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もうさいせんちゅうぞくの英語
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ライフサイエンス辞書での「もうさいせんちゅうぞく」の英訳 |
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「もうさいせんちゅうぞく」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 55件
金属細線１に窒化ホウ素２を設け、この窒化ホウ素２を設けた前記金属細線１にパルス電流を通電し、この金属細線１を加熱しプラズマ化させて窒化ホウ素ナノ構造体を製造することを特徴とする金属担持窒化ホウ素ナノ構造体の製造方法。例文帳に追加
In the method for producing a metal-supporting boron nitride nanostructure, boron nitride 2 is provided on a thin metallic wire 1, and a pulse current is sent through the thin metallic wire 1 provided with the boron nitride 2, and thereby the thin metallic wire 1 is heated and changed to plasma, to thereby produce the boron nitride nanostructure. - 特許庁
金属細線材１を収束して成る金属線材２であって、中心部に芯線として繊維糸３が設けられ、該繊維糸３の周囲に複数の金属細線材１が設けられているものである。例文帳に追加
The metal wire 2 is formed by bundling thin metal wires 1 wherein a fiber yarn 3 is provided as a core wire in the center and a plurality of thin metal wires 1 are provided around the fiber yarn 3. - 特許庁
基板１０と、基板１０に設けられたストライプ状の金属細線１１と、金属細線１１に形成され金属細線１１の長手方向に入射光の波長よりも短い周期で配列された金属からなる凸形状１２と、を有することを特徴とする。例文帳に追加
The polarization element includes: a substrate 10; thin metal wires 11 provided to the substrate 10 in a striped manner; and protruding shapes 12 made of metal provided to each of the thin metal wires 11, and arranged in a longitudinal direction of the thin metal wires 11 at a pitch shorter than a wavelength of incident light. - 特許庁
電力半導体モジュール１００においては、エミッタ電極１４とエミッタ用電極端子２２との接続線路は、従来用いられていた金属細線ではなく、網状金属細線２４が使用されている。例文帳に追加
In a power semiconductor module 100, rather than a metallic fine wire used conventionally but a net-like metallic fine wire is used for a connecting the line between an emitter electrode 14 and an electrode terminal 22 for an emitter. - 特許庁
さらに、金属細線網６の弾性により、熱電変換装置の組立時における熱電素子１０，１１の高さバラつきを吸収する。例文帳に追加
Moreover, the elasticity of the metallic thin wire net 6 absorbs the height dispersion in the thermoelectric elements 10, 11 at assembling of the thermoelectric converter. - 特許庁
磁気ディスクは基板上に磁性細線５を同心円状に備え、それぞれの磁性細線５に、イオン注入により相対的に飽和磁化の高い高Ｍs領域５ｓを局所的に設けたことを特徴とする。例文帳に追加
A magnetic disk includes magnetic thin wires 5 concentrically on a substrate, and a high Ms area 5s with relatively high saturation magnetization is locally provided for each magnetic thin wire 5 by ion implantation. - 特許庁
配線材２は、細線電極４Ａの一部に隣り合う細線電極４Ａに向かって突出するように設けられた突出部８上に配置され、配線材２は突出部８上で接続されている。例文帳に追加
A wiring member 2 is arranged on protruding parts 8 each formed so as to protrude toward a thin wire electrode 4A adjacent to one portion of the thin wire electrode 4A, and is connected to the fine wire electrodes on the protruding parts 8. - 特許庁
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「もうさいせんちゅうぞく」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 55件
配線材２は、細線電極４Ａの一部に隣り合う細線電極４Ａに向かって突出するように設けられた突出部８上に配置され、配線材２は突出部８上で接続されている。例文帳に追加
A wiring material 2 is disposed on a protrusion 8, provided on a portion of a thin-line electrode 4A, protruding toward the neighboring thin-line electrode 4A, and the connection of the wiring material 2 is made on the protrusion 8. - 特許庁
放熱管３の隔壁部材８の手前に金属繊維状の細線で形成した抵抗部材９を設ける。例文帳に追加
A resistance member 9 formed with metallic fiber fine lines toward the partition member 8 of the radiating pipe 3. - 特許庁
さらに先端部２２１の最先端には膨出部３０が造影部材１６の固定手段として設けられている。例文帳に追加
The bulge part 30 is provided as a fixing means for the contrast medium member 16 at the foremost part of the tip part 221. - 特許庁
本発明に係る量子細線構造の作製方法は、所望の量子細線構造の幅よりも太い幅を有するレジストマスクを用いて絶縁体マスク１６を形成する工程と、この絶縁体マスク１６を用いて多重量子井戸層１２をエッチングし量子細線１７を形成する工程とを備える。例文帳に追加
This method of manufacturing a quantum wire structure includes processes of: forming an insulator mask 16 by using a resist mask having a width larger than that of a desired quantum wire structure; and forming a quantum wire 17 by etching a multiple quantum well layer 12 by using the insulator mask 16. - 特許庁
蒸留法に使用される蒸留用充填物１であって、扁平状の金属製細線１１をコイル状にカールして形成した金属コイル状体１０を製造し、この金属コイル状体で所望の大きさ、かつ、所望形状の成形物１２を形成する。例文帳に追加
The packing material 1 for distillation, for use in a distillation method, is obtained by curling a flat metallic thin wire 11 into a coiled shape to manufacture a metallic coiled body 10 and forming a molded product 12 having desired size and shape from the metallic coiled body. - 特許庁
メソサイズの細さと十分な長さとを有する金属細線を効率良く且つ確実に製造することを可能とし、しかも、メソ多孔体薄膜の細孔内において金属結晶を一方向に異方的に成長させることを可能として結晶成長の方向性を向上させて所望の範囲内に金属結晶を成長させることを可能とする金属細線の製造方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a fine metal wire by which a fine metal wire having fineness of mesosize and sufficient length can be efficiently manufactured with certainty and a metallic crystal can be grown unidirectionally and anisotropically in the pores of a mesoporous thin film to improve the directionality of crystal growth and the metal crystal can be grown within a desired range. - 特許庁
波数ベクトルｋ１の光が導波するシリコン細線コア１０３と、波数ベクトルｋ２の光が導波するシリコン細線コア１０４とが、接合部１０５において角度θで交わり、接合部１０５に連続して出射端部１０６が設けられている。例文帳に追加
A silicon thin line core 103 which guides light having a wave number vector k1 intersects with a silicon thin line core 104 which guides light having a wave number vector k2 at an angle θ in a joining part 105, and an exit end 106 is fabricated as continuing from the joining part 105. - 特許庁
更にその外側に、光透過性のレティクル周辺エリア２２が設けられ、そこには金属細線の十字マークが描画された位置合わせ用のレティクル・アライメント・マーク２４が４箇所に設けられている。例文帳に追加
Furthermore, a reticle peripheral area 22 with light transparency is allocate around the shield band 20, and reticle alignment marks 24 formed by drawing a cross mark using a narrow metallic line for setting positions are allocated therein. - 特許庁
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