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shift gateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 364件
This free cell generating circuit is composed of a 53-octet timing counter 2 of 53 cycles for counting the timing of an asynchronous transfer mode(ATM) cell, a gate circuit 4 for generating four kinds of timing signals from the output of 6 bits from the 53-octet timing counter 2, and a shift register 3 for converting the free cell pattern of 8 bits from parallel data to serial data.例文帳に追加
空きセル生成回路は、ATMセルのタイミングカウントを行う53周期の53オクテットタイミングカウンタ2と、53オクテットタイミングカウンタ2の6ビットの出力から4種類のタイミング信号を生成するゲート回路4と、8ビットの空きセルパターンをパラレルデータからシリアルデータに変換するシフトレジスタ3とにより構成する。 - 特許庁
This shift register includes a plurality of stages of a flip-flop circuit each of which includes a clocked inverter, the clocked inverter includes a first transistor and a second transistor which are connected in series, a first compensation circuit including a third transistor and a fourth transistor which are connected in series, and a second compensation circuit including a fifth transistor and a transmission gate.例文帳に追加
シフトレジスタは、クロックドインバータを用いたフリップフロップ回路を複数段有し、クロックドインバータは直列に接続された第1及び第2のトランジスタと、直列に接続された第3及び第4のトランジスタを有する第1の補償回路と、第5のトランジスタ及びトランスミッションゲートを有する第2の補償回路とを有する。 - 特許庁
One or both of the step for forming the gate electrode and the step for forming the opening parts 203a and 203b penetrating the insulating layer are performed in an exposure process using a phase-shift mask or a hologram mask.例文帳に追加
ゲート電極を形成する工程、前記ゲート電極上に絶縁層を形成する工程、絶縁層を貫通する開口部を形成する工程を含み、ゲート電極を形成する工程と絶縁層を貫通する開口部を形成する工程の一方または双方は、位相シフトマスク若しくはホログラムマスクを用いた露光工程で行うことを要旨とする。 - 特許庁
Each transistor for constituting each stage RS (k) of a stage RS (1) to a stage RS (n) (n is a positive integer) which constitutes the shift register is formed of a thin film transistor, and Q50 is made to be a double gate structure.例文帳に追加
シフトレジスタを構成する段RS(1)〜段RS(n)(nは正の整数)の各段RS(k)を構成する各トランジスタを薄膜トランジスタにより形成し、このうちのQ50をダブルゲート構造とし、トップゲート端子TGに、ボトムゲート端子BGに0[V]が印加されたときにドレイン、ソース間に流れるリーク電流を最小限に低減する所定の電圧Vcを印加する。 - 特許庁
One layer is formed by plural times of exposure including high- resolution exposure using plural fine patterns (gate finger parts) and plural phase shift patterns (shifters) which are respectively arranged on both sides in the fine line width direction of the fine patterns and negate the interference of light by the phase difference of the light passing the same and ordinary exposure exclusive of the fine pattern points.例文帳に追加
複数の微細パターン(ゲートフィンガ部)と、当該微細パターンの微細線幅方向両側にそれぞれ配置され、透過する光の位相差により光の干渉を打ち消す複数の位相シフトパターン(シフタ)と用いた高解像度露光と、微細パターン箇所以外の通常露光とを含む複数回露光により一つの層を形成する。 - 特許庁
When a threshold voltage of a memory cell is shifted by detrap of a trap charge trapped by a tunnel insulating film below a floating gate due to degradation of the tunnel insulating film, an amount of a reference current used during verifying or readout is adjusted so that its threshold voltage shift is compensated, and the verifying voltage level or the readout voltage level is adjusted equivalently.例文帳に追加
トンネル絶縁膜の劣化によりフローティングゲート下のトンネル絶縁膜にトラップされたトラップ電荷がデトラップして、メモリセルのしきい値電圧がシフトする際、そのしきい値電圧シフトを補償するように、ベリファイ時または読出時に用いられるリファレンス電流量を調整して、ベリファイ電圧レベルまたは読出電圧レベルを等価的に調整する。 - 特許庁
An output current from an FET1 is converted into voltage by a resistor R1 and the voltage is fed back to the gate terminals of the FET1 and an FET2 through a source follower circuit consisting of the level shift circuits of n cascade connection diodes D1 to Dn and an FET4 and an output current is extracted from the drain terminal of the FET2.例文帳に追加
FET1の出力電流を抵抗Rlにより電圧変換し、その電圧をFET3、n個の縦続接続ダイオードD1〜Dnのレベルシフト回路、およびFET4からなるソースフォロア回路を介して、FET1およびFET2のゲート端子にフィードバックし、FET2のドレイン端子から出力電流を取り出す。 - 特許庁
