「トランジスター特性」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ＬＤＤ/オフセト領域を具備している薄膜トランジスターに関するもので、前記ＬＤＤ/オフセット領域ではポリシリコン基板の“プライマリー”結晶粒境界が位置してないことを特徴とする薄膜トランジスターを提供することによって、漏洩電流特性等の電気的特性が優れる薄膜トランジスターを提供することができる。例文帳に追加

The thin-film transistor having LDD/offset regions to be provided is constituted such that a "primary" grain boundary of the polysilicon base layer is not positioned in the LDD/offset regions, thereby a thin-film transistor having excellent electrical characteristics such as leakage current characteristics is provided. - 特許庁

高いアーリー電圧，高周波性能及び高降伏電圧特性を具備した相補型バイポーラトランジスター及びその製造方法例文帳に追加

COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTOR HAVING HIGH EARLY VOLTAGE, EXCELLENT HIGH-FREQUENCY PERFORMANCE, AND HIGH BREAKDOWN VOLTAGE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

所期の特性が得られ高品位な表示を得ることができる薄膜トランジスターの製造方法、及び電気光学装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a thin film transistor capable of acquiring desired characteristics and a high-quality display, and an electro-optic device. - 特許庁

有機薄膜トランジスターの特性が損なわれることを減少することができる平板表示装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a flat display for less degradation in characteristics of an organic thin film transistor. - 特許庁

トランジスターの電気的特性の経時劣化に応じて駆動能力を変化させて、誤動作を防止しつつ消費電力を低減する。例文帳に追加

To reduce a power consumption, while preventing malfunction, by changing a driving capacity corresponding to deterioration with time of an electric characteristic of a transistor. - 特許庁

トランジスター多層金属構造における絶縁膜としてのＦＢＰＳＧ膜のリフロー特性を改善する。例文帳に追加

To improve an FBPSG(fluorinated Borophosphosilicate glass) film in reflow properties as an insulating film in a transistor multilayered metal structure. - 特許庁

大気中動作に優れており、また電気特性が経時的に劣化し難く、高いキャリア移動度とともに大きなｏｎ／ｏｆｆ比を有する有機トランジスター、および有機トランジスターの製造方法、かかる有機トランジスターを備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。例文帳に追加

To provide an organic transistor excellent in operation under the atmosphere, hardly deteriorated in an electric characteristic with the lapse of time, and having high carrier mobility and a large on/off-ratio, a manufacturing method for the organic transistor, and a highly reliable electronic device and electronic equipment provided with the organic transistor. - 特許庁

単結晶シリコン層を貼り付けた高価な基板や、触媒金属を拡散させたシリコン膜を用いなくても、トランジスター特性の優れた薄膜トランジスターを備えた半導体装置の製造方法、半導体装置、および電気光学装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a thin film transistor with excellent transistor characteristics without the use of an expensive substrate having a monocrystalline silicon layer laminated thereon, or a silicon film which diffuses a catalyst metal, the semiconductor device, and an electrooptical device. - 特許庁

２つのユニットの各々において、電流−電圧特性により動作点を決める要素（Ｓ１，Ｓ２）は、単一のトランジスター（Ｔ１）、及びこれと同一タイプで且つ直列に接続された一対のトランジスター（Ｔ２，Ｔ３）をそれぞれ含む。例文帳に追加

Each of elements S1, S2 for determining respective operation points by current-voltage characteristics in respective units G1, G2 includes a single transistor(TR) T1 and a pair of TRs T2, T3 belonging to the same type as the TR T1 and connected in series. - 特許庁

電流源は、一端が第１の電源ノードＶＳＳに接続される抵抗Ｒと、ソースに抵抗Ｒの他端が接続され、ゲートに第１の電源ノードＶＳＳが接続されるデプレッション型のトランジスターＴＲとを含み、トランジスターＴＲのしきい値電圧は負の温度特性を有し、抵抗Ｒの抵抗値は正の温度特性を有する。例文帳に追加

The current source includes a resistor R having one end connected to a first power source node VSS, and a depression type transistor TR in which the other end of the resistor R is connected to a source and the first power source node VSS is connected to a gate, wherein the threshold voltage of the transistor TR has negative temperature characteristics and the resistance value of the resistor R has positive temperature characteristics. - 特許庁

また、ロアー素子に当たるトランジスター４１２、４２２、４３２のコレクタ、エミッタ間電圧を検出した後、電圧電流特性に基づき、トラジスター４１２、４２２、４３２のコレクタ電流を検出する。例文帳に追加

Further, it detects the collector-emitter voltages of transistors 412, 422, 432 equivalent to lower elements and then detects the collector currents of the transistors 412, 422, 432 based on the voltage-current characteristic. - 特許庁

ゲイン及びその他の特性及び工程の制御性などを向上させるＣＭＯＳプロセスを利用したバイポーラトランジスターの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a bipolar transistor using a CMOS process which improves the gain and other properties and controllability of processes. - 特許庁

フレキシブル可能な基板を一方向に曲げる時、基板上に形成された薄膜トランジスターの電気的特性変化を最小化することができる有機電界発光表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide an organic light emitting display device in which a change in an electrical property of a thin film transistor formed on a substrate can be minimized when a flexible substrate is bent in one direction. - 特許庁

