「stacking faults」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a group III nitride semiconductor substrate, by which it is possible to produce a large size group III nitride semiconductor substrate having few stacking faults.例文帳に追加

積層欠陥が少なくて大型のIII族窒化物半導体基板を製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing epitaxial silicon wafers whereby the number of stacking faults of an epitaxial layer can sufficiently be decreased.例文帳に追加

エピタキシャル層の積層欠陥の数を十分に減少させることができるエピタキシャルシリコンウェハの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The stacking fault area is enlarged by current energization and the silicon carbide bipolar semiconductor device of the increased forward voltage is heated at a temperature of 350°C or more to recover stacking faults.例文帳に追加

電流通電により積層欠陥面積が拡大し、順方向電圧が増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置を３５０℃以上の温度で加熱し、積層欠陥回復させる。 - 特許庁

To prevent the growth of stacking faults in an epitaxial layer stacked on a silicon carbide substrate in a silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置において、炭化珪素基板上に積層したエピタキシャル層中で積層欠陥が成長するのを防ぐこと。 - 特許庁

This silicon carbide single crystal 1 comprises an assembly 2 of screw dislocations, the stacking faults 3 and edge dislocations 4 and is obtained by dividing the assembly 2 of the screw dislocations into sections in the direction of the axis (extending the dislocation lines) of the screw dislocations with the stacking faults 3 or the edge dislocations 4.例文帳に追加

らせん転位の集合体２、積層欠陥３、及び刃状転位４が含まれ、らせん転位の集合体２が積層欠陥３若しくは刃状転位４によって、らせん転位の軸（転位線を伸長する）方向に分断された炭化珪素単結晶１とする。 - 特許庁

To provide a method for suppressing the formation of flat surface defects, such as stacking faults and microtwins in a relaxed SiGe alloy layer.例文帳に追加

緩和ＳｉＧｅ合金層において、積層欠陥およびマイクロツイン等の平面欠陥の形成を抑えるための方法を提供すること。 - 特許庁

By filling up the groove 12 with a silicon oxide film 5, a fault stop region 10 which stops the growth of stacking faults is formed.例文帳に追加

この溝１２を酸化珪素膜５で埋め込むことによって、積層欠陥の成長を停止させる欠陥停止領域１０を形成する。 - 特許庁

Consequently, the number of LPDs (Light Point Defects) (due to SFs(Stacking Faults)) generated on the top surface of the epitaxial silicon wafer owing to the SFs can be greatly decreased.例文帳に追加

これにより、ＳＦに起因してエピタキシャルシリコンウェーハの表面に生じるＬＰＤ（ＳＦに起因して生じる）の個数を大幅に低減することができる。 - 特許庁

In such heat treatment, occurrence of stacking faults induced by oxidation is completely prevented without performing heat treatment at high temperature or for a long period.例文帳に追加

この様な熱処理では、高温または長時間の熱処理を行わなくても酸化誘起積層欠陥の発生を完全に防止することができる。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal, which can grow a single crystal of a non-faulty region where there is no OSF (oxidation-induced stacking faults) and grown-in faults over the whole diameter direction region, in a high yield and stably.例文帳に追加

径方向全域にわたりＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）およびｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない無欠陥領域の単結晶を歩留り良く安定して育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

Crystal growth is carried out under such a condition that the center part of the crystal becomes a region free from defects, a region where stacking faults caused by oxidation are formed or a region where infrared scattering defects are formed.例文帳に追加

結晶中心部が無欠陥領域、酸化誘起積層欠陥発生領域又は赤外散乱欠陥発生領域となる条件で結晶育成を行う。 - 特許庁

To provide a method for heat treating a silicon single-crystal wafer, which suppresses generation of oxidation-induced stacking faults in the device- forming active layer and makes the oxygen precipitation density uniform inside the wafer.例文帳に追加

デバイス活性層での酸化誘起積層欠陥を抑制し、また酸素析出密度をウェーハ面内で均一にしたシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法に関する。 - 特許庁

To provide a method of heat treatment of a silicon wafer with which occurrence of stacking faults induced by oxidation is completely prevented without performing heat treatment at high temperature or for a long period.例文帳に追加

高温または長時間の熱処理を行わなくても酸化誘起積層欠陥の発生を完全に防止することができるシリコン基板の熱処理方法を提供する。 - 特許庁

An SiC single crystal epitaxial substrate containing a very small amount of stacking faults and having excellent surface morphology can be obtained by using such a silicon carbide single crystal substrate for growing the thin film.例文帳に追加

