シリコン抵抗器の英語

このピエゾ抵抗素子１４と、拡散配線２４と、第１のシリコン窒化膜２６と、第２のシリコン窒化膜３０と、金属配線２８とで電気機械変換器を用いたセンサーを構成することができる。例文帳に追加

A sensor, using the electromechanical converter, can be constituted of the piezo resistant element 14, dispersion wiring 24, a first silicon nitride film 26, a second silicon nitride film 30 and metal wiring 28. - 特許庁

ガス検出器は、シリコン製半導体基板６１上に、発熱抵抗体７１と、その発熱抵抗体７１を内包するように形成される絶縁層６７とが少なくとも積層されたガス検出素子６０を備えており、可燃性ガスに応じて変化する発熱抵抗体７１の温度及び抵抗値に基づき、可燃性ガスを検出する。例文帳に追加

The gas detector is provided with a gas detection element 60 in which at least a heat resistor 71 and an insulating layer 67 formed in such a way as to envelope the heat resistor 71 are layered on a semiconductor substrate 61 made of silicon and detects combustible gases on the basis of the temperature and a resistance value of the heat resistor 71 which change according to the combustible gases. - 特許庁

シリコン基板の上に抵抗器材料の層を沈着する段階３２０と、ハード・マスク材料の層を沈着する段階３３０と、金属材料の層を沈着する段階３４０とをまず順次に行って積層体を形成することにより、抵抗器と底部電極とが同時に作成される。例文帳に追加

By performing a step 320 for depositing a layer of resistor material, a step 330 for depositing a layer of hard mask material and a step 340 for sequentially depositing a layer of metal material, on a silicon substrate, a laminate is formed and the resistor and the bottom part electrode are simultaneously made. - 特許庁

ＶGATE発生器１５を流れる電流のｎ倍の電流がポリシリコンヒューズ５を流れるようにするため、試し切り用のポリシリコンヒューズ５を設ける必要がなくなり、抵抗変化型ヒューズ回路全体のサイズを縮小できる。例文帳に追加

The whole size of the variable-resistance fuse circuit can be reduced, since it becomes unnecessary to form the polysilicon fuse 5 for trial opening by making n times as much as current of the VGATE generator 15 flow through the polysilicon fuse 5. - 特許庁

厚みの制御されたセラミック基板もしくはシリコン基板上に形成された抵抗器・コンデンサーの集合体を必要によっては抵抗器コンデンサー非形成面を研削し薄肉化し、ダイシングフィルムに貼り付けて個片化した状態で供給することにより、半導体パッケージ設計及び製造上の制約の少ない抵抗器・コンデンサーを供給する。例文帳に追加

In an assembly of resistors/capacitors formed on a ceramic substrate or silicon substrate having a controlled thickness, a surface on which the resistors/capacitors are not formed is ground as needed, so that thickness is reduced; and the assembly is adhered on a dicing tape and formed into individual pieces and then supplied; thereby supplying resistors/capacitors that do not so much limit design and production of semiconductor package. - 特許庁

原料ガスを反応容器２０に流通させることにより反応容器２０内に配置されたシリコンウェーハ２１の表面にエピタキシャル層を成膜するエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコンウェーハ２１の抵抗率に応じて、シリコンウェーハ２１を反応容器２０へ搬入する際のサセプタ２４の温度を調整する。例文帳に追加

In the method for manufacturing the epitaxial wafer, by which an epitaxial layer is formed on the surface of the silicon wafer 21 arranged in the reactor vessel 20 by distributing a raw material gas in the reactor vessel 20, the temperature of the susceptor 24 at the time of carrying the silicon wafer 21 into the reactor 20 is adjusted in accordance with resistivity of the silicon wafer 21. - 特許庁

放電素子部３は、シリコンサージアブソーバ３ａと、抵抗器３ｃを介してそれと並列に接続されている酸化亜鉛型サージアブソーバ３ｂとを備えている。例文帳に追加

The discharge element section 3 comprises a silicon surge absorber 3a and a zinc oxide-type surge absorber 3b connected with the silicon surge absorber 3a in parallel interposing a resistor 3c. - 特許庁

界磁電流検出器９１及び初期励磁電圧検出器９２によって夫々検出された界磁電流及び界磁電圧から、界磁抵抗関数器９３によって界磁抵抗を求め、これに基づいてリミッタ９４によって電力変換器３１のシリコン制御整流素子の点弧角の下限値を求める。例文帳に追加

According to a field current and a field voltage which is detected by a field current detector 91 and an initial excitation voltage detector 92, respectively, field resistance is obtained by field resistance function equipment 93, and the lower limit value of an ignition angle of the silicon control rectifying element of a power converter 31 is obtained by a limiter 94 based on the field resistance. - 特許庁