スパッタ深さの英語

一方、散乱板１１に対する入射角が深いイオンは散乱板１１をスパッタするが、イオントラップ９の基板５の方向は閉じていて、スパッタされた粒子は基板５の方向には飛散しないため、基板５に成膜される多層膜中に取り込まれることはない。例文帳に追加

On the other hand, the ions whose incident angle to the scattering plate 11 is deep sputter the scattering plate 11, but, the direction of a substrate 5 in the ion trap 9 is close, and the sputtered particles are not scattered to the direction of the substrate 5, thus they are not taken into a multilayer film deposited on the substrate 5. - 特許庁

アースシールド及び防着板を兼用するターゲット押さえにおいて、スパッタリングターゲット１または、バッキングプレート２に接触する絶縁部品１１に、スパッタリングターゲット１またはバッキングプレート２に接触しない深さの異なる２段以上の切込みを設ける。例文帳に追加

In the target holder which is also used for a grounding shield and a deposit-preventive plate, at least two stages of notches of different depth not in contact with a sputtering target 1 or a backing plate 2 are formed in an insulating component 11 in contact with the sputtering target 1 or the backing plate 2. - 特許庁

二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。例文帳に追加

In the method for analyzing the depth direction profile of the ion implantation element measured by a secondary ion mass analyzing method, the change of the sputtering yield changed by the degree of damage formed at the time of ion implantation is calculated from the attenuation depth and the depth axis of a measuring profile is corrected on the basis of the change of the sputtering yield. - 特許庁

スパッタリングによって深くエロージョンされるターゲットの領域がより厚く、その厚さがそれ以外の平行な部分の厚さの１．５倍以内であることを特徴とするエロージョンプロファイルターゲット。例文帳に追加

The erosion profiled target is characterized in that a deeply eroded region in the target by sputtering is thicker, but the thickness is 1.5 times or less than that of the other parallel part. - 特許庁

シリコン表面は、超真空中で窒素分子イオンの均一流により、起伏の波窪がＳＯＩ材料のシリコン−絶縁体の境界と同じ深さの周期的な波状起伏を形成するためにスパッタされる。例文帳に追加

A silicon surface is sputtered, so that undulation recess portion forms periodical vertical portion of the same depth as the boundary of the silicon-insulator of an SOI material due to the uniform flow of nitrogen molecular ions in a ultra-high vacuum condition. - 特許庁

基板１０３の表面には、モリブデンとシリコンからなるＭｏ／Ｓｉ多層膜（深層側多層膜）１０１がイオンビームスパッタ法によって成膜されている。例文帳に追加

An Mo/Si multilayered film (a deep layer side multilayered film) 101 consisting of molybdenum and silicon is film-deposited on the surface of a substrate 103 by an ion beam sputtering method. - 特許庁

シリコン基板の深掘り加工プロセスにおいて、生産性を低下させることなく安定したスパッタレートを維持することができるプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method which can keep a stable sputtering rate, without having to reduce productivity in the deep digging processes of a silicon substrate. - 特許庁

試料表面のスパッタ領域全域にわたって試料表面からの深さ方向における高精度な組成分析を行うことができる表面分析装置を提供すること。例文帳に追加

To obtain a surface analyzer by which the composition in the depth direction from the surface of a sample can be analyzed with high accuracy over the whole sputtering region on the surface of the sample. - 特許庁