beam or X-ray and to provide a chemically amplified negative resist composition which satisfies such characteristics as sensitivity, resolution and resist shape when an electron beam or X-ray is used.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に電子線又はＸ線を使用するミクロファブリケーション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像性・レジスト形状の特性を満足する化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having sensitivity to a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam and usable in a mix and match step of exposure using at least two exposure light sources selected from a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線に対する感度を有し、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光するミックスアンドマッチ工程に使用できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition having sensitivity to a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam and usable in a mix and match process where exposure is performed using at least two kinds of exposure light sources selected from a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線に対する感度を有し、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光するミックスアンドマッチ工程に使用できるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition highly transparent to a light of a wavelength of at most 250 nm, particularly to an ArF excimer laser light, excellent in resist performances such as sensitivity, resolution, adhesion to a substrate and dry etching resistance, and therefore suitable for the far ultraviolet light excimer laser lithography, an electron beam lithography and the like, and a pattern forming method using the resist composition.例文帳に追加

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、感度、解像度、基板密着性、ドライエッチング耐性といったレジスト性能に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a negative resist composition having high sensitivity and capable of achieving an excellent pattern shape and excellent temporal stability, in pattern formation by irradiation with light such as an electron beam, a method for producing a relief pattern using the negative resist composition, and a method for producing a photomask using the negative resist composition.例文帳に追加

電子線等の光照射によるパターン形成において、高感度、且つ、優れたパターン形状、及び経時安定性を達成可能なネガ型レジスト組成物、及び当該ネガ型レジスト組成物を用いたレリーフパターンの製造方法、及び当該ネガ型レジスト組成物を用いたフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for an electron beam, an X-ray or EUV light simultaneously satisfying requirements for high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, and good line-edge roughness in solving problems associated with performance improving techniques in micro processing of a semiconductor element using the electron beam, the X-ray or the EUV light, and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足する電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problems of a performance improving technique in microfabrication of a semiconductor element with a high energy line, an X-ray, an electron beam or EUV light, and to provide a positive resist composition which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and good line edge roughness.例文帳に追加

高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition capable of forming a chemically amplified negative resist film, which composition is effectively sensitive to EB (electron beam) or EUV (extreme ultraviolet radiation) and excellent in roughness, etching resistance, and sensitivity and which composition stably forms a highly precise fine pattern.例文帳に追加

ＥＢ（電子線）又はＥＵＶ（極紫外線）に有効に感応し、ラフネス、エッチング耐性、及び感度に優れ、高精度な微細パターンを安定して形成することのできる化学増幅型のネガ型レジスト膜を成膜可能な感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a negative type resist composition which satisfies such characteristics as sensitivity, resolution, a rectangular pattern shape and good edge roughness all at once in microfabrication of a semiconductor device using active light or radiation, particularly an electron beam or X-ray.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工において、感度と解像性、矩形なパターン形状、良好なエッジラフネスの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a photosensitive material having high sensitivity to high energy rays such as a far ultraviolet radiation, an electron beam, an X-ray, etc., capable of developing in an alkali aqueous solution, excellent in heat resistance, and useful for a chemical amplification positive type resist material which is suitable for micromachining technology, etc.例文帳に追加

遠紫外線、電子線、Ｘ線などの高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像可能であり、耐熱性に優れかつ微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト材料等に有用な感光性材料を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition capable of improving the performance in minute processing of a semiconductor element using an electron beam, an X ray, a KrF excimer laser beam, or an ArF excimer laser beam, excellent in terms of sensitivity, resolution, focal margin (DOF) performance, LWR, reduction of blur, and reduction of pattern surface roughness; and to provide a pattern-forming method using the same.例文帳に追加

電子線、Ｘ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上であり、感度、解像力、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）性能、ＬＷＲ、裾引き低減、パターン表面荒れの低減に優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using an electron beam, an X-ray or EUV light, and simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution and good line edge roughness particularly when the resist composition is used in the form of an ultrathin film of ≤250 nm.例文帳に追加

電子線、Ｘ線、あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特にレジスト組成物を２５０ｎｍ以下の超薄膜で用いる場合における、高感度、高解像性、良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using an electron beam, X-ray or EUV light and simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness, high contrast, prevention of conversion to a negative resist composition, and surface roughness, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

電子線、Ｘ線、あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、高コントラスト、ネガ化防止、表面ラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using a high energy beam, X-ray, electron beam or EUV light and satisfies high sensitivity, high resolution, good line width roughness and process margin at the same time, and a developer used for the method.例文帳に追加

本発明は、高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なラインウィズスラフネス、プロセスマージンを同時に満足するレジストパターン形成方法及びそれに用いる現像液を提供する。 - 特許庁

To solve the problems of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device and to provide a negative resist composition which simultaneously satisfies such properties as high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and good line edge roughness particularly in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はＸ線を用いた半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To solve the problems of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device and to provide a negative resist composition which satisfies such properties as high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness and few development defects particularly in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はＸ線を用いた半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン形状、ラインエッジラフネス、現像欠陥の特性を満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies sensitivity, resolution, a pattern form, line edge roughness, resist temporal stability, and dry etching resistance, especially in lithography using electron beam, X-ray, or EUV light as a source of exposure light; and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネズ、レジスト経時安定性、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供。 - 特許庁