メルト温度の英語

この際、第１のホットメルト樹脂の処理温度における溶融粘性率が第２のホットメルト樹脂の処理温度における溶融粘性率より高い。例文帳に追加

A melt viscosity of the first hot-melt resin at its processing temperature is higher than a melt viscosity of the second hot-melt resin at its processing temperature. - 特許庁

ホットメルトタンク、小型の一体化された自動供給機を含み、２６０°Ｆ（１２７℃）以下の温度で運転される自動供給低適用温度ホットメルト適用システム。例文帳に追加

The autofeeding system for a low application temperature hot melt adhesive is composed of a hot melt tank, a compact integrated autofeeder, and operated at ≤260°F (127°C). - 特許庁

混在物５２を構成するホットメルト接着剤として、溶融温度が本体５１を構成するホットメルト接着剤の溶融温度より低い点を除き、本体５１を構成するものと同一のホットメルト接着剤を用いる。例文帳に追加

The hot met adhesive constituting the inclusion 52 is the same hot melt adhesive as that constituting the main body 51, except that the melting point of the hot met adhesive constituting the inclusion 52 is lower than the melting point of the hot met adhesive constituting the main body 51. - 特許庁

（ＭＩ−Ａ）／（ＭＩ−Ｂ）≧１０ 式（１） ここでＭＩ−Ａは（Ａ）の加工温度でのメルトフローインデックス、ＭＩ−Ｂは（Ｂ）の１８０〜２５０℃でのいずれかの温度（但し、ＭＩ−Ａ、ＭＩ−Ｂは同じ温度とする）でのメルトフローインデックスを表す。例文帳に追加

In the formula (1), MI-A is the melt flow index of the component A at the processing temperature and MI-B is the melt flow index of the component B at a temperature between 180°C and 250°C (the measuring temperature of MI-A is same as that of MI-B). - 特許庁

そして、徐々に温度を下げることによって、メルトから析出したＳｉがＳｉ基板上にエピタキシャル成長する。例文帳に追加

Epitaxial growth of Si which is deposited from the melt 14 is made on the Si substrate by gradually decreasing temperature. - 特許庁

底面部３ｉには、リフロー温度で溶融する熱可塑性樹脂からなるホットメルト部が形成される。例文帳に追加

A hot melt portion made of a thermoplastic resin molten at reflow temperature is formed in the bottom surface portion 3i. - 特許庁

この組成物は比較的高いＳＡＦＴ温度を有し、ホットメルト接着剤、感圧接着剤、および熱可塑性マーキング剤に使用できる。例文帳に追加

The composition has relatively higher SAFT temperature and can be used in hot melt adhesives pressure-sensitive adhesives, and thermoplastic marking paints. - 特許庁

メルトフローレートが5〜45g/10分で且つ結晶化開始温度が140〜155℃であるポリアセタール樹脂材料。例文帳に追加

The blow injection molded article comprises a polyacetal resin material wherein a melt flow rate is 5-45 g/10 min and an initiation temperature of crystallization is 140-155°C. - 特許庁