| 例文 |
shift gateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 364件
Only one piece of shift register is arranged in a gate line drive circuit 33 and three kinds of control signals are generated for controlling the pixel circuits 5 by a shift pulse which is an output of the shift register, therefore, the constitution of the gate line drive circuit 33 is simplified, and the power consumption and the frame area of the array substrate are reduced.例文帳に追加
ゲート線駆動回路33内に1個だけシフトレジスタを設け、このシフトレジスタの出力であるシフトパルスから画素回路5を制御するための3種類の制御信号を生成するようにしたため、ゲート線駆動回路33の構成を簡略化でき、消費電力を低減できるとともに、アレイ基板の額縁面積を削減できる。 - 特許庁
That is, deterioration of the margin to the back-gate voltage is restrained by prescribing average film thickness so that shift of back-gate voltage dependency is in a small range to relative film thickness variation, or by prescribing film thickness variation also in average film thickness wherein shift of back gate voltage dependency is large to relative film thickness variation.例文帳に追加
つまり、相対膜厚変化に対してバックゲート電圧依存性のシフトが小さい範囲となるように、平均膜厚を規定するか、あるいは相対膜厚変化に対してバックゲート電圧依存性のシフトが大きい平均膜厚においても、膜厚変動を規定することによってバックゲート電圧に対するマージンの劣化を抑制する。 - 特許庁
As for an initial stage of the shift register, the area netA is charged based on a first gate start pulse signal given from the outside, and for a final stage of the shift register, the area netA is charged based on a second gate start pulse signal given from the outside.例文帳に追加
シフトレジスタの初段については、外部から与えられる第1のゲートスタートパルス信号に基づいて領域netAが充電され、シフトレジスタの最終段については外部から与えられる第2のゲートスタートパルス信号に基づいて領域netAが充電される。 - 特許庁
In accordance with the phase shift amount determined by a phase shift amount determination unit 14 on the basis of output from the initial value setting unit 12 or the correction unit 13, a delay unit 15 delays the source gate signal and outputs a gate signal for gating the data strobe signal DQS.例文帳に追加
初期値設定部12または補正部13からの出力にもとづいて移相量決定部14が決定した移相量に合わせて、遅延部15が、原ゲート信号を遅延させて、データストローブ信号DQSをゲーティングするためのゲート信号を出力する。 - 特許庁
In the shift device of vehicle, a shift gate 21 is provided with a first gate 21a having width larger than the outer diameter of a cylindrical part 11b of a knob 11, and second and third gates 21b, 21c having width smaller than the outer diameter of the cylindrical part 11 and larger than the outer diameter of a rod 10.例文帳に追加
この車両のシフト装置では、シフトゲート21に、ノブ11の円筒部11bの外径よりも大きな幅を有する第1のゲート21aと、円筒部11bの外径よりも小さくて且つ、ロッド10の外径よりも大きい幅を有する第2及び第3のゲート21b,21cとを設ける。 - 特許庁
A shift gate is provided alternately while sandwiching a shift gate for each two pixels adjacent to each other of photo diodes laid out linearly and switching of an ordinary mode of electric charge reading for each pixel and a mode where electric charges of the two pixels adjacent to each other are composed and read is performed by having only to change a drive pulse.例文帳に追加
1次元状に配されたフォトダイオードの隣接する2画素毎にシフトゲートを受光部を挟んで交互に設けることにより、通常の1画素毎の電荷読み出しモードと、隣接2画素の信号電荷を合成して読み出すモードを駆動パルスの変更のみで行う。 - 特許庁
A driving circuit 22 is connected between an interconnecting point of the first and second level shift FETs 25, 26 and a gate of the main switching element 20.例文帳に追加
第1及び第2のレベルシフト用FET25,26の相互接続点と主スイッチング素子20のゲートとの間に駆動回路22を接続する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing negative shift of a threshold value due to thermal treatment to activate its gate electrode.例文帳に追加
