格子点欠陥の英語

電子コンポーネント製造中、それに関連する半導体ウェハ領域内の凝集した空格子点欠陥を、その領域内のサイズが臨界サイズを超えないよう収縮させる。例文帳に追加

During the manufacture of an electronic component, the defects accumulated by vacant lattice points in the region of a semiconductor are made to shrink to have the size in the region not exceeding the critical size. - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板とリン化硼素層との大きな格子不整合度に因り、結晶欠陥密度の少ない単結晶のリン化硼素層を安定して形成できない問題点を解決する。例文帳に追加

To solve the problem that a boron phosphide layer of a single crystal having little crystal defect density cannot be stably formed due to a large lattice mismatching degree of an Si single crystal substrate and the boron phosphide layer. - 特許庁

このようにすれば、位置検出用の照明光及び原点検出用の照明光はともに、メインスケール２０上の回折格子の欠陥や付着した異物などの影響を受けにくくなる。例文帳に追加

This causes both the illumination light for location detection and the illumination light for original point detection to be less susceptible to defects in the diffraction grating on a main scale 20, foreign matter deposited thereon, etc. - 特許庁

コア領域１０は、断面の中央部における二次元周期構造のうちの７つの格子点において高屈折率領域が取り除かれた周期構造欠陥によって形成されている。例文帳に追加

The core region 10 is formed of a periodic structural defects in which the high refractive index region is removed at seven lattice points of the two-dimensional periodic structure, in the center section of the cross section. - 特許庁

コア領域１１は、断面の中央部における二次元周期構造のうちの少なくとも１つの格子点において高屈折率領域が取り除かれた周期構造欠陥によって形成されている。例文帳に追加

The core region 11 comprises a periodic structural defect in which the high refractive index region is removed in at least one grid point in the two-dimensional periodic structure in the center of the cross section. - 特許庁

複数の設計波長で動作する３次元フォトニック結晶において、格子周期を変化させることなくフォトニックバンドギャップ波長帯域を所望の波長に制御することができる３次元フォトニック結晶、もしくはその内部に点欠陥共振器構造や線欠陥導波路構造を備えた光学素子を提供する。例文帳に追加

To provide a three-dimensional photonic crystal operated by a plurality of designed wave lengths with which a photonic band gap wavelength band is controlled to a desired wavelength without varying a lattice period or an optical element having a point defect resonator structure and a line defect waveguide structure in the inside. - 特許庁

半導体ウェハの製造にあたり、凝集した空格子点欠陥を除去しなければならないという必要性ひいてはそれに付随する困難を回避し、それにもかかわらずこのような欠陥タイプの現存が、以降のプロセスステップで半導体ウェハを後続処理して形成される電子コンポーネントの機能に対しリスクとはならないようにする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor wafer, wherein the necessity or the associated difficulty of eliminating defects accumulated by vacant lattice points is dispensed with and the presence of defects caused despite of the above consideration does not create a risk to a function of an electronic component formed by later treatments of a semiconductor wafer in the following processing steps. - 特許庁

Ｉ−リッチ領域に入る引上げ成長条件でシリコン単結晶を引き上げ成長させるに際して、シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位で、格子間型点欠陥を起点にしてスリップが発生しないようにする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon wafer where slip starting from an interstitial spot defect does not occur at a portion from the shoulder part to the top of the cylindrical part of a silicon single crystal when the silicon single crystal is pulled and grown at the condition of entering in an I-rich zone. - 特許庁