「スパッタ深さ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

深い正孔充填及び銅の持続自己スパッタリングを促進させるのに十分なカバレージを与える小さな高磁場マグネトロンを開発する。例文帳に追加

To develop a small high magnetic field magnetron giving a coverage sufficient for promoting deep positive hole filling and the continuous self- sputtering of copper. - 特許庁

グロー放電発光分光分析におけるスパッタ面の平坦性の評価方法及び深さ分解能の評価方法例文帳に追加

SPUTTERING SURFACE FLATNESS EVALUATION METHOD AND RESOLUTION EVALUATION METHOD IN GLOW DISCHARGE EMISSION SPECTRAL ANALYSIS - 特許庁

一方、散乱板１１に対する入射角が深いイオンは散乱板１１をスパッタするが、イオントラップ９の基板５の方向は閉じていて、スパッタされた粒子は基板５の方向には飛散しないため、基板５に成膜される多層膜中に取り込まれることはない。例文帳に追加

On the other hand, the ions whose incident angle to the scattering plate 11 is deep sputter the scattering plate 11, but, the direction of a substrate 5 in the ion trap 9 is close, and the sputtered particles are not scattered to the direction of the substrate 5, thus they are not taken into a multilayer film deposited on the substrate 5. - 特許庁

アースシールド及び防着板を兼用するターゲット押さえにおいて、スパッタリングターゲット１または、バッキングプレート２に接触する絶縁部品１１に、スパッタリングターゲット１またはバッキングプレート２に接触しない深さの異なる２段以上の切込みを設ける。例文帳に追加

In the target holder which is also used for a grounding shield and a deposit-preventive plate, at least two stages of notches of different depth not in contact with a sputtering target 1 or a backing plate 2 are formed in an insulating component 11 in contact with the sputtering target 1 or the backing plate 2. - 特許庁

二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。例文帳に追加

In the method for analyzing the depth direction profile of the ion implantation element measured by a secondary ion mass analyzing method, the change of the sputtering yield changed by the degree of damage formed at the time of ion implantation is calculated from the attenuation depth and the depth axis of a measuring profile is corrected on the basis of the change of the sputtering yield. - 特許庁

スパッタリングによって深くエロージョンされるターゲットの領域がより厚く、その厚さがそれ以外の平行な部分の厚さの１．５倍以内であることを特徴とするエロージョンプロファイルターゲット。例文帳に追加

The erosion profiled target is characterized in that a deeply eroded region in the target by sputtering is thicker, but the thickness is 1.5 times or less than that of the other parallel part. - 特許庁

シリコン表面は、超真空中で窒素分子イオンの均一流により、起伏の波窪がＳＯＩ材料のシリコン−絶縁体の境界と同じ深さの周期的な波状起伏を形成するためにスパッタされる。例文帳に追加

A silicon surface is sputtered, so that undulation recess portion forms periodical vertical portion of the same depth as the boundary of the silicon-insulator of an SOI material due to the uniform flow of nitrogen molecular ions in a ultra-high vacuum condition. - 特許庁

基板１０３の表面には、モリブデンとシリコンからなるＭｏ／Ｓｉ多層膜（深層側多層膜）１０１がイオンビームスパッタ法によって成膜されている。例文帳に追加

An Mo/Si multilayered film (a deep layer side multilayered film) 101 consisting of molybdenum and silicon is film-deposited on the surface of a substrate 103 by an ion beam sputtering method. - 特許庁

シリコン基板の深掘り加工プロセスにおいて、生産性を低下させることなく安定したスパッタレートを維持することができるプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method which can keep a stable sputtering rate, without having to reduce productivity in the deep digging processes of a silicon substrate. - 特許庁

試料表面のスパッタ領域全域にわたって試料表面からの深さ方向における高精度な組成分析を行うことができる表面分析装置を提供すること。例文帳に追加

To obtain a surface analyzer by which the composition in the depth direction from the surface of a sample can be analyzed with high accuracy over the whole sputtering region on the surface of the sample. - 特許庁

非ＳＳＳ材料のスパッタリングイオン化の割合を増大させ、これにより外部バイアスあるいはセルフバイアスのぺデスタルによって深いホール充填を促進する。例文帳に追加

To increase the ratio of the sputtering ionization of a non-SSS material and thereby to promote the filling of a deep hole by a pedestal of an external bias or a self-bias. - 特許庁

この場合に、スパッタ発生量が増大するが、初層又はその近傍の深い位置での溶接であるので、溶接作業性には影響しない。例文帳に追加

In this case, the amount of generation of spatters is increased, however work efficiency of welding is not affected by the increased amount of generation of spatters since welding is performed in the first layer or in the deep position in the vicinity thereof. - 特許庁

グロー放電による試料Ｓ表面へのスパッタリングを用いて試料Ｓの深さ方向の成分分析を行なうグロー放電分析装置１であって、試料の各部の成分比によって層に分類した各層の成分比の平均を、深さ方向の位置に対応させて表わす深さ成分比グラフ３６の表示部３５を有する。例文帳に追加

The glow discharge analysis apparatus 1 analyzes components in a depth direction of the sample S by sputtering to a surface of the sample S using a glow discharge, and has a display 35 for displaying a depth component ratio graph 36 for indicating so as to correspond an average of the component ratio of each layer classified by the component ratio of each region of the sample to a location in the depth direction. - 特許庁

