熱ドリフトを効果的に抑圧して優れた電気的特性を有する光変調デバイス及びその製造方法例文帳に追加

OPTICAL MODULATION DEVICE PROVIDED WITH EXCELLENT ELECTRICAL CHARACTERISTICS BY EFFECTIVELY SUPPRESSING THERMAL DRIFT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

その後、多孔質多結晶シリコン層４を電気化学的に酸化することで強電界ドリフト層６’を形成する。例文帳に追加

A strong field drift layer 6' is formed by electrochemically oxidizing the porous polycrystalline silicon layer 4. - 特許庁

その後、多孔質多結晶シリコン層４を電気化学的に酸化することで強電界ドリフト層６を形成する。例文帳に追加

After that, the porous polycrystal silicon layer 4 is electrochemically oxidized to form a strong field drift layer 6. - 特許庁

フィールドプレートＦＰは、ゲート電極ＧＥおよびドリフト領域ＤＲ上を延在し、かつゲート電極ＧＥに電気的に接続されている。例文帳に追加

A field plate FP extends over the gate electrode GE and the drift region DR and is electrically connected to the gate electrode GE. - 特許庁

本発明はボンディングワイヤを備えている振動子において、電気的接続構造の共振に起因する振動子のゼロ点ドリフトを低減する。例文帳に追加

To reduce zero-point drift caused by resonance of an electrical connection structure, in a vibrator equipped with a bonding wire. - 特許庁

そして、高電位配線６がドリフト領域の上部を跨いでｎ＋型カソード領域３に電気的に接続されている。例文帳に追加

A high potential wiring 6 is electrically connected with the region 3 astride the upper part of the drift region. - 特許庁

そして、ドリフト領域上の絶縁層４内に、電気的に絶縁されたフローティング導体７が設けられている。例文帳に追加

An electrically insulated floating conductor 7 is provided within the layer 4 on the drift region. - 特許庁

半導体装置は、窒化ガリウムからなり、第１の面及び該第１の面と対向する第２の面を有するドリフト層１４と、ドリフト層１４の第１の面上に形成されたショットキ電極１６と、ドリフト層１４の第２の面とコンタクト層１３を介して電気的に接続されたオーミック電極１５とを有している。例文帳に追加

A semiconductor device has a drift layer 14 made of a gallium nitride and having a first surface and a second surface opposing the first surface, a Schottky electrode 16 formed on the first surface of the drift layer 14, and an ohmic electrode 15 electrically connected to the second surface of the drift layer 14 via a contact layer 13. - 特許庁

半導体装置は、ｎ＋型半導体基板１と、ｎ＋型半導体基板１の上面上に設けられたｎ−型ドリフト領域２と、ｎ−型ドリフト領域２の上面上に設けられ、ｎ−型ドリフト領域２とショットキー接合Ａを形成するアノード電極３と、ｎ＋型半導体基板１に電気的に接続されたカソード電極４とを備える。例文帳に追加

A semiconductor apparatus includes: an n+ type semiconductor substrate 1; an n- type drift region 2 formed on the upper surface of the n+ type semiconductor substrate 1; an anode electrode 3 formed on the upper surface of the n- type drift region 2 and forming a Schottky junction A with the n- type drift region 2; and a cathode electrode 4 electrically connected to the n+ type semiconductor substrate 1. - 特許庁

その後、多孔質多結晶シリコン層４’を不活性ガス中でアニールし、アニール後の多孔質多結晶シリコン層４を電気化学的に酸化することで強電界ドリフト層６’を形成する。例文帳に追加

The porous polycrystal silicon layer 4' is then annealed in inert gas, and the porous polycrystal silicon layer 4 after annealing is electrochemically oxidized to form a strong electric field drift layer 6'. - 特許庁

強電界ドリフト層６は、ｎ形シリコン基板１上に形成された多孔質多結晶シリコン層４を、電解液中にて電気化学的に酸化する酸化工程により形成されている。例文帳に追加

A strong electric field drift layer 6 is formed by an oxidizing processing of electrochemically oxidizing a porous polycrystalline silicon layer 4 formed on an n type silicon substrate 1 in an electrolyte. - 特許庁

電界放射型電子源は、多結晶シリコン層を陽極酸化した後に電気化学的に酸化することにより形成された強電界ドリフト層を備えている。例文帳に追加

The electric field emission type electron source is provided with a strong electric drift layer formed by electrochemically oxidizing a polycrystalline silicon layer after being anodically oxidized. - 特許庁

