トランジスター特性の英語

所期の特性が得られ高品位な表示を得ることができる薄膜トランジスターの製造方法、及び電気光学装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a thin film transistor capable of acquiring desired characteristics and a high-quality display, and an electro-optic device. - 特許庁

有機薄膜トランジスターの特性が損なわれることを減少することができる平板表示装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a flat display for less degradation in characteristics of an organic thin film transistor. - 特許庁

トランジスターの電気的特性の経時劣化に応じて駆動能力を変化させて、誤動作を防止しつつ消費電力を低減する。例文帳に追加

To reduce a power consumption, while preventing malfunction, by changing a driving capacity corresponding to deterioration with time of an electric characteristic of a transistor. - 特許庁

トランジスター多層金属構造における絶縁膜としてのＦＢＰＳＧ膜のリフロー特性を改善する。例文帳に追加

To improve an FBPSG(fluorinated Borophosphosilicate glass) film in reflow properties as an insulating film in a transistor multilayered metal structure. - 特許庁

大気中動作に優れており、また電気特性が経時的に劣化し難く、高いキャリア移動度とともに大きなｏｎ／ｏｆｆ比を有する有機トランジスター、および有機トランジスターの製造方法、かかる有機トランジスターを備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。例文帳に追加

To provide an organic transistor excellent in operation under the atmosphere, hardly deteriorated in an electric characteristic with the lapse of time, and having high carrier mobility and a large on/off-ratio, a manufacturing method for the organic transistor, and a highly reliable electronic device and electronic equipment provided with the organic transistor. - 特許庁

単結晶シリコン層を貼り付けた高価な基板や、触媒金属を拡散させたシリコン膜を用いなくても、トランジスター特性の優れた薄膜トランジスターを備えた半導体装置の製造方法、半導体装置、および電気光学装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a thin film transistor with excellent transistor characteristics without the use of an expensive substrate having a monocrystalline silicon layer laminated thereon, or a silicon film which diffuses a catalyst metal, the semiconductor device, and an electrooptical device. - 特許庁

２つのユニットの各々において、電流−電圧特性により動作点を決める要素（Ｓ１，Ｓ２）は、単一のトランジスター（Ｔ１）、及びこれと同一タイプで且つ直列に接続された一対のトランジスター（Ｔ２，Ｔ３）をそれぞれ含む。例文帳に追加

Each of elements S1, S2 for determining respective operation points by current-voltage characteristics in respective units G1, G2 includes a single transistor(TR) T1 and a pair of TRs T2, T3 belonging to the same type as the TR T1 and connected in series. - 特許庁

電流源は、一端が第１の電源ノードＶＳＳに接続される抵抗Ｒと、ソースに抵抗Ｒの他端が接続され、ゲートに第１の電源ノードＶＳＳが接続されるデプレッション型のトランジスターＴＲとを含み、トランジスターＴＲのしきい値電圧は負の温度特性を有し、抵抗Ｒの抵抗値は正の温度特性を有する。例文帳に追加

The current source includes a resistor R having one end connected to a first power source node VSS, and a depression type transistor TR in which the other end of the resistor R is connected to a source and the first power source node VSS is connected to a gate, wherein the threshold voltage of the transistor TR has negative temperature characteristics and the resistance value of the resistor R has positive temperature characteristics. - 特許庁