「vernier method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

OVERLAY VERNIER MASK PATTERN, METHOD OF FORMING THE SAME, SEMICONDUCTOR ELEMENT CONTAINING OVERLAY VERNIER PATTERN, AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

オーバーレイバーニアマスクパターンとその形成方法、並びにオーバーレイバーニアパターンを含む半導体素子とその形成方法 - 特許庁

VERNIER FOR ALIGNMENT OF PHOTOMASK AND ITS CONSTITUTION METHOD例文帳に追加

フォトマスクの位置合わせ用バーニアおよびその構成方法 - 特許庁

VERNIER FITTING HAVING TEMPORARY CONNECTING FUNCTION AND CONNECTION METHOD OF THE SAME例文帳に追加

仮連結機能を有するバーニヤ金具とその連結工法 - 特許庁

VERNIER PATTERN AND MASK MATCHING METHOD USING THE SAME AND PATTERN METERING METHOD例文帳に追加

バーニアパターン及びそれを用いたマスク合わせ方法、パターン測長方法 - 特許庁

VERNIER DUCT BLOCKER AND GAS FLOW CONTROL METHOD WITH USAGE OF IT例文帳に追加

バーニアダクト遮断装置とこれを用いたガス流制御方法 - 特許庁

OVERLAY VERNIER AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THIS例文帳に追加

オーバーレイバーニア及びこれを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁

VERNIER METAL FITTING AND METHOD OF ADJUSTING SLACKNESS OF AERIAL TRANSMISSION LINE USING THE SAME例文帳に追加

バーニヤ金具及びそれを用いる架空送電線の 弛度調整方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE HAVING VERNIER TECHNIQUE FOR ORIENTING EJECTOR MODULE例文帳に追加

エジェクタモジュールの見当合わせのためのバーニヤ技法を有する方法および装置 - 特許庁

PHOTOMASK AND METHOD FOR FORMING OVERLAY VERNIER OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

フォトマスク及びこれを用いた半導体素子のオーバーレイバーニア形成方法 - 特許庁

ROTATABLE VERNIER FITTING HAVING TEMPORARY CONNECTION FUNCTION AND LENGTH ADJUSTMENT METHOD OF THE SAME例文帳に追加

仮連結機能を有する回動式バーニヤ金具とその長さ調節方法 - 特許庁

SLIDE TYPE VERNIER FITTING HAVING TEMPORARY CONNECTION FUNCTION AND LENGTH ADJUSTMENT METHOD OF THE SAME例文帳に追加

仮連結機能を有するスライド式バーニヤ金具とその長さ調節方法 - 特許庁

To provide a vernier and its forming method which is effective to prevent errors in the overlay accuracy measurement and to reduce the number of process steps by forming trenches of paddle type in a region where the vernier is formed.例文帳に追加

バーニアが形成される領域のトレンチをパドルタイプで形成してオーバーレイ精度測定のエラー防止、ならびに工程削減に有効なバーニアおよびその形成方法。 - 特許庁

To provide an overlay vernier mask pattern of a semiconductor element, along with a method of forming the same, capable of correctly forming a first overlay vernier pattern at a lower part and a second overlay vernier pattern at an upper part in the case where a triplex key method is utilized by applying a double patterning technology.例文帳に追加

ダブルパターニング技術を適用して三重キーの方法を利用する場合、下部の第１オーバーレイバーニアパターンと、上部の第２オーバーレイバーニアパターンとが正常に形成されるようにする半導体素子のオーバーレイバーニアマスクパターンとその形成方法を提供する - 特許庁

To provide a photomask by which a thin film can be easily formed on an overlay vernier by forming an inclination on side portions of the overlay vernier, and to provide a method for forming an overlay vernier of a semiconductor device using the mask.例文帳に追加

本発明は、オーバーレイバーニアの側面に傾斜を形成してオーバーレイバーニア上に薄膜を容易に形成することができるフォトマスク及びこれを用いた半導体素子のオーバーレイバーニア形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

To materialize a vernier metal fitting which can reduce the cost and can raise the work efficiency and a method of adjusting the slackness of an aerial transmission line using it.例文帳に追加

コストを低減することができると共に、作業性を向上することができるバーニヤ金具及びそれを用いる架空送電線の弛度調整方法。 - 特許庁

The alignment method features the following; a shade of an pick-up vernier image with a scale part of main scale/sub-scale having a uniform interval is converted into a contrast waveform, both waveforms are synthesized, the synthesized waveform is used to recognize a point where the wave height is largest and a point where the main scale and the sub-scale of the vernier are matched.例文帳に追加

本発明は、撮像したバーニヤ画像の主尺／副尺の目盛り部分の等間隔な濃淡をコントラストの波形に変換し、両者の波形を合成し、合成した波形から最も波高が高い点を認識し、バーニヤの主尺、副尺が一致した点を求めることを特徴とする。 - 特許庁

To remove a parallax when reading both scales, in calipers or the like using a scale reading method using overlapping of a main scale and a vernier scale.例文帳に追加

主尺目盛および副尺目盛の重ね合わせを利用する目盛読取方法を用いたノギスなどにおいて、両尺目盛読取の際の視差を除去する課題を解決する。 - 特許庁

To reduce parallax in a vernier caliper, using a scale reading method utilizing overlapping of main scale marks and sub scale marks, when the main scale marks and the sub scale marks are read.例文帳に追加

主尺目盛および副尺目盛の重ね合わせを利用する目盛読取方法を用いたノギスにおいて、両尺目盛読取の際の視差を除去する課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which an overlay vernier can be formed without performing additional drain key open mask and drain key open etch processes by forming a step in a semiconductor substrate when the overlay vernier is formed and forming a hard mask having a stack layer formed thereon so that the shape of the step can be maintained.例文帳に追加

オーバーレイバーニア形成時に半導体基板に段差を形成し、段差の形態が維持され得るように上部に積層膜を形成してハードマスクを形成することで、ドレインキーオープンマスク工程とドレインキーオープンエッチ工程を別途設けるずとも、オーバーレイバーニアの形成が可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vernier for calculating the positional deviation of a colored pixel, with respect to a black matrix, and accurately and stably calculating the position deviation, without being affected by the focal depth of a microscope or without being affected by the fringe part of a measurement mark, and to provide a method of measuring exposure position.例文帳に追加

ブラックマトリックスに対する着色画素の位置ズレを算出するバーニアで、顕微鏡の焦点深度に影響されず、測定用マークのフリンジ部に影響されず精度よく、安定して位置ズレを算出するバーニア、及び露光位置の測定方法を提供する。 - 特許庁