適正露光域の英語

本発明では、観察対象の輝度値が変化した場合でも、注目領域に対して適正な露光時間を設定することを目的とする。例文帳に追加

To set appropriate exposure time for an area of interest even when a luminance value of an object to be observed changes. - 特許庁

このため、露光領域ごとにブラックマトリクスが位置ずれまたは傾きを有する場合にも、各露光領域においてブラックマトリクス内の適正位置にパターンを描画することができる。例文帳に追加

Even when a black matrix has displacement or inclination in each exposure region, the pattern can be drawn in an appropriate position within the black matrix in each exposure region. - 特許庁

この場合、計測用パターンの像が出現し始める境界となる複数の区画領域の少なくとも一部に関する情報を検出するので、適正露光量以下の範囲で露光量を変化させながら露光を行っても、特に支障なく検出を行うことが可能となる。例文帳に追加

In this case, as the information regarding at least a part of the plurality of block regions which become a boundary in which the image of the measuring pattern starts emerging is detected, even if the light exposure made, while it is altered within a scope of at least the appropriate light exposure or below, it does not hinder the detection in particular. - 特許庁

スループットを低下させたり、異物を発生させることなく、原版のパターン領域外のピンホール欠陥に起因する感応基板上での不適正露光（かぶり）を有効に防止できるよう改良を加えた走査露光装置及び走査露光方法を提供する。例文帳に追加

To provide a device and a method for scanning exposure which are improved to realize effective prevention of an unsuitable exposure (fogging) on a sensitive substrate resulting from a pin hole defect besides a pattern area of an original plate without lowering a throughput or without generating a foreign matter. - 特許庁

推奨設定領域６９を目安にしてＸＹ座標６８の一点を指示すると、適正露光時間及び適正絞り値を容易に入力することができる。例文帳に追加

If the point of the XY coordinates 68 is indicated by making the recommended area 69 as a guide, the proper exposure time and the proper aperture value can be easily input. - 特許庁

シリコン元素を適正量含んでいる本発明のフォトレジスト重合体はエッチング耐性が大きく向上し、シンレジスト工程（thin resist process）及び二分子層レジストを用いた工程に適するだけでなく、露光地域と非露光地域の間の対照比を大きく増加させることができる。例文帳に追加

The photoresist polymer containing a proper amount of silicon element has largely improved etching resistance and is not only suitable for a thin resist process and a process using a bilayer resist but also can extremely increase a contract ratio between a development area and a nondevelopment area. - 特許庁

少なくとも適正露光量以下の範囲内で露光量を変更しながら、レチクルＲ上に配置された計測用パターンを投影光学系ＰＬの像面側に配置されたウエハＷに順次転写して複数の区画領域から成る第１領域をウエハ上に形成する。例文帳に追加

A light exposure is altered within a scope of at least an appropriate light exposure or below, while sequentially transferring a measuring pattern disposed on a reticle R to a wafer W disposed on an image plane side of a projection optical system PL to form a first region composed of a plurality of block regions on the wafer. - 特許庁

シリコン元素を適正量含んでいる本発明のフォトレジスト重合体は、エッチング耐性が大きく向上し、シンレジスト工程（thin resist process）及び二分子層レジストを用いた工程に適するだけでなく、露光地域と非露光地域の間の対照比を大きく増加させることができる。例文帳に追加

The photoresist polymer containing an appropriate amount of a silicon element exhibits remarkably improved etching resistance, and therefore is not only suitable for a thin resist process and a process where a bilayer resist is used but also capable of remarkably increasing a contrast ratio between an exposed area and a non-exposed area. - 特許庁