「static random access memory」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL例文帳に追加

スタティック・ランダム・アクセス・メモリセル - 特許庁

SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND TEST METHOD OF SRAM例文帳に追加

ＳＲＡＭ（ＳｔａｔｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、及びＳＲＡＭのテスト方法 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CIRCUIT例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリ回路 - 特許庁

PREFETCH FROM DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY TO STATIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

ダイナミック・ランダムアクセスメモリからスタティック・ランダムアクセスメモリへのプリフェッチ - 特許庁

At least one of the first latch circuit 10 and the second latch circuit 20 is composed of an SRAM (Static Random Access Memory) type.例文帳に追加

第１ラッチ回路１０および第２ラッチ回路２０の少なくとも一方がＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）型で構成される。 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

スタティック・ランダム・アクセスメモリおよび半導体装置 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) CELL AND METHOD FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）セルとその製造方法 - 特許庁

VIRTUAL STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

仮想型スタティックランダムアクセスメモリ装置及びその駆動方法 - 特許庁

To provide a nonvolatile static random access memory cell (SRAM).例文帳に追加

不揮発性のスタティックランダムアクセスメモリセルを提供することである。 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY COMPRISING GLOBAL BIT LINE例文帳に追加

グローバルビット線を有するスタティックランダムアクセスメモリ - 特許庁

METHOD FOR DETERMINING INITIAL STATE OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

スタティック・ランダム・アクセス・メモリの初期状態を決定する方法 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MEASURING METHOD FOR PSEUDO STATIC NOISE MARGIN例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリ、および擬似スタティックノイズマージンの計測方法 - 特許庁

To provide a static random access memory capable of suppressing a decrease in static noise margin.例文帳に追加

スタティックノイズマージンの低下を抑制できるスタティック・ランダム・アクセス・メモリを得ること。 - 特許庁

The memory cell M00 consists of an SRAM (static random access memory) 4 and FeRAMs (ferroelectric RAMs) 5-0 to 5-n.例文帳に追加

メモリセルＭ００は、ＳＲＡＭ４と、ＦｅＲＡＭ５−０〜５−ｎとからなる。 - 特許庁

To simply and inexpensively manufacture a resistor for taking a measure against a soft error in an SRAM (Static Random Access Memory) memory cell.例文帳に追加

ＳＲＡＭメモリセルのソフトエラー対策用の抵抗体を簡単且つ安価に提供する。 - 特許庁

To suppress variation in data writing characteristics of a memory cell in a static random access memory.例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリの、メモリセルのデータの書き込み特性のばらつきを抑制する。 - 特許庁

INVERTER, SEMICONDUCTOR LOGIC CIRCUIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND DATA LATCH CIRCUIT例文帳に追加

インバータ、半導体論理回路、スタティックランダムアクセスメモリ、及びデータラッチ回路 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING HIGH BANDWIDTH AND OCCUPYING SMALL AREA例文帳に追加

高帯域幅を有し且つ小さな領域を占めるスタティックランダムアクセスメモリデバイス - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) using a carbon nanotube (CNT) thin film.例文帳に追加

炭素ナノチューブ（ＣＮＴ：Ｃａｒｂｏｎ ＮａｎｏＴｕｂｅ）薄膜を利用したＳＲＡＭを提供する。 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL OF TWO TRANSISTOR AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

２個トランジスタのスタティックランダムアクセスメモリーセルとその駆動方法 - 特許庁

ASYMMETRICAL STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT HAVING REDUCED BIT LINE LEAKAGE例文帳に追加

ビット・ライン漏洩の少ない非対称静的ランダム・アクセス・メモリ素子 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH NON-VOLATILE DATA HOLDING FUNCTION AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加

不揮発データ保持機能付きスタティック・ランダム・アクセス・メモリ及びその動作方法 - 特許庁

To provide an asymmetrical static random access memory element having reduced bit line leakage.例文帳に追加

ビット・ライン漏洩の少ない非対称静的ランダム・アクセス・メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a static random access memory further stabilized for reading.例文帳に追加

向上した読み取り安定性を有する静的ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

MULTI-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY FOR COLUMN INTERLEAVED ARRAY例文帳に追加

列インタリ—ブド・アレイのためのマルチポ—ト・スタティック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁

A dot area modulation method is used, and each sub-pixel is provided with static random access memory.例文帳に追加

面積階調方式を用い、副画素ごとに、スタティックランダムアクセスメモリを備える。 - 特許庁

To attain sure maintenance of stored data in an SRAM (Static Random Access Memory) by preventing the stored data from being destructed by a latch-up phenomenon even when a soft error occurs due to a neutron.例文帳に追加

ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）において、中性子によるソフトエラーが発生した場合であってもラッチアップ現象によって記憶データが破壊されることを防止して、記憶データを確実に維持できるようにする。 - 特許庁

To provide a static random access memory with a non-volatile data holding function and its operating method, where a static random access memory is made to have the non-volatile data holding function so as to be further reduced in power consumption and manufacturing cost.例文帳に追加

