少なくともＮａと第１３族元素と窒素元素とを含む液相中で第１３族窒化物結晶を成長させる第１３族窒化物結晶の製造方法において、前記液相の表面と接しかつ少なくとも前記液相の表面から上部２０ｍｍの高さまでを満たす気相が存在し、前記液相表面部分の温度Ｔ１（Ｋ）と、前記液相表面から鉛直方向に２０ｍｍ離れた気相部分の温度Ｔ２（Ｋ）とが、式（１）を満たすようにして結晶を成長させる第１３族窒化物結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the group 13 element nitride crystal comprises growing the group 13 element nitride crystal in a liquid phase containing at least Na, a group 13 element and nitrogen element. - 特許庁

少なくとも、非晶性樹脂と、繰り返し単位における酸素原子当量Ｍ（繰り返し単位の分子量／繰り返し単位中の酸素原子数）が１００以上であり、下記一般式（１）で表される繰り返し単位のみを有する[−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−]一般式（１）（前記一般式（１）中、ｎは６以上１２以下の範囲内の整数を表す）結晶性ポリエーテルと、を含有する静電荷像現像用トナーである。例文帳に追加

The toner for an electrostatic charge image contains at least amorphous resin and crystalline polyether in which an oxygen equivalent M in a repeating unit (molecular weight of a repeating unit/the number of oxygen atoms in the repeating unit) is 100 or more and having only the repeating unit represented by the following general formula (1): [-(CH2)n-O-], wherein n is an integer of 6-12. - 特許庁

結晶性合成樹脂１００質量部に対して、（ａ）下記一般式（１）、（式中、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立して、分岐を有してもよい炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。）で表されるナフタレンジアミド化合物の少なくとも一種を０．００１〜１質量部配合してなる結晶性合成樹脂組成物である。例文帳に追加

This crystalline synthetic resin composition comprises 100 pts.mass of a crystalline synthetic resin and 0.001 to 1 pt.mass of (a) at least one of naphthalenediamide compounds represented by formula (1) (wherein R^1 and R^2 independently represent a 1-6 C alkyl group which may be branched). - 特許庁

例文

本発明は、少なくとも光導電層を有する、電子写真感光体であって、該光導電層は、珪素を母体とし、少なくとも水素原子および／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなり、該感光体に、機械で読取可能な個体識別コードを有していることを特徴とする。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor has at least a photoconductive layer, wherein the photoconductive layer comprises a non-single-crystalline material based on silicon and containing at least hydrogen and/or halogen atoms, and the photoreceptor has a mechanically readable individual recognition code. - 特許庁

>>例文の一覧を見る

調べた例文を記録して、効率よく覚えましょう

Weblio会員登録無料で登録できます！

履歴機能

過去に調べた
単語を確認!
語彙力診断

診断回数が
増える!
マイ単語帳

便利な
学習機能付き!
マイ例文帳

文章で
単語を理解!

Weblio会員登録(無料)はこちらから

日英・英日専門用語辞書での「けっしきそげんしょう」の英訳

血色素減少

hypochromasia，hypochromia

出典元索引用語索引ランキング

「けっしきそげんしょう」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 17件

例文

メタノールを気相で、aM2O・bM′O・Al2 O3・cSiO2・nH2O（式中Mはアルカリ金属及び／又は水素原子、M′はアルカリ土類金属、aは０～1.5、bは0.2～40、ただしa＋b＞１、cは12～3,000及びnは０～40である）で表される組成を有し、かつ×××で示されるX線回折パターンを有するアルカリ土類金属含有結晶アルミノシリケートゼオライト触媒と、500～600℃の温度で、接触させることからなる低級オレフィンの製造方法。例文帳に追加

A process of production of low-grade olefin, comprising methanol in gaseous phase and the constituents expressible as aM2O・bM'O・Al2O3・cSiO2・nH2O (where M = alkali metal and/or hydrogen atom, M' = alkali earth metal, a = 0-1.5, b = 0.2-40, except a+b >1, c = 12-3,000 and n = 0-40) heated to 500-600oC in contact with alkali earth metal including crystal alminocilicate zeolite catalyst having X-ray defecation pattern indicated as xxx.発音を聞く - 特許庁

シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ_3Ｎ_4単結晶膜をエピタキシャル成長させること。例文帳に追加

The silicon substrate is cleaning-processed so as to be capable of being surface reconstructed, then on the cleaning-processed silicon substrate, a dissociated nitrogen atom flux and an excited nitrogen molecule flux generated by RF (high frequency) high brightness (HB) discharge of an inductively coupled plasma system are irradiated to epitaxially grow an Si_3N_4 single crystal film by a surface interfacial reaction. - 特許庁

aM2O・bM′O・Al2O3・cSiO2・nH2O（式中Mはアルカリ金属及び／又は水素原子、M′はアルカリ土類金属、aは０～1.5、bは0.2～40、ただしa＋b＞１、cは12～3,000及びnは０～40である）で表される組成を有し、かつ×××で示されるX線回折パターンを有するアルカリ土類金属含有結晶性アルミノシリケートゼオライトからなる、メタノールを原料として低級オレフィンを製造するための触媒。例文帳に追加

