とうえいちょう６ちょうめの英語

(6) 本規則の適用上，「所定の工業所有権所轄当局」とは，場合に応じて，国内官庁としての，又は該当する場合は国際調査機関としての又は特許協力条約に基づく国際予備審査機関としての地位を有する，オーストラリア特許庁，日本国特許庁，大韓民国特許庁，英国特許庁，アメリカ合衆国特許庁又は欧州特許庁を意味する。例文帳に追加

(6) For the purposes of these Regulations, "prescribed industrial property office" means the Patent Office of Australia, the Patent Office of Japan, the Patent Office of the Republic of Korea, the Patent Office of the United Kingdom, the Patent Office of the United States of America or the European Patent Office, as the case may require, in its capacity as a national office or, where appropriate, as an International Searching Authority or as an International Preliminary Examination Authority under the Patent Cooperation Treaty. - 特許庁

成長用基板８の上にIII族元素の窒化物結晶のエピタキシャル成長層９が形成された反りのある窒化物結晶基板６を、一旦、成長温度近傍まで加熱用ヒータで加熱すると共に台座２及びプレス板４の平行平面間に挟み、反りを矯正した状態で冷却することにより、反りの無い平坦な窒化物結晶基板６とすることができる。例文帳に追加

The flat nitride crystal substrate 6 free from warpages can be obtained by heating the nitride crystal substrate 6 having the curvatures constructed by forming an epitaxial growing layer 9 of the nitride crystal of the group III element on a substrate 8 for heating close to a growing temperature by a heater element and cooling it down under a condition of sandwiching it between parallel surfaces of a pedestal 2 and a press plate 4 to correct the warpage. - 特許庁

裏面にｎ側電極(6)を持つ半導体単結晶から成るｎ−ＧａＡｓ基板(1)、その上に成長層として形成されたｎ１−ＧａＡｓＰ層(21)を有する。例文帳に追加

The photo-semiconductor light emitting device comprises an n-GaAs substrate (1) consisting of semiconductor single crystal having an n-side electrode (6) at the rear surface and an n1-GaAsP layer (21) formed thereon as a growth layer. - 特許庁

防草ネット３の網目３ａに形成されている孔は、雨水は良く通すが、雑草の芽６を通さず、雨水によって植栽されている樹木５は成長するが、雑草の芽６はそれ以上成長することができずに雑草の繁茂だけが阻止される。例文帳に追加

The holes formed in the reticulations 3a of the weed-controlling net 3 allow rain water to penetrate the net 3 goodly but does not allow the buds 6 of weeds to penetrate the net 3, and as a result, a planted tree 5 can grow by the rain water but the weeds can not grow any more, and are selectively prevented from overgrowing. - 特許庁

本発明に従うHEMTは、電子走行層３と、この上を選択的に覆う連続的成長阻止層５と、電子供給層（第２の半導体層）６と、不連続成長層７と、ソース電極９と、ドレイン電極１０と、ゲート電極１１とを有している。例文帳に追加

This HEMT has an electron travelling layer 3, a continuous growth inhibition layer 5 for selectively covering it, an electron supply layer (second semiconductor layer) 6, a discontinuous growth layer 7, a source electrode 9, a drain electrode 10, and a gate electrode 11. - 特許庁

キャップシリコン膜７３を成長する際に予めＳｉＧｅ膜７２上に薄いバリア膜７８を形成しておき、その上にキャップシリコン膜７３を成長するので、ＳｉＧｅ膜７２の凝集を防ぐことができ、ゲート絶縁膜６の信頼性劣化を防ぐことができる。例文帳に追加

Since a cap silicon film 73 is grown on a thin barrier film 78 after the barrier film 78 is formed on an SiGe film 72 at the time of growing the cap silicon film 73, the aggregation of the SiGe film 72 can be prevented and, in addition, the deterioration of the reliability of a gate insulating film 6 can be prevented. - 特許庁

サファイア基板１上に透明なｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層６、透明なＭＱＷ発光層７および透明なｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層８を連続的に成長させ、さらにこの上に、基板温度６００〜７５０℃でｐ−ＩｎＧａＮからなる不透明な低温成長層９を成長させる。例文帳に追加

On a sapphire substrate 1, a transparent n-AlGaN first clad layer 6, a transparent MQW light-emitting layer 7 and a transparent p-AlGaN second clad layer 8 are continuously grown, and an opaque low-temperature growth layer 9 consisting of p-InGaN whose substrate temperature is 600-750°C is grown further thereon. - 特許庁

明治6年（1873年）の対朝鮮問題をめぐる政府首脳の軋轢は、6月に外務少記森山茂が釜山から帰って、李朝政府が日本の国書を拒絶したうえ、使節を侮辱し、居留民の安全が脅かされているので、朝鮮から撤退するか、武力で修好条約を締結させるかの裁決が必要であると報告し、それを外務少輔上野景範が内閣に議案として提出したことに始まる。例文帳に追加

Discord in the government and amongst the executives regarding the problem in Korea in 1873 began after Shigeru MORIYAMA, who held the rank of Gaimu-shoki, returned from Busan, and the Yi Dynasty Korea insulted the ambassador after refusing the Japanese sovereign's message, so he reported that it would be necessary to either decide to evacuate from Korea, or to conclude the conclusion problem of treaty of amity by force, and Kagenori UENO with Gaimu-sho title submitted these reports to the ministry as a bill.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス