白金プラグの英語

チップ部は、白金でコートされ、アニールされ、その後、点火プラグのニッケルベースの電極に抵抗溶接される。例文帳に追加

The tip portion is coated with platinum, annealed, and then resistance welded to the nickel based electrode of the spark plug. - 特許庁

絶縁膜１９におけるコンタクトホール１９ａ上には、下地導電膜２０及びプラグ２１の上端面と接するように、白金からなる下部電極２５とＳｒＢｉ_2Ｔａ_2Ｏ_9 からなる容量絶縁膜２６と白金からなる上部電極２７とにより構成された容量素子２８が形成されている。例文帳に追加

A capacitive element 28 is formed of a lower platinum electrode 25, a capacitive insulation film 26 of SrBi2Ta2O9, and an upper platinum electrode 27 on the contact hole 19a of the insulation film 19 while touching the upper end face of the underlying conductive film 20 and the plug 21. - 特許庁

白金及び／又はイリジウムを総量で８０重量％以上含有する貴金属系スパークプラグ用電極であって、全体が円柱状の燒結体からなり、その先端部が部分的に溶融したのち凝固した緻密な組織となっているスパークプラグ用電極。例文帳に追加

The noble metal-based electrode for a spark plug contains platinum and/or iridium by ≥80 wt% in total, the whole is composed of a columnar sintered compact, and the tip part thereof is partially melted and is thereafter solidified, so as to be a dense structure. - 特許庁

ニッケルベースの一連の電極を備えたスパークプラグと比較して火花侵食耐性を高め、かつ白金又はイリジウムベースの電極材料と同等の良好な火花侵食耐性を示し、同時にコストの点で利点を有する合金及び前記合金を備えたスパークプラグを提供すること例文帳に追加

To produce an alloy increased in spark erosion resistance compared to the case of a series of nickel based electrodes, also exhibiting good spark erosion resistance equal to that of a platinum or iridium based electrode material and simultaneously having an advantage from the viewpoint of the cost and to provide a spark plug provided with the above alloy. - 特許庁

ポリシリコンからなるプラグ１１ａ上には、プラグ１１ａから拡散したシリコンによってシリサイド化されたチタン層１３と、チタンシリサイドからなる下層１４１と、酸化されたチタンシリサイドからなる中層１４２と、酸化されたチタンシリサイドに更に窒化を施して得られる上層１４３と、白金からなるキャパシタ下部電極１５と、酸化物誘電体１７とが、この順に積層される。例文帳に追加

There are laminated, on a plug 11a composed of polysilicon, a titanium layer 13 silicified by silicon diffused from the plug 11a, a lower layer 141 composed of titanium silicide, a middle layer 142 composed of titanium silicide oxidized, an upper layer 143 obtained by further nitriding the oxidized titanium silicide, a capacitor lower electrode 15 composed of platinum, and an oxide dielectric 17, in this order. - 特許庁

シリコンチップ上の酸化シリコン層１４を貫通してＦＥＴのソース／ドレイン領域に対応接続したポリシリコンプラグ１２を形成し誘電層１６をストッパーに白金層をエッチングして導電体２０を形成する。例文帳に追加

A polysilicon plug 12 passing through a silicon oxide layer 14 on a silicon chip and connected in correspondence with a source/drain region of an FET is formed and a platinum layer is etched with a dielectric layer 16 as stopper to form a conductor 20. - 特許庁

ビアプラグ１１１および上層配線１１２では、それぞれ、第１および第２のバリアメタル膜１０７，１０８とＣｕ膜１１０とが順に積層されており、第１のバリアメタル膜１０７は窒素を含有し、第２のバリアメタル膜１０８は白金族元素を含有している。例文帳に追加

The via plug 111 and upper-layer wiring 112 each have first and second barrier metal films 107 and 108 and a Cu film 110 laminated in order, wherein the first barrier metal film 107 contains nitrogen and the second barrier metal film 108 contains platinum group metals. - 特許庁