スパッタリング装置の接電端子は、その深さ方向に所定のテーパー角を有する凹部が形成され、給電端子２２が凹部に進入して電気的に接続された時、該凹部の最底部は該給電端子の先端部が接することのできない空間を有していることを特徴とする。例文帳に追加

In the connection terminal of the sputtering apparatus, a recessed part having a prescribed tapered angle in its depth direction is formed and the bottom part of the recessed part has such a space that the tip part of the feeding terminal can not come in contact with the bottom part when the feeding terminal 22 advances to the recessed part and electrically connected. - 特許庁

基板１０上に、形成された例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層１１に深さ３００ｎｍ以下の配線用の溝を形成し、バリアメタルとなる下層導電体１２として例えばタンタルナイトライド（ＴａＮ）をスパッタリング法またはＣＶＤ法を利用して薄膜状態で堆積する。例文帳に追加

The wiring grooves having depths of ≤300 nm are formed on the insulating layer 11 composed of, for example, a silicon oxide film and formed on a substrate 10, and tantalum nitrides (TaN) are deposited in the groove as lower-layer conductors 12 which become barrier metals in a thin-film state by using the sputtering method or CVD method. - 特許庁

基材表面に膜形成された測定対象膜を、スパッタを用いた深さ方向分析法で分析する際に、測定対象膜上に汚染物質が不均一な厚みで付着していても、汚染物質を測定前に除去することなく、測定対象膜の厚みを測定することが出来るようにすること。例文帳に追加

To measure a thickness of a measuring objective film without removing a contaminant before the measurement, even when the contaminant is deposited with an uneven thickness on the measuring objective film, when analyzing the measuring objective film film-formed on a base material surface by a depth-directional analytical method using spattering. - 特許庁

抵抗溶接による電池ケースとリード間の接続強度を安定させるために電池ケースとリード間に形成される溶接ナゲットの溶け込み深さを深くするだけでなく、溶接の際発生するスパッタの発生を抑制することにより多孔質絶縁体の破損やそれによる内部短絡を生じない構成とした電池を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a battery which is constructed by not only increasing the penetration depth of a welding nugget formed between a battery case and leads to stabilize the strength of the resistance-welded connection of the battery case and leads, but also suppressing occurrence of sputter during welding, thereby preventing damage to a porous insulator and a resulting internal short-circuiting. - 特許庁

イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料１の表面から放出される二次イオン４を検出し、試料１中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する際に、試料１を酸素雰囲気２に曝した状態でイオンビームを照射して、試料１の極表面での元素分布評価を行う。例文帳に追加

When a secondary ion 4 released from the surface of a sample 1 through sputter etching by ion beam radiation is detected, and the depth-wise distribution of the element containing in the sample 1 is measured, an ion beam is irradiated in a state where sample 1 is exposed to an oxygen atmosphere 2, and the element distribution on the extreme surface of the sample 1 is evaluated. - 特許庁

ヒューム発生量、スパッタ発生量、および、スラグ発生量を低減させることができ、かつ平坦なビード形状と適度に小さな溶込み深さを有する硬化肉盛溶接金属を得ることができる硬化肉盛用ＭＩＧアーク溶接ワイヤおよび硬化肉盛用ＭＩＧアーク溶接方法を提供する。例文帳に追加

To provide a hardfacing MIG arc welding wire for capable of reducing a generation amount of fumes, a generation amount of spatters, and a generation amount of slug and of obtaining a hardfacing welding metal having a flat bead shape and an adequately small penetration depth, and also to provide a hardfacing MIG arc welding process. - 特許庁

トラックガイド層４を形成した基板２上に、前記トラックガイド層４のトラックガイド溝３の深さより厚い中間層６ｄを形成し、さらに記録層と中間層を真空蒸着プロセス、またはスパッタリングプロセスにより交互に連続形成する工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing the optical information recording medium comprises a process for forming an intermediate layer 6d thicker than the depth of the track guide grooves 3 of a track guide layer 4 on the substrate 2 on which the track guide layer 4 is formed and further alternately and continuously depositing the recording layers and the intermediate layers thereon by a vacuum deposition process or a sputtering process. - 特許庁

本発明のピアス式電子銃は、電子ビーム発生部におけるカソードに、カソードに向かって逆流してくるイオンと、カソードへのイオンの衝突によりスパッタされたカソード成分を捕集するための、直径に対する深さのアスペクト比が１．５以上の捕集孔が予め設けてあることを特徴とする。例文帳に追加

In the pierce-type electron gun of this invention, a cathode in an electron beam generating part is provided with a collection hole for collecting ions flowing backwards to a cathode and a cathode component spattered by collision of the ions to the cathode and having an aspect ratio of the depth to a diameter is 1.5 or more. - 特許庁

スパッタの発生を少なくでき、かつ溶接部の溶け込み深さの不足によって、溶接強度が不足したり、また長時間の使用により酸化スケールが進展したりするおそれの少ないスパークプラグの製造方法と、従来の方法では実現できなかった発火部耐久性を具備したスパークプラグとを提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a spark plug in which generation of spatter can be reduced, and shortage of welding due to insufficient melting depth at the welding part and development of oxidized scale due to long time use are eliminated, and a spark plug which has durability at the ignition part that has not been realized by the conventional method. - 特許庁