キャッピング層のパターニングを通じてライン形態シードを形成して結晶化することにより、結晶が成長する位置及び方向を調節して素子特性を向上させ、均一な値を有する薄膜トランジスターを提供する。例文帳に追加

To provide a thin film transistor improved in element characteristics, and so having their uniform values by adjusting the position and direction of crystal growth by forming a seed in a line form for crystallization through the patterning of a capping layer. - 特許庁

本発明の目的は、以下に記載の構成をとることにより従来と比較して優良な特性を有する薄膜トランジスターを作成するための方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a thin film transistor having good characteristics compared to a conventional one by adopting the following described structure. - 特許庁

素子基板に絶縁膜を成膜した際にフッ素が混入しても、電界効果型トランジスターに特性異常が発生することを防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an electro-optical device capable of preventing a characteristic abnormality from occurring in a field effect transistor even if fluorine is mixed into an insulating film when the insulating film is deposited on an element substrate. - 特許庁

伝導性基板に偶然に印加される電圧、静電気及び外力による薄膜トランジスターの特性低下を防止することができる平板表示装置及びその駆動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a flat panel display capable of preventing a thin film transistor from deteriorating due to voltage, static electricity, and external force, accidentally applied to a conductive substrate, and a method for driving the same. - 特許庁

各画素1を構成している駆動トランジスターT1の特性がお互いに異なるかまたは時間の経過によってその特性が変化してもそれとは関係なく各画素1に印加される電流の大きさが一定になるように制御される。例文帳に追加

Even if the characteristics of the drive transistor T1 constituting each of the pixels 1 vary from each other, or even if the characteristics change with the lapse of time, the magnitude of the current applied to each of the pixels 1 is so controlled as to be kept constant, regardless thereof. - 特許庁

トランジスター特性の変動を補正する制御信号を生成する補正回路１０、２０において、温度係数が正の抵抗２ａ、４ａと温度係数が負の抵抗２ｂ、４ｂを直列接続し、所望の温度依存特性を有する抵抗部を作製する。例文帳に追加

A resistor unit with a desired temperature dependence characteristic is produced by connecting a resistor 2a (4a) with a positive temperature coefficient in series with a resistor 2b (4b) with a negative temperature coefficient in the correction circuit 10 (20) for generating a control signal for correcting variations in transistor characteristics. - 特許庁

望ましい凹凸角度を有する「凹凸部」を形成してマイクロレンズとしての光特性を向上し、しかもコンタクトホールに有機絶縁膜が残留しない、反射透過複合型薄膜トランジスター液晶表示装置の、経済的な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an economical manufacturing method for transflective thin film transistor liquid crystal display device that improves optical characteristics as a microlens by forming an "uneven part" having a desired unevenness angle and further leaving no organic insulating film in a contact hole. - 特許庁

着色層の電気的な性質が液晶の配向乱れや、スイッチング性能に悪影響を与えることの無いカラーフィルタ、及び薄膜トランジスター（ＴＦＴ）方式カラー液晶表示装置の駆動用基板上の着色層についても電気特性に優れたカラーフィルタを形成することができるカラーフィルタ用着色組成物、及びカラーフィルタを提供すること。例文帳に追加

To provide a color composition for a color filter that forms a color filter where the electric property of a colored layer does not adversely affect the alignment disorder of liquid crystal and switching performance, and a color filter having high electric characteristic also for the colored layer on a substrate for driving of a thin film transistor (TFT) type color liquid crystal display device, and to provide the color filter. - 特許庁

大型液晶ディスプレイの製造工程で採用されている基板上に、ウエハーとのコンタクトパッドと必要な配線、周波数特性改善用の補正容量、信号切り替え薄膜トランジスター等をフォトリソグラフ技術等でパターンニングすることにより、高精度且つ低コストのウエハー全チップ一括同時コンタクトが可能なプローブカードを作成する。例文帳に追加

On a substrate used for a production process of a large liquid crystal display, a probe card capable of the simultaneous collective contact to the entire chips on a wafer in high accuracy and low cost is disposed by patterning the following components using photolithography technique or the like: a contact pad with wafer and required wiring; a correction capacity for frequency characteristic improvement; and a signal switching thin-film transistor, and the like. - 特許庁

素子基板の基板本体として半導体基板を用いた場合でも、複雑なウエル構造や大掛かりな遮光構造を必要とせず、かつ、基板本体としてガラス基板などを用いた場合に比較して画素トランジスターの特性を大幅に向上することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide an electro-optical device which significantly improves pixel transistor characteristics without requiring a complicated well structure and a large-scale light shielding structure even when using a semiconductor substrate as a main substrate of an element substrate, as compared with when using a glass substrate as the main substrate, and also provide an electronic equipment having the electro-optical device. - 特許庁

本発明によれば、導電体層／絶縁体層／半導体層構造を有するＴＦＴにおいて、半導体層及び絶縁体層材料の両者を有機化合物とし、更に絶縁体層を形成する物質として水酸基を有しない高分子物質を用いることにより、ｎ型トランジスター特性を低下させることがなく、更にキャリアー移動度を高めることができる。例文帳に追加

Therefore, carrier mobility can be further enhanced without deteriorating the n-type transistor characteristics. - 特許庁