成長反応性の英語

成長後に反応炉内の残留ガスやパーティクルを除去することを目的とし、反応炉内に高流速の不活性ガスを基板上流部より噴出し、その後成長シーケンスを開始する。例文帳に追加

Inert gas having high velocity is jetted out into a reactor from a substrate upstream section before a growth sequence is started, thus removing residual gas and particles in the reactor after growth. - 特許庁

ポリマ鎖／薄膜成長において，反応性分子ガスの供給レート制御の容易化，副生成物の成長領域からの排除により，成長制御性を向上させること，反応性分子の利用効率を向上させること，および分子切り替え速度を高速化することである。例文帳に追加

To facilitate feed-rate control of reactive molecular gas in polymer chain/thin film growth, to improve growth controllability by excluding byproducts from a growth region, to increase utilization efficiency of the reactive molecule, and to attain the high speed of molecular switching speed. - 特許庁

本発明の実施形態に係る粒子製造装置は、反応容器１と、原料ガスと反応抑制剤発生ガスを導入するガス導入部２と、反応容器１にキャリアガスを導入する不活性ガス導入部と、反応容器１に設けられるヒータ５と、排出部６とを備え、粒子の生成反応とその逆反応を用いて、粒子の成長を制御する。例文帳に追加

The particle manufacturing apparatus has a reaction vessel 1, a gas introducing portion 2 introducing a raw material gas and a reaction inhibitor generating gas, an inert gas introducing portion introducing a carrier gas into the reaction vessel 1, a heater 5 provided in the reaction vessel 1, and a discharge portion 6 to control the growth of particles by using the reaction of formation of particles and its reverse reaction. - 特許庁

供給されたガスが適切に成長表面で反応させられるようにし、速い成長速度においても結晶性の良好な成長が行えるようにする。例文帳に追加

To realize growth with a good crystallinity even at a high growth speed by allowing supplied gases to appropriately react on a growth surface. - 特許庁

半導体生産性の向上と共に、気相成長反応の副生成物による金属部品の腐食を防止することを可能とする気相成長膜形成装置および気相成長膜形成方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a vapor-phase-grown-film forming device that prevents corrosion of metal components caused by a by-product of a vapor-phase growth reaction while achieving improvement in semiconductor productivity, and a vapor-phase-grown-film forming method. - 特許庁

反応容器に少なくとも原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、耐圧性容器内に該反応容器を装填し、該反応容器中を超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気にして、該反応容器内で窒化物結晶を成長させる際に、反応容器としてその一部に圧力調整領域（２３）を備えたものを用いる。例文帳に追加

After sealing the reaction vessel filled with at least a raw material and an ammonia solvent, the reaction vessel is loaded in a pressure-resistant vessel, the inside of the reaction vessel is made to a supercritical state and/or a subcritical ammonia atmosphere, and the nitride crystal is developed in the reaction vessel using one provided with a pressure regulation region (23) in a part. - 特許庁

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide vapor growth equipment or a vapor growth method, which enables effectively vapor growth of a uniform semiconductor film excellent in crystallinity on a substrate, when vapor growth of a large substrate or simultaneous vapor growth of a plurality of substrates is performed, and when a vapor growth temperature is set at a high temperature and vapor growth is performed, in vapor growth using a horizontal type reaction tube. - 特許庁

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for vapor phase epitaxy, which can effectively grow a uniform semiconductor film having adequate crystallinity on a substrate through vapor phase epitaxy, both when performing vapor phase epitaxy on a large-scale substrate or simultaneously on several substrates, and when performing the vapor phase epitaxy set at high temperature, in a vapor phase epitaxy with the use of a horizontal type reaction tube. - 特許庁