ゲート電極を活性化するために熱処理をしても閾値の負側へのシフトを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A gate array 43 performs operation by means of hardware according to an FPGA data module stored in an FPGA data memory specified in a shift register 40.例文帳に追加
ゲートアレイ43は、シフトレジスタ40に指定されたFPGAデータメモリに記憶されたFPGAデータモジュールに従ってハードウェア的に演算を行う。 - 特許庁
An output circuit comprises a high-side transistor 13, a low-side transistor 14, a gate protecting circuit 10, a level shift circuit 8, and a predriver circuit 7.例文帳に追加
出力回路は、ハイサイドトランジスタ13と、ローサイドトランジスタ14と、ゲート保護回路10と、レベルシフト回路8と、プリドライバ回路7とを備える。 - 特許庁
A gate portion 13 is provided on the base bracket 10, which receives a load in a lateral direction by regulating tilting in the lateral direction of the shift lever 30.例文帳に追加
ベースブラケット10にシフトレバー30の横方向の傾動を規制することによりその横方向の荷重を受け止めるゲート部13を設ける。 - 特許庁
To realize a driving circuit of a liquid crystal display device, which prevents shift of a threshold voltage in an output transistor in a register circuit which a shift register constituting a gate driver for driving the liquid crystal display device has.例文帳に追加
液晶表示装置を駆動するゲートドライバを構成するシフトレジスタが有するレジスタ回路内の出力トランジスタにおいて、閾値電圧のシフトを防止することができる液晶表示装置の駆動回路を実現する。 - 特許庁
The signal line driving circuit 2 has a shift register 22 for controlling the gate voltage of respective analog switches 21 and a differentiating circuit 23 connected to the respective output terminals of the shift register 22.例文帳に追加
信号線駆動回路2は、各信号線に接続されるアナログスイッチ21と、各アナログスイッチ21のゲート電圧を制御するシフトレジスタ22と、シフトレジスタ22の各出力端子に接続される微分回路23とを有する。 - 特許庁
The shift register unit is equipped with the drive unit 6 and pull-down unit, so the shift register unit guarantees that the output gate drive signal is stably held at the low level when the low-level needs to be output.例文帳に追加
シフト・レジスタユニットには、駆動ユニット6及びプルダウンユニットが備えられているので、シフト・レジスタユニットは、ローレベルを出力する必要がある時に、出力したゲート駆動信号がローレベルに安定に保持されるのを保証できる。 - 特許庁
To provide a shift register which is prevented from outputting an unnecessary driving pulse by restraining a fluctuation in a gate voltage of an output transistor due to a clock, and to provide a liquid crystal driver using the shift register.例文帳に追加
クロックによる出力トランジスタのゲート電圧の変動を抑止し、シフトレジスタから不必要な駆動パルスの出力を防止させることができるシフトレジスタ、またこのシフトレジスタを用いた液晶ドライバを提供する。 - 特許庁
In the driving mode switch device 1 having the shift lever 5 which protrudes from a shift gate 3a opening at the finisher 3 and switches a plurality of drive modes by rotating, a shape of the finisher 3 is made to be a curved surface shape and curvature of the finisher 3 is set to curvature of rotary trajectory of the shift lever 5 or larger.例文帳に追加
フィニッシャ3に開口したシフトゲート3aから突出し、回動により複数の走行モードを切換可能なシフトレバー5を有する走行モード切換装置1において、フィニッシャ3の形状を曲面状とし、フィニッシャ3の曲率を、シフトレバー5の回動軌跡の曲率以上に設定した。 - 特許庁
A gate driver comprises [N+2] cascade-connected stages (N: a positive number of ≥2) of shift registers configured to output signals sequentially such that an [n]th shift register (1≤n≤N) is reset by an [n+2]th output signal of an [n+2]th shift register which is two stages behind.例文帳に追加
本発明のゲートドライバは、順次に出力信号を出力する[N+2]段(Nは2以上の正数)のシフトレジスタをカスケード接続して構成され、第[n]段目のシフトレジスタ(nは、1≦n≦N)は、2つ後段である第[n+2]段目のシフトレジスタの第[n+2]出力信号によりリセットされる。 - 特許庁
The vibration is reduced and touch noise is suppressed by forming a gate member 36 from synthetic resin to form a fixing part of the gate mechanism 35, the select direction regulating mechanism 61 and the shift direction regulating mechanisms.例文帳に追加
そして、それらゲート機構35、セレクト方向規制機構61およびシフト方向規制機構の固定部を形成するゲート部材36を、合成樹脂製とすることにより、振動を低減し、当接音を抑制する。 - 特許庁
