晶帯軸の英語

ウルツ鉱型の結晶構造を持つ半導体基板は、面方位が（０００１）面から晶帯軸の＜１０−１０＞方向に約４５°〜約６５°傾いた主面を有している。例文帳に追加

The semiconductor substrate having a crystal structure of the wurtzite type has a main surface inclined about 45 to about 65° in a <10-10> direction of a crystal zone axis from a (0001) face. - 特許庁

液晶層１０の厚さ方向（ｚ軸方向）に直交する電極方向（ｙ軸方向）で互いに平行に、かつ、厚さ方向及び電極方向に直交する離間方向（ｘ軸方向）で互いに所定間隔をおいて形成された帯状の電極部７ａを画素電極７に複数設ける。例文帳に追加

Electrode strips 7a are formed on the pixel electrode 7 at a predetermined spacing from each other in parallel in the electrode direction (y-axis direction), orthogonally crossing the thickness direction (z-axis direction) of a liquid crystal layer 10 and in the parting direction (x-axis direction) orthogonally crossing the thickness direction and the electrode direction. - 特許庁

基板１０１上のa‐Ｓｉ膜あるいは微結晶シリコン膜１０４を帯状結晶シリコン膜（ＳＥＬＡＸ結晶シリコン膜）１０５に改質するための結晶化レーザの幅方向（短軸方向）形状を、４本の連続発振レーザを光学系で結合して左右対称のガウシアン形状から非対称に傾きを持ったプロファイルとする。例文帳に追加

The shape of a crystallization laser in the width direction (minor axis direction) for reforming an a-Si film or a microcrystalline silicon film 104 on a substrate 101 into a band-shaped crystalline silicon film (SELAX crystalline silicon film) 105 is changed to have a profile asymmetrically tilted from a symmetrical Gaussian shape by combining four continuous oscillation lasers with an optical system. - 特許庁

絶縁基板上に形成された非晶質あるいは粒状多結晶シリコン膜の所望の領域に、連続発振レーザ光を走査して帯状多結晶領域を形成するに際の対物レンズの熱レンズ効果発生に伴う照射レーザ光の集光ビーム形（短軸幅）の変化による結晶状態の変動を防止する。例文帳に追加

To prevent a variation of a crystal state due to a change of a collecting beam shape (width of minor axis) of radiating laser beam caused from a heat lens effect of an objective lens produced when forming a belt polycrystal, by scanning a continually oscillating laser beam onto a desired area of an amorphous or granular polycrystal silicon film formed on an insulating substrate. - 特許庁

非線形光学結晶から出射される異なる波長の変換レーザー光を同軸に重ねることができるようにした広帯域高速波長変換方法およびその装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for wide-band high-speed wavelength conversion which can superpose converted laser light beams of different wavelength emitted by nonlinear optical crystal coaxially on one over the other. - 特許庁

そして、この２軸性複屈折結晶１４により、レーザ光を輪帯状のビーム形状とし、対物レンズ１７によって半導体ウエハ３０に集光する。例文帳に追加

The laser beam is formed to the beam shape of the ring band form by this biaxial double refracting crystal 14 and is condensed to a semiconductor wafer 30 by an objective lens 17. - 特許庁

最初に、連続発振するレーザ光をＹ方向へ走査しながら、ａ−Ｓｉ薄膜２に対して照射すると、長軸方向がＹ方向とされている帯状の結晶が、幅方向へ並列して複数形成される。例文帳に追加

The crystallizing method firstly forms to juxtapose a plurality of band-like crystals in which a long axis direction is a Y direction to a widthwise direction when irradiating an a-Si thin film while scanning a continuously oscillating laser beam in the Y direction. - 特許庁

基板１１の主面の面方位は（０００１）面から晶帯軸の＜１−１００＞方向にオフ角を有し、素子層１２は、該オフ角の方向に対してほぼ平行に延びる縞状の表面形態を有している。例文帳に追加

The plane orientation of the main surface of the substrate 11 has the off-angle in the direction <1-100> from the (0001) surface, and the device layer 12 has the surface form of stripes, extending nearly in parallel to the off-angle direction. - 特許庁