とうえいちょう８ちょうめの英語

データプロセッサ（１）は、命令を解読して実行するＣＰＵ（２）によりバス（１３）を介して制御データが設定され、設定された制御データに基づいて多倍長データに対する演算処理を行う多倍長演算回路（８）を有する。例文帳に追加

In this data processor (1), a CPU (2) for decoding an instruction and performing the instruction sets control data through a bus (13), and the data processor (1) has a multiple-length arithmetic circuit (8) for performing arithmetic processing to multiple-length data on the basis of the set control data. - 特許庁

処理装置８の成膜炉８ｂのチャンバにおいて、ｐ型コンタクト層３５の露出された表面の上に、電極のための導電膜８９を成長して、第３の基板生産物Ｅ３を形成する。例文帳に追加

In the chamber of the film formation furnace 8b of the processing apparatus 8, a conductive film 89 for an electrode grows on an exposed surface of the p-type contact layer 35 to form a third substrate product E3. - 特許庁

成長用基板８の上にIII族元素の窒化物結晶のエピタキシャル成長層９が形成された反りのある窒化物結晶基板６を、一旦、成長温度近傍まで加熱用ヒータで加熱すると共に台座２及びプレス板４の平行平面間に挟み、反りを矯正した状態で冷却することにより、反りの無い平坦な窒化物結晶基板６とすることができる。例文帳に追加

The flat nitride crystal substrate 6 free from warpages can be obtained by heating the nitride crystal substrate 6 having the curvatures constructed by forming an epitaxial growing layer 9 of the nitride crystal of the group III element on a substrate 8 for heating close to a growing temperature by a heater element and cooling it down under a condition of sandwiching it between parallel surfaces of a pedestal 2 and a press plate 4 to correct the warpage. - 特許庁

本発明の有機金属気相成長装置１は、反応容器２内に半導体ウエハー９を保持するサセプタ３と、導入ガスを整流させて半導体ウエハー９の表面に流すための整流手段８とが配置され、整流手段８が固定され、サセプタ３が回転可能とされて成ることを特徴とする。例文帳に追加

In the organic metal gas phase epitaxy device 1, a susceptor 3 holding a semiconductor wafer 9, and a rectifying means 8 for rectifying introduction gas and making it flow to the surface of the semiconductor wafer 9, are disposed inside a reaction vessel 2, the rectifying means 8 is fixed, and the susceptor 3 is made rotatable. - 特許庁

次に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の上面より単結晶シリコン層８が上方向に成長し、結晶欠陥の少ないＳＯＩ基板を得ることができる。例文帳に追加

Subsequently, a single crystal silicon layer 8 grows upward from the top surface of the γ-Al_2O_3 layers 4, and thus, an SOI substrate having less crystal defect can be obtained. - 特許庁

また中間層１０上は溝部３によって分割された微小区域４を有し、微小区域４の表面上の最長距離８を１００μｍを超え４５０μｍ未満とする。例文帳に追加

The intermediate layer 10 has fine areas 4 divided by grooves 3, and the longest distance 8 on the surface of each fine area 4 is set to be >100 to <450 μm. - 特許庁

古畳２を所定長毎に分断する装置で、古畳２を移動自在に載置するテーブル１と、この古畳２を所定長だけテーブル１上で移動させる駆動ローラ６と、古畳２をテーブル１上で締め付け固定する押え板12と、この押え板12に沿って古畳２を切断するカッタ８とからなる分断装置である。例文帳に追加

This parting device is for parting the old tatami 2 for every prescribed length and is constituted of a table 1 for movably mounting the old tatami 2, a driving roller 6 for moving the old tatami 2 by a prescribed length on the table 1, a pressing plate 12 for fastening and fixing the old tatami 2 on the table 1 and a cutter 8 for cutting the old tatami 2 along the pressing plate 12. - 特許庁

開封口部６と接着封止部５との境界８から開封口部６の外縁までの最大長Ｌが６ｍｍ以上４０ｍｍ以下となっていると共に、開封口部６における２つの包材２，３の少なくとも一方の表面がエンボス加工されている。例文帳に追加

The maximum length L from the boundary 8 of the opening mouth 6 and the adhesive sealing part 5 to the outer edge of the opening mouth 6 is 6 mm or more and 40 mm or less and the surface of at least one of the packaging materials 2, 3 at the opening mouth 6 is embossed. - 特許庁