A switch contact part 145 being a part of the back-up lamp switch 144 is engaged with a gate channel 110 of the gate plate 109 to regulate travel in the select direction of the shift select lever 103 at each gear stage.例文帳に追加
バックアップランプスイッチ144の一部分であるスイッチ接触部145がゲートプレート109のゲート溝110に係合することで、各変速段におけるシフトセレクトレバー103のセレクト方向の移動を規制する。 - 特許庁
A clock signal and a start pulse which has fixed width, is synchronized with the clock signal and shifted by a gate driver 1 or a source driver 2 as shift data are inputted into the gate driver 1 and the source driver 2 at a fixed period.例文帳に追加
ゲートドライバ1およびソースドライバ2には、クロック信号と、一定の幅を有し、シフトデータとしてクロック信号に同期してゲートドライバ1あるいはソースドライバ2でシフトされるスタートパルスとが、一定の周期で入力される。 - 特許庁
The charge transfer register 47 is configured to receive charges from the array of photosensitive elements 41, via the transfer gate 44, and to shift the charges out of the charge transfer register.例文帳に追加
電荷転送レジスタ(47)は、転送ゲート(44)を介して、光電性素子(41)のアレイから電荷を受け取って電荷を移送するように構成される。 - 特許庁
To effectively prevent characteristic deterioration due to a pattern shift in gate formation while suppressing increase in cell area, and to reduce resistance in a power supply voltage feeder line.例文帳に追加
セル面積増大を抑制しつつゲート形成時のパターンずれによる特性低化を有効に防止し、さらに電源電圧供給線を低抵抗化する。 - 特許庁
To increase a writing margin in relation to data writing of a next cycle at the time of the shift to a non-selection state of a selection gate line of an active matrix type display device.例文帳に追加
アクティブマトリクス型表示装置において、選択ゲート線の非選択状態移行時次のサイクルのデータ書込に対する書込マージンを大きくする。 - 特許庁
A gate line driver circuit 30 is driven by clock signals CLK1-CLK3 having different phases, and includes cascade-connected plural unit shift registers SR.例文帳に追加
ゲート線駆動回路30は、それぞれ位相の異なるクロック信号CLK1〜CLK3により駆動され、縦続接続した複数の単位シフトレジスタSRを含む。 - 特許庁
In order to maintain a balanced DC operation level in the gate circuit, a level shift element, e.g. a diode, is connected to one of the TRs in the differential pair.例文帳に追加
このゲート回路では、平衡DC動作レベルを維持するために、レベル・シフト素子、例えば、ダイオードを差動対内のトランジスタの一方に接続する。 - 特許庁
The first signal output end outputs a gate drive signal, and the second signal output end provides a control signal for a next adjacent shift register unit.例文帳に追加
第1の信号出力端はゲート駆動信号を出力し、第2の信号出力端は隣接する次のシフト・レジスタユニットに制御信号を提供する。 - 特許庁
A switching transistor 22 is connected between a grounding point VG and the output of the negative voltage charge pump 4 and the gate of the transistor 22 is connected to a level shift circuit 23.例文帳に追加
スイッチングトランジスタ22は、接地点V_Gと負電圧チャージポンプ4の出力側との間に接続されると共に、ゲートがレベルシフト回路23に接続される。 - 特許庁
A gate driver 100 is equipped with a shift register circuit 1 having g pieces of latch circuits 21 to 2 g, g pieces of selector circuits 8, and g pieces of level shifter circuits 3.例文帳に追加
ゲートドライバ100は、g個のラッチ回路21〜2gを備えたシフトレジスタ回路1と、g個の選択回路8と、g個のレベルシフタ回路3と、を備える。 - 特許庁
In a gate driver chip 210 of a liquid crystal display device, a shift register 212 sequentially shifts and outputs a high level data value in response to a carry signal.例文帳に追加
液晶表示装置のゲート駆動チップ210において、シフトレジスタ212は、キャリー信号に応答してハイレベルのデータ値を順次にシフトさせて出力する。 - 特許庁
Then, the output signals of the NOR gates 41 (1 to 8) are supplied to the NOR gate 42, and the output signals thereof are reversed to trigger the shift register 44 of two stages.例文帳に追加
そして、NORゲート41(1〜8)の出力信号をNORゲート42に与え、その出力信号を反転して2段のシフトレジスタ44をトリガする。 - 特許庁
