とうえいちょう７ちょうめの英語

対馬藩の申し出により宝永7年（1710年）9月27日、幕府は銀座(歴史)に対し人参取引専用に慶長銀と同品位の丁銀を鋳造することを命じた。例文帳に追加

Responding to the request from the Tsushima Domain, the Shogunate ordered Ginza (an organization in charge of casting and appraising of silver coins during the Edo period) to mint silver coins which had the same grade as that of Keichogin, exclusively for the ginseng trade, in 1710.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明に従うHEMTは、電子走行層３と、この上を選択的に覆う連続的成長阻止層５と、電子供給層（第２の半導体層）６と、不連続成長層７と、ソース電極９と、ドレイン電極１０と、ゲート電極１１とを有している。例文帳に追加

This HEMT has an electron travelling layer 3, a continuous growth inhibition layer 5 for selectively covering it, an electron supply layer (second semiconductor layer) 6, a discontinuous growth layer 7, a source electrode 9, a drain electrode 10, and a gate electrode 11. - 特許庁

手段２８は、この電流信号の入力に基づきバルブ２５及び定流量ポンプ２６を制御し、活性調整用基質溶液保管容器２３に貯溜されている活性調整用基質溶液を供給ライン７に対して送出する。例文帳に追加

The means 28 controls a valve 25 and a constant flow pump 26 according to input of the current signal, and transmits an activity adjusting substrate solution stored in an activity adjusting substrate solution storage container 23 to a supply line 7. - 特許庁

サファイア基板１上に透明なｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層６、透明なＭＱＷ発光層７および透明なｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層８を連続的に成長させ、さらにこの上に、基板温度６００〜７５０℃でｐ−ＩｎＧａＮからなる不透明な低温成長層９を成長させる。例文帳に追加

On a sapphire substrate 1, a transparent n-AlGaN first clad layer 6, a transparent MQW light-emitting layer 7 and a transparent p-AlGaN second clad layer 8 are continuously grown, and an opaque low-temperature growth layer 9 consisting of p-InGaN whose substrate temperature is 600-750°C is grown further thereon. - 特許庁

マルチギャップ層３の断面が逆台形状であるため、その上に塗布された着色層７の断面はテーパー部を有しない長方形状となり、液晶分子５の配向は乱されない。例文帳に追加

The cross-section of the multi-gap layer 3 has an inverted trapezoidal shape, therefore, the cross-section of the colored layer 7 applied thereon becomes a rectangular shape having no tapered part and the alignment of liquid crystal molecules 5 is not disturbed. - 特許庁

成長したＳｉＣ単結晶が接触している上記溶液面の近傍のＳｉ−Ｃ溶液のＣ濃度を７at％以下に低下させることが望ましい。例文帳に追加

The C concentration of the Si-C solution in the vicinity of the solution surface contacted with the grown SiC single crystal is reduced desirably to ≤7 at%. - 特許庁

反射防止構造体３それぞれは前記読み出し面上７において凹んだ凹形状を有し、読み出し面７上における縁部の任意の２点を結ぶ線分のうち最長の長さとなる線分の長さが、底面の縁の任意の２点を結ぶ線分のうち最長の長さとなる線分の長さよりも長くなる。例文帳に追加

Each of the antireflection structures 3 has a concave shape depressed at the read-out surface 7, and a length of a longest line segment among line segments connecting two arbitrary points of edge portions on the read-out surface 7 is longer than a length of a longest line segment among line segments connecting two arbitrary points of edges of a bottom surface. - 特許庁

このｐ型コンタクト層７の上面には、結晶成長完了後にＨ_2 ガスとＨＣｌガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いた気相エッチングによって凹凸形状が故意に形成されている。例文帳に追加

On the upper surface of the p-type contact layer 7, a concave-convex shape is intentionally formed by gas phase etching using the mixed gas of H_2 gas and HCl gas as etching gas after a crystal growth is completed. - 特許庁