フェルミ面の英語

トンネル絶縁膜５のうち少なくとも半導体基板１との界面付近の一部４には、電子ポテンシャルが半導体基板１のフェルミレベルよりも高い電荷トラップ準位が設けられている。例文帳に追加

At least at a part 4 of the tunnel insulation film 5 in the vicinity of an interface with the semiconductor substrate 1, there provided is an electric charge trap level at which an electronic potential is higher than a Fermi level of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

ここで、調整背面電極層１２は、少なくとも光吸収層１３と接触する部位の材料が、その仕事関数が光吸収層材料のフェルミエネルギーに等しいかそれより大きいものに選定されている。例文帳に追加

Hereupon, in the adjustment back-face electrode layer 12, the work function of the material of its portion contacted at least with the light absorbing layer 13 is so selected as to be made equal to or larger than the Fermi energy of the material of the light absorbing layer. - 特許庁

レーザによる結晶化の前に少なくとも薄膜半導体層全面に少なくとも一種類以上の不純物が導入され両導電型のトランジスタ形成領域の疑フェルミレベルの比を０．５〜２の範囲に収める。例文帳に追加

Prior to the crystallization by laser, at least one kind of impurity is doped into at least the entire surface of a thin film semiconductor layer so that the ratio of Quasi-Fermi levels in the regions for forming each conductive type transistor therein is limited to 0.5-2. - 特許庁

状態密度は図２に示すような特性となり、横軸の０点（フェルミ面）を見ると、ｍａｊｏｒｉｔｙ−ｓｐｉｎでは金属的、ｍｉｎｏｒｉｔｙ−ｓｐｉｎでは半導体的でありハーフメタルになっている。例文帳に追加

The state density has a characteristic as shown in Fig. 2, and it is seen from the 0-point (Fermi surface) of the horizontal axis that the state density is metallic in majority-spin and semiconductor-like and half-metallic in minority-spin. - 特許庁

半導体−電極界面、および、半導体−ゲート絶縁体界面におけるフェルミエネルギーの差の大きさを与える数式を用いて、ＴＦＴ材料を変えずに電極および絶縁膜の表面修飾だけを選択的に変化してｎ型とｐ型のＴＦＴを実現する。例文帳に追加

Only surface modifications of an electrode and an insulating film are selectively changed, without changing TFT materials, by using a mathematical expression values of differences in Fermi energy on a semiconductor-electrode interface and a semiconductor-gate insulator interface to actualize n-type and p-type TFTs. - 特許庁

比較的強度の強いプローブ光の影響を受けたＦＫ振動からであっても表面フェルミ準位を求めることができると同時に表面再結合速度を決定できる表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for measuring surface carrier recombination speed capable of obtaining surface Fermi level even from FK oscillation influenced by probe light having relatively large intensity and at the same time capable of determining surface recombination speed. - 特許庁

半導体−電極界面、および、半導体−絶縁体界面におけるフェルミエネルギーの差の大きさを与える数式を用いて、ＴＦＴ材料を変えずに上薬だけを選択的に変化してｎ型とｐ型のＴＦＴを実現する。例文帳に追加

An expression giving a magnitude of difference in Fermi energy between on a semiconductor-electrode interface and on a semiconductor-insulator interface is used and only a cover coat is selectively changed while a TFT material is not changed, thereby achieving n-type and p-type TFTs. - 特許庁

コア粒子と白金シェル層の界面の白金、白金シェルの最外表面の白金５ｄ軌道電子の、フェルミ準位を基準とした平均束縛エネルギーをＥ_intとする時、コア粒子は、Ｅ_out≧３．０ｅＶとなる元素を含有する。例文帳に追加

When the average constraint energy is determined to be E_int based on the Fermi level of platinum in the boundary of core particles and the platinum shell layer; that is, platinum 5d orbital electrons on the outermost surface of the platinum shell, core particles contain an element with E_out≥3.0 eV. - 特許庁