電界放射型電子源は、多結晶シリコン層を陽極酸化した後に電気化学的に酸化することにより形成された強電界ドリフト層を備える。例文帳に追加

The electric field emission type electron source is provided with a storing electric field drift layer formed by electrochemically oxidizing a polycrystalline silicon layer after being anodically oxidized. - 特許庁

ダミー導電層ＤＣは、フィールドプレートＦＰとドリフト領域ＤＲとの間において絶縁層ＦＯ上に形成され、かつソース領域に電気的に接続されている。例文帳に追加

A dummy conductive layer DC is formed on the insulation layer FO between the field plate FP and the drift region DR and electrically connected to the source region. - 特許庁

強電界ドリフト層６は、ｎ形シリコン基板１上に形成された多結晶シリコンの表面側を陽極酸化処理により多孔質化した後、電解液中にて電気化学的に酸化することにより形成されている。例文帳に追加

The intense-field drift layer 6 is formed after the surface of multi-crystal silicon which is formed on the n-type silicon substrate 1 is made porous by the positive electrode oxidization treatment, and then oxidized electrochemically in the electrolyte. - 特許庁

ｎ型チャネル半導体部５は、ｐ^＋型ゲート半導体部４に沿って設けられ、ｎ型ドリフト半導体部３の第４の領域３ｄに電気的に接続されている。例文帳に追加

The n-type channel semiconductor 5 is provided along the p^+-type gate semiconductor 4 and electrically connected to the fourth region 3d of the n-type drift semiconductor 3. - 特許庁

、また、トレンチ溝１５内のソース層１４からウエル層１３を通りドリフト層１２に至る領域に、第２の絶縁膜１８を介して埋め込み電極１７と電気的に絶縁されてゲート電極１９が形成されている。例文帳に追加

A gate electrode 19 which is electrically insulated from the embedded electrode 17 is formed in the region from the source layer 14 to the drift layer 12 by way of the well layer 13, in the trench 15, through a second insulating film 18. - 特許庁

磁電変換素子またはその出力を増幅する増幅器のオフセットの温度ドリフトを相殺するためにゼロクロス近傍に電気回路的に不感知帯を呈するオフセット相殺回路を設けるようにする。例文帳に追加

An offset canceler circuit revealing a dead zone near a zero cross in view of the electric circuit is provided for canceling the temperature drift due to an offset of a magnetoelectric conversion element itself or an amplifier for amplifying its output. - 特許庁

振動子、電極端子、および振動子と電極端子とを接続するボンディングワイヤを備えている接続構造において、電気的接続構造の共振に起因する振動子のゼロ点温度ドリフトを低減する。例文帳に追加

To reduce a zero-point temperature drift of a vibrator caused by a resonance of an electrical connection structure in the connection structure provided with the vibrator, an electrode terminal, and a bonding wire used to connect the vibrator to the electrode terminal. - 特許庁

第１の複合ナノ結晶層４を電気化学的に酸化するこで強電界ドリフト層６を形成し、マスク層１３を除去してから、例えば蒸着法などによって金薄膜からなる表面電極７を形成する（図１（ｄ））。例文帳に追加

By electrochemically oxidizing the first composite nano-crystalline layer 4, a strong electric field drift layer 6 is formed, and after the mask layer 13 is removed, a surface electrode 7 comprising a metal film is formed by a vapor deposition process for example [Fig. (d)]. - 特許庁

加速度の検出感度の低下、オフセット電圧の増加、温度ドリフトの悪化などが発生して電気的特性が劣化するのを抑制することができる加速度センサ装置を提供する。例文帳に追加

To provide an acceleration sensor device capable of suppressing deterioration of an electric characteristic caused by occurrence of decline of acceleration detection sensitivity, increase of an offset voltage, deterioration of a temperature drift or the like. - 特許庁

電気的接続のための端子部を備える振動子を支持するための支持構造であって、振動子を小型化することが可能であり、かつ広い温度範囲にわたって駆動インピーダンスを一定とし、温度ドリフトを低減できるようにする。例文帳に追加

To achieve a compact oscillator, make a drive impedance constant over a wide temperature range, and reduce temperature drifts in a support structure for supporting the oscillator provided with terminals for electrical connection. - 特許庁

