さこん３ちょうめの英語

ＩＤチップ３を旅券手帳２に埋め込んで折り曲げてもＩＤチップが壊れることがない。例文帳に追加

Even if the passport pocket book 2 in which the ID chip 3 is buried is bent, the ID chip is not broken. - 特許庁

本発明のコンテナ１は、短側部１ｃに設けた凹部２にラベル貼付部３が形成されている。例文帳に追加

A label sticking section 3 is formed on a recess 2 formed on a short side 1c of a container 1. - 特許庁

多結晶シリコン膜３の成長前処理において，シリコン基板１上の自然酸化膜を除去するために、ヒ素ドープ多結晶シリコン膜３はエピタキシャル成長され、ヒ素ドープ単結晶シリコン膜５となる。例文帳に追加

In the pre-treatment of growth of the film 3, in order to eliminate a natural oxide film on the silicon substrate 1, the polycrystal silicon film 3 is epitaxially grown and turned into an arsenic-doped single crystal silicon film 5. - 特許庁

成長基板３には、成長基板３を掴むようにシート状シリコン基板を成長させる第１面、第２面および第３面が設けられている。例文帳に追加

The substrate 3 for growth comprises a first surface, a second surface and a third surface which grows the sheet-form silicon substrate by gripping the substrate 3 for growth. - 特許庁

ｐ型シリコン基板１に、約３〜５μｍ程度の深さを有する約３×１０^15〜１×１０^16ｃｍ^-3の濃度のｎ型不純物からなる延長ドレイン領域２及び、ｎ型不純物からなるソース領域３を形成する。例文帳に追加

An extended drain region 2 formed of n-type impurity and a source region 3, formed of n-type impurity in a concentration of about 3×10^15 to 1×10^16cm^-3 having the depth of about 3 to 5 μm, are formed on a p-type silicon substrate 1. - 特許庁

これら各転がり軸受３、３内に、リチウム石けんを増ちょう剤とし、エステル油を基油とし、この基油粘度が４０℃で２０〜８０ｍｍ^２／ｓであり、混和ちょう度が２００〜３００であるグリースを封入する。例文帳に追加

In the rolling bearings 3, 3, grease is filled which uses a lithium soap as a thickening agent and ester oil as base oil, the base oil having a viscosity of 20-80 mm^2/s at 40°C and a miscibility of 200-300. - 特許庁

枠体５は、平面視において金属板３を囲んでおり、金属板３よりも小さい熱膨張係数を有している。例文帳に追加

The frame body 5 surrounds the metal plate 3 when viewed from above and has a thermal expansion coefficient smaller than that of the metal plate 3. - 特許庁

リモコン１の前面板２に長孔３が設けられ、この長孔３内に操作片としての摘み４が差し込まれている。例文帳に追加

A long hole 3 is provided in a front plate 2 of a remote controller 1, and a knob 4 as an operation piece is inserted into the long hole 3. - 特許庁