影洞の英語

高速風洞試験に供される模型及び風洞天秤の両者を、模型の姿勢に影響されることなく、即時に衝撃波から防護できるようにする。例文帳に追加

To promptly protect both of a model and a wind tunnel balance supplied in high speed wind tunnel test from a shock wave without being affected by the posture of the model. - 特許庁

化学物質の衰退に影響を与えるパラメータの規模を考慮することによって，DDE の衰退についての更なる洞察を得ることができる。例文帳に追加

Additional insight into the fate of DDE can be obtained by considering the magnitudes of the parameters affecting chemical fate. - 英語論文検索例文集

化学物質の衰退に影響を与えるパラメターの規模を考慮することによって，DDEの衰退についての更なる洞察を得ることができる。例文帳に追加

Additional insight into the fate of DDE can be obtained by considering the magnitudes of the parameters affecting chemical fate. - 英語論文検索例文集

化学物質の推移に影響を与えるパラメターの規模を考慮することによって，DDEの推移について追加の洞察を得ることができる。例文帳に追加

Additional insight into the fate of DDE can be obtained by considering the magnitudes of the parameters affecting chemical fate. - 英語論文検索例文集

空洞層１１の断熱効果により温度特性変化の大きな部品２０に対する熱影響を低くできると同時に、空洞層１１は枠状の配線パターン１０と同一厚みで形成されるので、モジュール基板１を薄型化できる。例文帳に追加

Since the thermal influence on the component 20 having the large temperature characteristic change can be reduced by the adiabatic effect of the cavity layer 11 and the cavity layer 11 is formed by the same thickness as a frame-like wiring pattern 10, the module substrate 1 can be thinned. - 特許庁

本発明の船台支持干渉の影響を修正する方法は、風洞に容易に適用可能な船台を用いた半裁風洞試験において、得られた半裁模型試験データに含まれる干渉量を有効アスペクト比の増加率又は変化量に基づいて修正するものとした。例文帳に追加

The building berth support interference correcting method corrects an interference amount in a resulting half model test data based on an increase rate or a change amount of an effective aspect ratio in the half wind tunnel test using the building berth easily adaptable to a wind tunnel. - 特許庁

地下空洞が下水取付管に近接した位置にあるときに、下水管の機能を殆ど阻害せず、また作業による環境への影響を大幅に削減でき、地下の構築物等に損傷を与えることのない、簡素な地下空洞充填工法を提供する。例文帳に追加

To provide a simple underground cavity filling method, not hindering the function of a sewage pipe when an underground cavity is positioned close to a sewer lateral, remarkably reducing the influence of work upon the environment, not damaging an underground structure. - 特許庁

およびＣＺシリコンウエーハであって、その内部に空洞欠陥を含み、任意の{１１０}面に投影された該空洞欠陥像に外接する任意の長方形における、長い辺の長さＬ１と短い辺の長さＬ２との比（Ｌ１／Ｌ２）の最大値が２．５以上であるシリコンウエーハ。例文帳に追加

Further, the Cz silicon wafer contains void defects in its inside and has a characteristic that in an optional rectangle which circumscribes the void defect image formed by projecting a void defect to optional {110} face, the maximum ratio (L1/L2) of length (L1) of the long side to the length (L2) of the short side of the rectangle is at least 2.5. - 特許庁