To easily realize a semiconductor device, having a full silicide gate electrode with little shift in the threshold voltage, in a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置の製造方法に関し、閾値電圧のシフトが少ないフルシリサイドゲート電極をもつ半導体装置を容易に実現できるようにする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a high permittivity gate insulating film which can restrain shift and hysteresis of a flat band voltage, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加
フラットバンド電圧のシフトやヒステリシスを抑制することができる高誘電率ゲート絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A CCD30 comprises a plurality of light receiving elements 50, a field shift gate 51, first and second buffer memories 52, 53, a vertical transmission path 54, and a horizontal transmission path 56.例文帳に追加
CCD30は、複数の受光素子50、フィールドシフトゲート51、第1及び第2バッファメモリ52,53、垂直転送路54、水平転送路56からなる。 - 特許庁
To effectively prevent characteristic deterioration due to a pattern shift in gate formation while suppressing an increase in a cell area, and to reduce resistance in a power supply voltage feeder.例文帳に追加
セル面積増大を抑制しつつゲート形成時のパターンずれによる特性低化を有効に防止し、さらに電源電圧供給線を低抵抗化する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which effectively prevents characteristic deterioration due to a pattern shift in gate formation while suppressing increase in cell area, and reduces resistance in a power voltage supply line.例文帳に追加
セル面積増大を抑制しつつゲート形成時のパターンずれによる特性低化を有効に防止し、さらに電源電圧供給線を低抵抗化する。 - 特許庁
To provide a display device capable of suppressing the occurrence of malfunction caused by a change in characteristics of a thin-film transistor in a shift register constituting a gate driver.例文帳に追加
ゲートドライバを構成するシフトレジスタ内の薄膜トランジスタの特性の変化に起因する誤動作の発生を抑止することのできる表示装置を実現する。 - 特許庁
The inspection signal is a signal similar to an actual signal supplied to the shift register to drive a gate line, and a vertical synchronism start signal supplied to the starting stage of the shift register, two clocks supplied to odd-numbered stages and even-numbered stages, and a gate-OFF signal supplied to all the stages.例文帳に追加
検査信号は、ゲート線を駆動するためにシフトレジスタに供給する実際の信号と同様な信号であり、シフトレジスタの最初の段に供給する垂直同期開始信号、奇数段及び偶数段にそれぞれ供給する2つのクロック、及び全ての段に供給するゲートオフ信号である。 - 特許庁
The arrangement of the lock solenoid 40 in a space between a gate block 20 for regulating the operation range of the shift lever 2 and a base plate 4d that is a lower plate of the shift device 1 makes the illicit attack such as unlocking from the outside especially difficult.例文帳に追加
シフトレバー2の操作範囲を規定するゲートブロック20と、シフト装置1の下部板であるベースプレート4dとの間のスペースにロックソレノイド40を配置することで、外部からのロック解除等の不正なアタックを極めて困難にする。 - 特許庁
A semiconductor device is provided, in which a signal is inputted to a gate electrode of a transistor easy to deteriorate, through a turned-on transistor, to suppress a shift of a threshold voltage of the transistor easy to deteriorate and a shift of a threshold voltage of the turned-on transistor.例文帳に追加
劣化しやすいトランジスタのゲート電極に、オンしたトランジスタを介して信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのしきい値電圧のシフト及びオンしたトランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制するものである。 - 特許庁
To provide a gate drive circuit used for a GaN bidirectional switch having a double gate, in which shift to a reverse blocking mode (first mode or second mode) enabling conduction in only one or only the another out of the bidirections is speeded up.例文帳に追加
ダブルゲートを有したGaN双方向スイッチに使用されるゲート駆動回路において、何れか一方向にのみ通電可能な逆阻止モード(第一モードおよび第二モード)への移行の高速化を図ることを目的とする。 - 特許庁
Various timing signals are created by a gate output shift clock creation circuit 236, a gate output on/off timing creation circuit 237 and a source output on/off timing creation circuit 237 by using the holding value of the holding part 235.例文帳に追加