不揮発データ保持機能付きスタティック・ランダム・アクセス・メモリ及びその動作方法に関し、不揮発データ保持機能を持たせることによって、さらなる低消費電力化、低価格化を実現する。 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) which has low power consumption and is operated by low voltage of 1 V or less while securing static noise margin.例文帳に追加

スタティックノイズマージンを確保して、低消費電力で、かつ、１Ｖ以下の低電圧で動作するＳＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To provide a static random access memory whose static noise margin can easily be measured and an SNM measuring method.例文帳に追加

ＳＮＭを容易に計測可能なスタティックランダムアクセスメモリおよびＳＮＭ計測方法を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD OF FLASH MEMORY, MANUFACTURING METHOD OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND FLASH MEMORY例文帳に追加

半導体装置の製造方法、フラッシュメモリの製造方法、およびスタティックランダムアクセスメモリの製造方法ならびにフラッシュメモリ - 特許庁

To provide a method and a device, which use a phase change memory available as a replacement of a NAND flash memory connected to a buffer, such as a static random access memory and/or a random access memory.例文帳に追加

相変化メモリは、例えば、スタティックランダムアクセスメモリ及び／又はランダムアクセスメモリのようなバッファと結合したＮＡＮＤフラッシュメモリを置き換えるために用いられることが可能である。 - 特許庁

To realize high speed of read-operation of a semiconductor memory, especially, a static random access memory(SRAM).例文帳に追加

半導体記憶装置、特にスタティック・ランダム・アクセスメモリ（ＳＲＡＭ）のリード動作の高速化を実現すること。 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY OF CMOS, MEMORY CIRCUIT, AND METHOD FOR GENERATING SENSE-ENABLE SIGNAL例文帳に追加

ＣＭＯＳのスタティック・ランダム・アクセス・メモリ、メモリ回路、及び、センスイネーブル信号の発生方法 - 特許庁

A plurality of scan path registers are connected by an array of static random access memory (SRAM) units of a plurality of memory cells.例文帳に追加

複数のスキャンパスレジスタは、複数のメモリセルからなるスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)アレイによって接続される。 - 特許庁

A static random access memory has a plurality of memory cells arranged in the row and column directions.例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリは，ロウ及びコラム方向に配置された複数のメモリセルを有する。 - 特許庁

To enlarge the operation margin of a memory cell of a flip-flop type such as a static type random access memory (SRAM).例文帳に追加

スタティック型ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）のようなフリップフロップ型のメモリセルの動作マージンを拡大する。 - 特許庁

To provide a high voltage generator being suitable for adopting to a semiconductor memory which has a memory cell refreshing stored data, in which a refresh-function is performed internally and which is operated with timing conditions such as that of a SRAM(static random access memory) product, and a high voltage supply method.例文帳に追加

貯蔵されたデータをリフレッシュすべきメモリセルをもち、内部的にリフレッシュ機能を行いながら、外部的にはSRAM（static random access memory）製品のようなタイミング条件で動作する半導体メモリ装置に採用するに適合した高電圧発生器及び高電圧供給方法を提供するにある。 - 特許庁

To provide a system, method, and apparatus for performing prefetch from a dynamic random access memory (DRAM) to a static random access memory (SRAM).例文帳に追加

ダイナミック・ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）からスタティック・ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）へのプリフェッチを行うシステム、方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A sound source LSI (Large Scale Integration) includes: a CPU including a built-in RAM (Random Access Memory); the sound source section for generating musical sound signals; and a SRAM (Static Random Access Memory) 403 for storing programs and tone data supplied from outside of the sound source LSI.例文帳に追加

音源ＬＳＩは、内蔵ＲＡＭを備えたＣＰＵと、楽音信号を生成する音源部と、音源ＬＳＩの外部から供給されるプログラムと音色データを格納するＳＲＡＭ４０３を備える。 - 特許庁

The PDPRAM (partial dual port random access memory) 20 is composed of a clock synchronization SRAM (static random access memory) interface (IF) 21, a DRAM cell array 22, a dual port DRAM cell array 23, and a DRAM cell array 24.例文帳に追加

ＰＤＰＲＡＭ２０は、クロック同期ＳＲＡＭインタフェース（ＩＦ）２１と、ＤＲＡＭセルアレイ２２と、デュアル・ポートＤＲＡＭセルアレイ２３と、ＤＲＡＭセルアレイ２４とから構成されている。 - 特許庁

An extra bus control apparatus 2 comprises a first and a second extra bus controllers 15 and 16 corresponded respectively to a plurality of devices, such as a SRAM (Static Random Access Memory) and a DRAM (Dynamic Random Access Memory) connected to an extra bus EXBUS, and an extra bus arbiter 17.例文帳に追加

外部バス制御装置２は、外部バスＥＸＢＵＳに接続された複数の装置（例えば、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ）に各々対応した第１及び第２バスコントローラ１５、１６と、外部バスアービタ１７とを有している。 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING DECREASED LEAKAGE CURRENT DURING ACTIVE MODE, AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加

アクティブモードの間減少した漏洩電流を有するスタティックランダムアクセスメモリ及びその動作方法 - 特許庁