点接触シリコンの英語

次に下層シリコン層１４とシリコン含有低融点金属溶融液１５とを接触させる。例文帳に追加

Then, the lower silicon layer 14 and the silicon containing low melting point metal fused solution 15 are brought into contact with each other. - 特許庁

シリコン球を基板に確実に挿着でき、しかも、遊技機の輸送中におけるシリコン球の基板からの浮きや脱落を防止して、シリコン球の接触不良や欠品による点灯不良を確実に防止する。例文帳に追加

To reliably fit silicon( balls to a substrate, to prevent the silicon balls from being floated or dropped from the substrate during the transportation of a game machine, and to reliably prevent the defective lighting caused by the defective contact or the lack of the silicon balls. - 特許庁

これら、可動電極５と絶縁基板２０は、シリコン接触部１４および凸部１３を介して接触し、シリコン接触部１４と凸部１３とは、それらが接触する点における法線の向きと点における離れる力の向きとが異なる。例文帳に追加

The movable electrode 5 and an insulation substrate 20 come into contact via the silicon contact parts 14 and the protrusions 13, and the silicon contact parts 14 and the protrusions 13 have different-directional normal lines and different-directional separating forces at the part where the both come into contact. - 特許庁

またこれらに使用する反応槽並びにシリコン保持槽の壁側の温度をシリコンの融点より低く保持することにより、壁表面に固体シリコンを析出させることにより生成した融体シリコンと反応槽並びにシリコン保持槽との直接の接触を無くして、反応槽、保持槽の消耗を防ぐことが出来るようになり、長期間にわたり安定したシリコンの製造が可能となった。例文帳に追加

The wall temperatures of a reaction vessel used for the reaction and the silicon holding vessel are kept lower than the melting point of silicon to deposit solid silicon on the wall surfaces, thereby direct contact of formed molten silicon with the reaction vessel and the silicon holding vessel is avoided, consumption of the vessels can be prevented and stable manufacture of silicon over a prolonged period of time is enabled. - 特許庁

単結晶のシリコンからなるシリコン基板１１上に絶縁膜１２を形成し、絶縁膜１２に開口部１２ａを形成し、絶縁膜１２上に開口部１２ａを介してシリコン基板１１と接触するようにアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜をシリコン基板１１を起点として固相エピタキシャル成長させて、その後パターニングする。例文帳に追加

An insulating film 12 is formed on a silicon substrate 11 made of single-crystal silicon, an opening 12a is formed in the insulating film 12, and an amorphous silicon film is formed on the insulating film 12 in contact with the silicon substrate 11 through the opening 12a, and subjected to solid-phase epitaxial growth starting at the silicon substrate 11 as a starting point, and then patterned. - 特許庁

表面にシリコン窒化膜２が形成されたシリコン粒子１（ナノ粒子）が面心立方格子の格子点の位置に存在し、面心立方格子の一面に存在する各シリコン粒子１は、その３軸が直交する位置にある４個のシリコン粒子１が面心の位置にあるシリコン粒子１に接触している。例文帳に追加

Silicon particles 1 (nanoparticles) each having a silicon nitride film 2 formed on a surface are present at lattice points of a face-centered cubic lattice, and four silicon particles 1, which are at positions where three axes cross one another, among respective silicon particles 1 present on one surface of the face-centered cubic lattice are in contact with silicon particles 1 at face-centered positions. - 特許庁

デュアルポリメタルゲート電極において、ｐ型シリコンの不純物とｎ型シリコンの不純物がその上に形成した高融点金属や金属窒化膜などを介して相互に拡散することによりシリコン膜界面の接触抵抗が増大する。例文帳に追加

To solve the problem that a contact resistance in an interface between silicon films is increased by the mutual diffusion of dopants between the p-type silicon and the n-type silicon through a high-melting point metal and a metal nitride film formed above the silicons, in a dual polymetal gate electrode. - 特許庁