この半導体装置では、ドリフト領域１７を形成する第１導電型半導体領域において、ゲート長方向、ゲート幅方向及び深さ方向において、ドリフト領域１７と交互に形成され、ゲート幅方向、且つ、深さ方向に電気的に接続されている島状の第２導電型半導体領域２１，２２，２３が形成されている。例文帳に追加

The semiconductor device is characterized in that island-shaped second conductivity regions 21, 22 and 23 which are formed alternately with the drift region 17 in a gate-length direction, a gate-width direction and a depth direction, and electrically connected in the gate-width direction and depth direction are formed in the first conductivity type semiconductor region forming the drift region 17. - 特許庁

電気的接続のための端子部を備える振動子を支持するための支持装置であって、振動子を小型化することが可能であり、かつかつ広い温度範囲にわたって駆動インピーダンスを一定とし、温度ドリフトを低減できる新規な支持装置を提供する。例文帳に追加

To provide a support device of an oscillator which prepares a terminal part for electrical connection, can miniaturize the oscillator, and keeps the driving impedance fixed over a wide temperature range and can decrease temperature drift. - 特許庁

ｎ型チャネル半導体部５は、ｐ^＋型ゲート半導体部４に沿って設けられ、ｐ^＋型ゲート半導体部４の導電型と異なる導電型を有し、ｎ型ドリフト半導体部３の第３の領域３ｄに電気的に接続されている。例文帳に追加

The semiconductor part 5 is provided along the gate semiconductor part 4, has a different conductivity type from the conductivity type of the semiconductor part 4 and is electrically connected to the third region 3d of the semiconductor part 3. - 特許庁

逆バイアス時には、絶縁膜を介して電極から前記接合と電界緩和層の間のドリフト層に与えられる電界効果により接合と電界緩和層は電気的に接続され、接合の端部の電界集中が緩和される。例文帳に追加

At reverse bias, the junction is electrically connected to the electric field relaxing layer, by a field effect imparted to the drift layer between the junction and the electric field relaxing layer from the electrode via the insulating film so that the electric field concentration at the end of the junction is relaxed. - 特許庁

ナノ結晶化プロセスにより多結晶シリコンの多数のグレインと多数のシリコン微結晶とが混在する第１の複合ナノ結晶層を形成してから、第１の複合ナノ結晶層を電気化学的に酸化するこで強電界ドリフト層６を形成する（図１（ｄ））。例文帳に追加

After a first compound nano-crystalline layer in which numerous grains of polycrystalline silicon and numerous silicon microcrystals are intermingled is formed by a nano-crystallization process, the first compound nano-crystalline layer is oxidized electrochemically, and an intense-field drift layer 6 is formed (Figure (d)). - 特許庁

本発明は、マスクの検査を行うマスク検査装置に関し、マスクがチャンバーに搬送される直前のサブチャンバーでプラズマを発生させて静電気の除去を行った後にチャンバーに搬入し、マスクなどの静電気を除去してドリフトがなくかつコントラスト変動のない良質の画像の生成を実現することを目的とする。例文帳に追加

To realize a good image generation without drift and contrast fluctuation by carrying a mask to a chamber after removing static electricity by generating a plasma in a subchamber before carrying the mask to the chamber. - 特許庁

非線形性の向上、残像現象の原因となる素子ドリフト現象の発生防止、および焼き付きの原因となる非線形特性の不可逆的なシフト現象の発生防止のいずれをも実現することのできる非線形素子、この非線形素子を画素スイッチング素子として用いた電気光学装置、および非線形素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a non-linear element which is improved in all of non-linearity, prevention of an element drift phenomenon causing an after-image phenomenon, and prevention of an irreversible shift phenomenon of the non-linearity causing burning, and also to provide an electrooptical device employing the non-linear element as a pixel switching element, and a method of manufacturing the non-linear element. - 特許庁

非線形性の向上、残像現象の原因となる素子ドリフト現象の発生防止、および焼き付きの原因となる非線形特性の不可逆的なシフト現象の発生防止のいずれをも実現することのできる非線素子、この非線形素子を画素スイッチング素子として用いた電気光学装置、および非線形素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a nonlinear element that can improve nonlinearity and prevent the occurrence of an element drift phenomenon causing a residual image phenomenon as well as the occurrence of an irreversible shift phenomenon of nonlinear property causing burning, and to provide an electrooptical device using the nonlinear element as a pixel switching element and a method of manufacturing the nonlinear element. - 特許庁