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ベベル構造の英語

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英訳・英語 beveled structure


日英・英日専門用語辞書での「ベベル構造」の英訳

ベベル構造


「ベベル構造」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 13



例文

IGBTのプレーナ型の耐圧構造13の外側にポジティブベベル構造16を形成する。例文帳に追加

A positive bevel structure 16 is formed outside a withstand voltage structure 13 of a planar type of an IGBT. - 特許庁

駆動側ベベルギヤと従動側ベベルギヤを、コンパクトな構造で確実に支持することができる船外機を提供する。例文帳に追加

To provide an outboard motor having a compact structure capable of reliably supporting a drive side bevel gear and a driven side bevel gear. - 特許庁

第1のベベル11のほか、第1のベベル11を構成する傾斜面よりも面積の小さな傾斜面からなる第2のベベル12を有し、かつこの第2のベベル12のみが絶縁被膜によりコーティングされていない構造である。例文帳に追加

An electric stimulation needle has a second bevel 12 comprising an inclined surface, of which the area is smaller than the inclined surface of a first bevel 11, other than the first bevel 11 and only the second bevel 12 is not coated with an insulating film. - 特許庁

従動側ベベルギア10が設けられた刈刃6の回転軸5に、前記従動側ベベルギア10に隣接させて、該従動側ベベルギア10の方向に上昇する螺旋状の羽根12を周囲に形成した回転体13を設けたことを特徴とする刈払機のギアボックス構造例文帳に追加

In the gearbox structure of a brush cutter, on a rotary shaft 5 of a cutting edge 6 provided with the driven bevel gear 10, a rotor 13 is provided adjacent to the driven bevel gear 10, the rotor being formed around it with a spiral blade 12 rising in a direction of the driven bevel gear 10. - 特許庁

ウェーハのベベル部で保持する構造のサセプタであって、その保持部の傾斜角度が、ウェーハのベベル角度をX°とした場合、X°−1〜X°+1の範囲内で、リング状とする。例文帳に追加

A susceptor holding with a bevel portion of wafer in structure is characterized in that a slant angle of its holding portion, when a bevel angle of the wafer is set X°, is within X°-1 to X°+1, and its shape is profiled in ring. - 特許庁

田植機の苗植付装置において、植付アームへの伝動系における上手側の伝動軸のベベルギヤと下手側の伝動軸のベベルギヤとが咬合する部分を、簡素な構造で支持できるように構成する。例文帳に追加

To compose a part where a bevel gear of a transmission shaft on the upstream side in a transmission system to a planting arm is engaged with a bevel gear of a transmission shaft on the downstream side so as to be supportable with a simple structure in a seedling planting device of a rice transplanter. - 特許庁

例文

P^+型半導体領域1とN^−型半導体領域2とN^+型半導体領域3とから成る半導体基体4に傾斜側面7を設け、逆方向ベベル構造のダイオード素子を形成する。例文帳に追加

A diode element of an inversely beveled structure is formed by providing a sloping side surface 7 to a semiconductor base material 4 comprising a p^+-type semiconductor region 1, an n^--type semiconductor region 2, and an n^+-type semiconductor region 3. - 特許庁

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「ベベル構造」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 13



例文

即ち、中間ドーピング層の終端をガードリングを用いた場合よりも小面積で確実に取ることができ、チップレベルでの分離によりベベル構造と同等な効果が得られる。例文帳に追加

That is, the terminal of the middle doping layer can be taken surely within an area smaller than the case where a guard ring is used, and the effect equal to the bevel structure can be obtained by separation at chip level. - 特許庁

搬送上手側のスクリュー軸の後端と搬送下手側のスクリュー軸の始端とをベベルギヤを介して連動連結したスクリュー搬送構造において、誤組みのない組付けを行うことができるようにする。例文帳に追加

To provide a screw transport structure capable of being assembled without misplacement, when the structure is so designed that a rear end of a screw shaft on an upstream side of transport and a starting end of a screw shaft on a downstream side of the transport are synchronized and coupled with each other through a bevel gear. - 特許庁

N^+形の第1のコレクタ領域2とN^−形の第2のコレクタ領域3とP^−形の第1のベース領域4とP^+形の第2のベース領域5とエミッタ領域6とを有するトランジスタをベベル構造に形成する。例文帳に追加

A transistor is formed into a bevel structure which comprises an N+ type first collector region 2, an N- type second collector region 3, a P- type first base region 4, a P+ type second base region 5, and emitter region 6. - 特許庁

半導体基板1上に、多層配線構造の下層部分2を適宜形成した後、半導体基板1のベベル部1aを覆うように、下層部分2と略同等の膜厚に縁部絶縁膜14を形成し、上部絶縁膜11aをCMPで表面研磨して平坦化する。例文帳に追加

After appropriately forming a lower layer 2 of a multilayer wiring structure on a semiconductor substrate 1, an edge insulation film 14 is formed so as to cover a beveled portion 1a of the semiconductor substrate 1 and to have a thickness substantially equal to that of the lower layer 2, and then the surface of the upper insulation film 11a is planarized through a CMP process. - 特許庁

トレンチの断面形状は、下方に向けて末広がりの台形に形成され、トレンチの下向き溝壁方向がp−ベース拡散層とn−Si層との境界線に対して成す角度θは、90°未満になっている正ベベル構造となっている。例文帳に追加

A positive bevel structure where the cross section shape of the trench is formed to a downward sectorial trapezoid, and an angle θwhich the down groove wall direction of the trance makes against the boundary line of the p-base diffusion layer and the n-Si layer becomes under 90 degrees, is provided. - 特許庁

例文

ギヤケース構造50は、ギヤケース51に、大ベベルギヤ53、出力軸54および潤滑油55などを収納し、ブリーザ通路61を、ギヤケース51の天井57で、かつ軸受75から出力軸54に沿って一定距離離れた位置に設け、ギヤケース51の内圧の変化を防止するものである。例文帳に追加

The gear case structure 50 comprises a gear case 51 storing a large bevel gear 53, an output shaft 54 and the lubricating oil 55, and the breather passage 61 provided on a ceiling 57 of the gear case 51 at a position a certain distance from a bearing 75 along the output shaft 54 for preventing a change in the inner pressure of the gear case 51. - 特許庁

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