半単体複体の英語

複数の半導体チップを組み合わせて構成される半導体装置において、半導体チップ単体の状態での動作確認を確認用の端子を増やすことなく、かつ、容易に行うことができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To easily conduct confirmation for an operation in a condition of a semiconductor chip single body without increasing the number of terminals for the confirmation, in a semiconductor device constituted combinedly with plural semiconductor chips. - 特許庁

本発明は、半導体装置および複数の半導体装置を混載したマルチチップモジュールに関し、マルチチップモジュールに組み立てる前の半導体装置の単体での試験を確実に実行することを目的とする。例文帳に追加

To reliably execute tests on a semiconductor device as a single body before it is assembled to a multi-chip module on the semiconductor device and the multi-chip module on which a plurality of the semiconductor devices are mixed by mounted. - 特許庁

一側辺側のヒンジ部４廻りに揺動して開閉可能とする前後に切欠部を有する第１半体１・第２半体からなるコード包囲単体10が、連結手段５にて、複数個順次連結されている。例文帳に追加

A cord surrounding body 10, consisting of a first half body 1 and a second half body having a cutaway portion before and after the portions which opens or closes by swaying around a hinge portion 4 in one side of the side portion, is sequentially connected in plural numbers with a coupling means 5. - 特許庁

メモリチップと該メモリチップを制御するロジックチップを少なくとも含む複数のチップを１パッケージ化した半導体装置において、メモリ単体検査のための端子数増加を抑制できる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where increase of the number of terminals for testing a memory unit can be suppressed in the semiconductor device composed by integrating a plurality of chips containing at least a memory chip and a logic chip for controlling the memory chip into one package. - 特許庁

複数の半導体チップ搭載領域を備えた基板を半導体装置単体に個片化する切断工程において、基板に設けられたゲート部金属の切断くずがはんだボール面上に飛散して半導体装置のはんだボール間のショート不良を招く。例文帳に追加

To solve the problem that the cut waste of a gate part metal, provided on a substrate scatters on a solder ball surface and causes a short-circuit defect between the solder balls of a semiconductor device, in a cutting process of making the substrate provided with a plurality of semiconductor chip loading regions into the individual pieces of a semiconductor device single body. - 特許庁

構成層のうちの少なくとも一つの半導体層で、水素単体、水素と他の物質との化合物、及び水素と固有欠陥の複合体を含む水素濃度が、５×１０^１８ｃｍ^−３以下である。例文帳に追加

In at least one semiconductor layer of the constituting layers, hydrogen concentration containing a hydrogen simple substance, the compound of hydrogen and other substances, and the complex of hydrogen and inherent weakness is equal to or less than 5 x 10^18cm^-3. - 特許庁

本発明は、複数電圧源を用意することなくＦｅＦＥＴ単体へ多値記憶を行うことができる半導体不揮発記憶装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor nonvolatile storage device performing a multi-valued storage to a FeFET single substance without preparing a plurality of voltage sources. - 特許庁