A catalyst comprising aM2O・bM'O・Al2O3・cSiO2・nH2O (where M = alkali metal and/or hydrogen atom, M' = alkali earth metal, a = 0-1.5, b = 0.2-40, except a+b >1, c = 12-3,000 and n = 0-40) as its constituent, and alkali earth metal including crystal alminocilicate zeolite catalyst having X-ray defecation pattern indicated as xxx for production of low-grade olefin from methanol発音を聞く - 特許庁

機能物質を内部に装着したものあるいは機能物質を負極に装着した電池要素を内部に設けて水素需要体と一体化して構成し、機能物質による水または水溶液（電解液）の加水分解および機能物質の加水分解から結晶間に定着している水素化金属の水素原子結合とによる生成水素ガスを直接水素需要体へ供給することを特徴とする。例文帳に追加

The hydrogen generating container generates hydrogen gas by hydrolysis of water or of an aqueous solution (electrolytic liquid) by the functional material and hydrolysis of the functional substance, and by binding of hydrogen atoms of hydrogenated metal settling among crystals, and directly supplies the hydrogen gas to the hydrogen demanding unit. - 特許庁

容量素子２１６は、ＡがＡサイトを占める元素、ＢがＢサイトを占める元素、Ｏが酸素原子を表すとき、一般式ＡＢＯ_3 により表される単純プロベスカイト型結晶構造の金属酸化物からなる容量絶縁膜２１４と、これを挟み込む第１の電極及び第２の電極２１２及び２１５を備える。例文帳に追加

A capacitive element 216 includes: a capacitance insulating film 214 made of metal oxide having a simple perovskite type crystal structure represented by general formula ABO_3, where A is an element occupying an A site, B is an element occupying a B site, and C is an oxygen atom; and first and second electrodes 212 and 215 between which the capacitance insulating film 214 is sandwiched. - 特許庁

式（II）で表される化合物の窒素原子をｔ−ブトキシカルボニル基で保護して、更に有機酸にて中和し、非極性溶媒に抽出させ、該化合物を結晶として取出すことなく前記非極性溶媒中にて該化合物のカルボキシル基を特定のベンジルアルコール又はベンジルハライドにて保護する、ことを特徴とするペリンドプリルの前駆体の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the precursor of the perindopril includes protecting a nitrogen atom of a compound represented by formula (II) with a t-butoxycarbonyl group, neutralizing the product with an organic acid, extracting the product with a nonpolar solvent, and protecting the carboxy group of the compound with a specified benzyl alcohol or benzyl halide in the nonpolar solvent without taking out the compound as a crystal. - 特許庁

炭素原子数２〜１２のα−オレフィンから選ばれる少なくとも２種のα−オレフィンを主成分とし、結晶化度が１０％以下であるα−オレフィン共重合体を主材とする樹脂成分に、下記一般式（１）〜（４）であらわされる表面改質剤により被覆された熱伝導性充填材を配合することを特徴とする放熱性樹脂シート。例文帳に追加

This heat radiating resin sheet is characterized by compounding a resin component comprising an α-olefin copolymer consisting essentially of at least two kinds of α-olefins selected from 2-12C α-olefins and having ≤10% crystallinity as a principal material with a heat conductive filler coated with a surface modifier represented by formula (1), formula (2), formula (3) or formula (4). - 特許庁

例文

本発明の一態様は、ゲート電極１０３、窒素を含むゲート絶縁膜１０５、微結晶半導体膜１０７，１０９によって形成されたチャネル領域を有する薄膜トランジスタを備えた半導体装置の作製方法であって、前記ゲート絶縁膜を、酸素原子を含む酸化ガスと水素とを有する酸化ガス雰囲気のプラズマに曝すプラズマ処理を行い、前記ゲート絶縁膜上に前記微結晶半導体膜を形成し、前記酸化ガス雰囲気における前記水素の量をａとし、前記酸化ガスの量をｂとした場合に下記式（１）、（２）を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。例文帳に追加

A manufacturing method for a semiconductor device including a thin film transistor including a gate electrode 103, a gate insulation film 105 containing nitrogen, and a channel region formed using microcrystalline semiconductor films 107 and 109 comprises: performing plasma treatment in a manner that the gate insulation film is exposed to plasma in an oxidation gas atmosphere including hydrogen and an oxidation gas including an oxygen atom; and forming the microcrystalline semiconductor films on the gate insulation film. - 特許庁