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光食刻法の英語
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英訳・英語 photolithography
「光食刻法」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
生産用スタンパの背面が、レーザ刻印、ダイアモンド刻印、食刻又は、像を生成する他の手段によってマークされる方法により、光学的に読み取り可能な情報記録媒体が製作される。例文帳に追加
An optically readable information recorded medium is manufactured by forming a mark on the back of the production stamper by laser engraving, diamond engraving, etching or image forming. - 特許庁
ガラスマスク13を介して、レーザー光を半導体装置に照射することにより、文字、記号以外の部分が、食刻され捺印内容が見やすくなるとともに、食刻部の深さも浅くすることができ品質の面においても問題のない捺印方法が実現できる。例文帳に追加
Emitting a laser beam to the semiconductor device through the glass mask 13 can etch parts other than the characters and the symbol, provide stamped contents that can easily be viewed, and make the depth of the etched parts shallow to realize the stamping method causing no problem from the standpoint of quality. - 特許庁
外部電極と内部電極配線を有する基板全体に感光性物質を塗布し、写真食刻法を用いてICチップを搭載しワイヤを接続する領域以外の領域に感光性物質を形成する。例文帳に追加
A substrate having an external electrode and an internal electrode wiring is coated entirely with a photosensitive substance and then mounts an IC chip using a photoetching method before the photosensitive substance is formed in a region other than that being connected to wires. - 特許庁
本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる技術である。例文帳に追加
The technology of the semiconductor element manufacturing method includes a process, especially, of burying the insulating film between gate patterns in place of the photo-sensitive film when implanting the ions into the semiconductor substrate of lower portion of the bit line contact area, etching it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, preventing the leakage current of the cell transistor. - 特許庁
ビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor element manufacturing method which buries an insulating film between gate patterns in place of a photo-sensitive film when implanting ions into a semiconductor substrate of lower portion of a bit line contact area, etches it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, can prevent a leakage current of a cell transistor. - 特許庁
基板内に多数のチップを搭載し、基板の内部電極配線とICチップの電極とをワイヤで接続した後に、感光性物質を基板全体に塗布し、写真食刻法を用いてICチップのまわりを感光性物質の枠で囲み板状のふたを接着する。例文帳に追加
A large number of chips are mounted in a substrate and after the internal electrode wiring of the substrate is connected to the electrodes of the IC chip through wires, the substrate is coated entirely with a photosensitive substance and the IC chip is surrounded by the frame of a photosensitive substance using photoetching before being bonded with a lid. - 特許庁
基板内に多数のチップを搭載し、基板の内部電極配線とICチップの電極とをワイヤで接続した後に、感光性物質を基板全体に塗布し、写真食刻法を用いてICチップの露出すべき領域以外を感光性物質の枠で囲み板状のふたを接着する。例文帳に追加
A large number of chips are mounted in a substrate and after the internal electrode wiring of the substrate is connected to the electrodes of the IC chip through wires, the substrate is coated entirely with a photosensitive substance and the region of the IC chip other than the region to be exposed is surrounded by the frame of the photosensitive substance using photoetching before being bonded with a lid. - 特許庁
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「光食刻法」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
ハーフトーン露光技術を用いて1回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度(マージン)が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。例文帳に追加
To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and the source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique. - 特許庁
ハーフトーン露光技術を用いて1回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度(マージン)が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。例文帳に追加
To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique. - 特許庁
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