保持部235の保持値を用いてゲート出力シフトクロック作成回路236、ゲート出力on/offタイミング作成回路237、ソース出力on/offタイミング作成回路237によって各種のタイミング信号が作成される。 - 特許庁
For controlling a light emitting element in a light emitting part by a switching element in the shift part, the gate of the corresponding switching element T and the gate of the light emitting element L are connected with each other, and they are connected with a power source line via a load resistor RL.例文帳に追加
シフト部のスイッチ素子1個が、発光部の発光素子1個を制御するために、対応するスイッチ素子Tのゲートと発光素子Lのゲートとが相互接続され、負荷抵抗R_L を介して電源ラインに接続される。 - 特許庁
The level shift circuit 1 includes a D latch 70 that holds the logic level of the level shift signal A immediately before abnormal operation detection and generates and outputs the output signal OUT at a voltage level corresponding to the held logic level, when the XOR gate 60 detects the abnormal operation in the level shift circuit 1.例文帳に追加
また、レベルシフト回路1は、XORゲート60によって当該レベルシフト回路1の動作異常が検出されるとき、その動作異常が検出される直前のレベルシフト信号Aの論理レベルを保持し、保持した論理レベルに対応する電圧レベルにて出力信号OUTを生成出力するDラッチ70を備える。 - 特許庁
When a position shift occurs, by collating the data near the doppler obtained by the scanning in the vibrator array direction and the data fetched by mechanical scanning beforehand, the direction of the shift and the amount of the shift are specified, a motor 2 is moved through a motor controller 9, and a gate position is corrected in the mechanical scanning direction.例文帳に追加
位置ずれを起こしたときには、振動子の配列方向の走査で得られるドプラ付近のデータと、あらかじめ機械走査で取り込んでおいたデータをつきあわせることで、ずれの方向と、ずれの量を特定し、モータ制御器9を介して、モータ2を動かし、ゲート位置の機械走査方向の補正を行なう。 - 特許庁
Right-to-left symmetry of the oscillating locus of a change lever 5 is realized by providing a select direction regulating mechanism 61 to regulate the movement to an advancing shift lane on the other end side in the select direction together with a gate mechanism 35 to regulate the movement of the change lever 5 to a retracting shift lane from the advancing shift lane on one end side of the select direction.例文帳に追加
セレクト方向一端側の前進用シフトレーンから後退用シフトレーンへのチェンジレバー5の移動を規制するゲート機構35とともに、セレクト方向他端側の前進シフトレーンへの移動を規制するセレクト方向規制機構61を設けることで、チェンジレバー5の揺動軌跡の左右対称化を図る。 - 特許庁
To provide a semiconductor device where the fluctuations in the current characteristics are suppressed by using a phase shift mask, especially, a Levenson mask for gate electrode working, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加
ゲート電極加工に位相シフトマスク、特にレベンソンマスクを用い、電流特性の変動を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The semiconductor integrated circuit has a high breakdown voltage output circuit having a push-pull circuit consisting of a high-side transistor and a low-side transistor, a level shift circuit and a gate protective circuit.例文帳に追加
半導体集積回路は、ハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタよりなるプッシュプル回路と、レベルシフト回路と、ゲート保護回路とを有する高耐圧出力回路を備える。 - 特許庁
When the gate pulse is turned off, a level shift voltage ΔV=(Cgs)/(Cgs+Clc+Cs) is generated as a pixel electrode potential, where Clc is pixel capacity, Cs is auxiliary capacity, Cgs is parasitic capacity.例文帳に追加
画素容量をClcとし、補助容量をCsとし、寄生容量をCgsとすると、ゲートパルスがオフするときに、画素電極電位にレベルシフト電圧ΔV=(Cgs)/(Cgs+Clc+Cs)が生じる。 - 特許庁
The exclusive logic sum gate circuit 14 performs exclusive logic sum computation between the content of the operation result of the CRC coder 3 and the content of the second shift register 12.例文帳に追加
排他的論理和ゲート回路4は、CRC符号器3の演算結果の内容と第2シフトレジスタ12の内容との間で排他的論理和計算を行なう。 - 特許庁
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