The bidirectional unit shift register is equipped with: a transistor Q1 between a clock terminal CK and an output terminal OUT; a transistor Q2 for discharging the output terminal OUT; and transistors Q3, Q4 for respectively supplying first and second voltage signals Vn, Vr complementary to each other to a first node which is a gate node of the transistor Q1.例文帳に追加
双方向単位シフトレジスタは、クロック端子CKと出力端子OUTとの間のトランジスタQ1と、出力端子OUTを放電するトランジスタQ2と、トランジスタQ1のゲートノードである第1ノードに対し互いに相補な第1および第2電圧信号Vn、Vrをそれぞれ供給するトランジスタQ3,Q4とを備える。 - 特許庁
To provide a shift register circuit which is constituted by using field effect transistors and in which malfunction and an operation characteristic can be improved by suppressing variation of a transistor characteristic caused by a time integration value of a signal level applied to a gate electrode, its drive control method, a display driving device, and a readout driving device.例文帳に追加
電界効果トランジスタを用いて構成されるシフトレジスタ回路において、ゲート電極に印加される信号レベルの時間積分値に起因するトランジスタ特性の変動を抑制して、誤動作や動作特性の改善を図ることができるシフトレジスタ回路及びその駆動制御方法並びに表示駆動装置、読取駆動装置を提供する。 - 特許庁
A phase shifter 21 is extended in such a manner that a shifter pattern image 121 produced by illuminating the Levenson phase shift mask having the phase shifter 21 formed thereon and a trim pattern image 131 produced by illuminating a trim mask having a trim pattern 31 formed thereon do not overlap with each other at a position extended in a direction distancing from a gate electrode 11a.例文帳に追加
位相シフタ21が形成されたレベンソン位相シフトマスクが照明されることで生ずるシフタパターン像121と、トリムパターン31が形成されたトリムマスクが照明されることで生ずるトリムパターン像131とが、ゲート電極11aから離れる方向へ延長する位置にて互いに重ならないように、その位相シフタ21を延長する。 - 特許庁
The control circuit has a sub charge pump circuit that is connected to the input end at one end and connected to a second output end at the other end and converts the voltage level of the input voltage so as to output the voltage to the second output end, and a level shift circuit for switching whether to allow conduction between the second output end and at least one gate of the plurality of main transistors.例文帳に追加
前記制御回路は、一端で前記入力端に接続され、他端で第2出力端に接続され、前記入力電圧の電圧レベルを変換して前記第2出力端に出力する、サブチャージポンプ回路と、前記第2出力端と、前記複数のメイントランジスタのうちの少なくとも一つのゲートとの間を導通させるか否かを切り替える、レベルシフト回路とを備えている。 - 特許庁
Print data DATA in one line are serially sequentially transferred to a shift register based on a clock signal CLK, and converted into parallel data, and outputted through a latch circuit to a gate circuit based on a latch signal LATCH, and the logical product of this signal and a strobe signal STB is calculated, and the heating resistor of a thermal head is driven based on the calculated logical product signal.例文帳に追加
1ラインの印刷データDATAがクロック信号CLKに基づいてシリアルに順次シフトレジスタに転送され、そこでパラレルに変換され、ラッチ信号LATCHによってラッチ回路を介してゲート回路に出力されてストローブ信号STBとの論理積が演算され、得られる論理積信号に基づいてサーマルヘッドの発熱抵抗体が駆動される。 - 特許庁
In the power integration circuit having a voltage type single-phase full bridge conversion circuit as a basic unit, the basic unit has a level shift type gate drive circuit, an integrated single-phase multilevel conversion circuit is formed by series connection of basic units, and an integrated three-phase multilevel conversion circuit is formed by three parallel connections of basic units 1 and three parallel connections of series connection basic units.例文帳に追加
電圧形単相フルブリッジ変換回路を基本ユニットとしたパワー集積化回路であって、前記基本ユニットはレベルシフト型ゲートドライブ回路を備え、前記基本ユニットの直列接続により集積化単相マルチレベル変換回路を形成し、基本ユニットの3並列接続および直列接続基本ユニットの3並列接続により集積化3相マルチレベル変換回路が形成される。 - 特許庁
In this driving circuit for display, an output control block 37 which controls the outputting of ON signals from bi-directional shift registers 33 to 36 to respective scanning lines so as to output scanning signals en bloc to the respective scanning signal lines based on a gate control signal GCNT1 for shifting the outputting of the ON signals to the respective scanning lines from a sequential outputting to a batch outputting.例文帳に追加
各走査信号線へのON信号の出力を順次出力から一括出力に移行するためのゲート制御信号GCNT1 に基づいて、複数の走査信号線に対し、一括して表示用走査信号を出力するように双方向シフトレジスタ部33〜36から各走査信号線へのON信号の出力を制御する出力制御ブロック37を設ける。 - 特許庁
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