dopant atomsとは 意味・読み方・使い方

Furthermore by the method, the elongated nanostructures with a low dopant concentration of lower than 10^17 atoms/cm^3 can be obtained.例文帳に追加

さらに、当該方法により、１０^１７原子／ｃｍ^３より小さい低ドーパント濃度の細長のナノ構造体を得ることができる。 - 特許庁

To make electric contact between an electrode and a substrate on the order of atoms by burying a dopant material in the terrace on a semiconductor substrate and laminating a metal layer on the dopant-buried surface rearranged structure.例文帳に追加

半導体表面のテラス内に埋め込まれた半導体表面上にドーパント材料を埋め込み、表面再配列構造を形成し、半導体結晶と原子オーダで電気的接触をとる。 - 特許庁

The doped dielectric layer contains a dopant therein and has a doping concentration greater than 0 atoms/cm^3 and not greater than 10^10 atoms/cm^3.例文帳に追加

ドープされた誘電体層は、ドープ剤をその中に含み、０原子／ｃｍ^3より大きく、１０^10原子／ｃｍ^3より大きくないドーピング濃度を有する。 - 特許庁

In the conductive zinc oxide film including at least one element selected from a group consisting of B, Al, Ga and In as a dopant, hydrogen is contained in the film and the content of the hydrogen is ≤3×10^21 atoms/cm^3.例文帳に追加

Ｂ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる１つ以上の元素をドーパントとして含む導電性酸化亜鉛膜において、膜中に水素を含むものとし、その水素の含有量を３×１０^21 atoms/cm^3以下とする。 - 特許庁

To provide a method for effectively doping a dopant by controlling reaction of a dopant element in a method for forming a group III nitride semiconductor layer using a nitrogen source in a state of radicals, plasmas, or atoms such as MBE and sputtering process.例文帳に追加

ＭＢＥやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。 - 特許庁

This method comprises doping a crystal with a dopant at 1018 to 1020 atoms/cm3 by Czochralski method; wherein a silicon single crystal seed 1 containing a dopant at a concentration equivalent to the dopant concentration of a melt corresponding to rate of solidification g=0 is used and a neck part 2 comparable in diameter to the seed is parallel-grown.例文帳に追加

チョクラルスキー法により１０^18〜１０^20 atoms／ｃｍ^3 のドーパントを結晶にドープしてシリコン単結晶を製造するに際し、固化率ｇ＝０に相当する融液のドーパント濃度と同等濃度のドーパントを含むシリコン単結晶のシード１を使用し、シードと同程度の直径のネック部２をパラレル成長させる。 - 特許庁

The method includes steps of: implanting dopant atoms of a first conductivity type into a first surface of a conductive silicon carbide wafer having the same conductivity type as implanting ions at one or more predetermined dopant concentrations and implant energies to form a dopant profile; annealing the implanted wafer; and growing an epitaxial layer on the implanted first surface of the wafer.例文帳に追加

１つ以上の所定のドーパント濃度及び注入エネルギーで、注入イオンと同じ導電型を有する導電性炭化珪素ウェーハの第一表面中に第一導電型のドーパント原子を注入して、ドーパントプロファイルを形成する工程、その注入されたウェーハをアニールする工程、及びそのウェーハの注入第一表面上にエピタキシャル層を成長させる工程を含む。 - 特許庁

Since laser beam pulse dissociates the phosphorus nitride and easily melts the zone of the semiconductor to be doped, dopant atoms can be introduced from the phosphorus nitride into the semiconductor.例文帳に追加

レーザー光のパルスが窒化燐を分解すると共に、ドープしようとする半導体の前記領域を簡単に融解するため、窒化燐からのドーパント原子を半導体中に取り込むことができる。 - 特許庁