当該成長用炭化珪素単結晶基板を用いることによって、積層欠陥が非常に少なく、表面モフォロジーの優れたＳｉＣ単結晶エピタキシャル基板が得られる。 - 特許庁

To provide a method for easily manufacturing a high-quality silicon wafer which has a high gettering capability and is extremely few in SFs (Stacking Faults) adversely affecting device characteristics with high productivity at a low cost on an epitaxial layer.例文帳に追加

高いゲッタリング能力を有し、かつデバイス特性に悪影響を及ぼすＳＦがエピタキシャル層上に極めて少ない高品質のエピタキシャルウエーハを高生産性かつ低コストで容易に製造する。 - 特許庁

When the anisotropic etching is applied, OSF (oxidation-induced stacking faults) of OSF density 2×10^4 pieces/cm^2 or more and the OSF length 2 μm or more is made to exist on the rear surface of the Si substrate 1.例文帳に追加

異方性エッチングを行う際、Ｓｉ基板１の裏面に、ＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）をＯＳＦ密度２×１０^4個／ｃｍ^2以上、かつＯＳＦ長さを２μｍ以上で存在させておく。 - 特許庁

Since the outer diameter of the bottom side ingot is made larger than the outer diameter of the top side ingot, OSF (oxidation-induced stacking faults) generating in an outer peripheral part of the ingot can be enclosed in a region outside the outer diameter of the bottom ingot after cutting the ingot.例文帳に追加

ボトム側インゴットの外径をトップ側インゴットの外径より大きくしたので、その外周部に発生するＯＳＦをボトム側インゴットの切削後の外径より外側に納めることができる。 - 特許庁

In this method for growing a silicon single crystal by CZ method, the characteristic comprises doping the single crystal with nitrogen so that oxidation- induced stacking faults are generated on the whole surface of the wafer or so that the wafer surface comprises the oxidation-induced stacking faults, oxygen-depositing areas and, if necessary, further oxygen deposit-controlling areas, when a high temperature oxidation treatment is applied.例文帳に追加

(1) ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する方法において、高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ全面に酸化誘起積層欠陥が発生するように、またはウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥および酸素析出領域、若しくはこれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなるように単結晶中に窒素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法である。 - 特許庁

The silicon wafer is cut out from the silicon single crystal grown by the CZ method and doped with the nitrogen, and generates the oxidation-induced stacking faults in a density of ≥103/cm2 on the surface, when a high temperature oxidation treatment is applied.例文帳に追加

(2) ＣＺ法によって窒素をドープして育成されたシリコン単結晶から切り出され、高温酸化処理を施した場合にその表面に10^3/cm^2以上の酸化誘起積層欠陥が発生するシリコンウェーハである。 - 特許庁

Whisker-like crystalline silicon grows while forming a twin crystal (introducing stacking faults), and an initial nucleus is arranged so that the normal direction <111> of the twin crystal plane is always included in the plane perpendicular to the growth direction of whisker-like crystalline silicon and in the perpendicular plane (in a transverse cross section).例文帳に追加

ウィスカ状結晶性シリコンは、双晶を形成しながら（積層欠陥を導入しながら）成長し、ウィスカ状結晶性シリコン成長方向と垂直な面内（輪切り面内）に双晶面の法線方向＜１１１＞が必ず含まれるように初期核が配置される。 - 特許庁

Since bulk stacking faults c of at least 1×10^3 piece/cm^2 are previously formed in silicon wafers B, C, not only slip b generated at the time of each high temperature thermal treatment in the later wafer manufacturing process, but also expansion to slip b in each high temperature thermal treatment in the device process, can be restrained.例文帳に追加

予めシリコンウェーハＢ、Ｃの内部に１×１０^３個／ｃｍ^２以上のバルク積層欠陥ｃを形成させるので、後のウェーハ製造工程での各高温熱処理時に発生するスリップｂだけでなく、デバイス工程における各高温熱処理中のスリップｂに対する伸長も抑制できる。 - 特許庁

A silicon single crystal having such a property that the oxidation-induced stacking faults generated during high temperature oxidation treatment is ≤1×10^2/cm^2 is obtained by cooling a silicon single crystal at a cooling speed of ≥3.0°C/min within a temperature range of 1,100-900°C after pulling, in a process for pulling and growing the silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶を引上げ育成する工程で、引上げ後の１１００℃から９００℃の温度範囲を３．０℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却して、高温酸化処理時に発生する酸化誘起積層欠陥が１×１０^2／ｃｍ^2以下の性状を有するシリコン単結晶を得る。 - 特許庁