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CD-SEMとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 測長SEM
「CD-SEM」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
To provide a charged particle beam device of a critical-dimension measuring scanning electron microscope (CD-SEM) or the like, measuring accurately a pattern dimension on a photomask for nanoimprint by a retarding voltage application system.例文帳に追加
リターディング電圧印加方式によってナノインプリント用フォトマスク上のパターン寸法を正確に測定することができる微小寸法測定走査電子顕微鏡(CD-SEM)等の荷電粒子線装置を提供することにある。 - 特許庁
CD-SEM 1 measures the line width of a resist pattern by lots as units of several wafers and stores measurement data in a database 4.例文帳に追加
CD−SEM1は、何枚かのウェハーを単位としたロット毎にレジストパターンの線幅を測定し、測定データをデータベース4に記憶して行く。 - 特許庁
To provide a technology for adequately controlling processing steps or the like by using, for example, both of CD-SEM and scatterometry in regard to a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加
半導体デバイス製造方法に係り、例えばCD−SEMとスキャトロメトリを併用し、処理工程等をより適切に制御できる技術を提供する。 - 特許庁
MICRO PATTERN INSPECTING METHOD AND SYSTEM, CD-SEM DEVICE MANAGING METHOD AND SYSTEM AND PROGRAM AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM例文帳に追加
微細パターン検査装置、CD−SEM装置の管理装置、微細パターン検査方法、CD−SEM装置の管理方法、プログラムおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁
To provide a minute pattern measuring method which precisely measures trails of the bottom part of a minute structure pattern by using a CD-SEM; and to provide a minute pattern measuring device.例文帳に追加
微細構造体パターンのボトム部の裾引きをCD−SEMを用いて、微細構造体パターンのボトム部の裾引きを精度良く測定することができる微細パターン測定方法及び微細パターン測定装置を提供すること。 - 特許庁
When a pattern formed through a developing step by utilizing a photoresist composition containing a thermal acid generator is reheated, acid is generated from the thermal acid generator, as a result the photoresist composition causes a crosslinking reaction under the action of the acid and pattern width slimming due to SEM beams for CD measurement in SEM after pattern formation can be prevented.例文帳に追加
熱酸発生剤(thermal acid generator)を含むフォトレジスト組成物を利用することにより、現像工程を経て形成されたパターンを再び加熱することにより熱酸発生剤から酸が発生し、これからフォトレジスト組成物が架橋反応を引き起こし、パターン形成後SEMでCD測定時にSEMビームによりパターンの幅のが減少を防ぐことができる。 - 特許庁
In the method of manufacturing a semiconductor device, dimensions or the like relating to a processing step of manufacturing a semiconductor device are measured by both of the CD-SEM (a first measurement means) and the scatterometry (a second measurement means) (S202, S203 or the like).例文帳に追加
本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をCD−SEM(第1の計測手段)とスキャトロメトリ(第2の計測手段)との両方で計測する(S202,S203等)。 - 特許庁
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「CD-SEM」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
A method of matching a CD-SEM is disclosed to secure the consistent measured results over the whole installation base of a SEM, and the feature sizes of the features in a resist are measured in at least two points on the substrate to restrain efficiently fluctuation in the every field, and nonuniformity in a reticle and an exposure tool, in a matching result.例文帳に追加
SEMの据付基部全体にわたる一貫した測定結果を保証するためにCD−SEMをマッチする方法が開示され、フィールドごとの変動並びにレチクル及び露光ツールの非画一性がマッチング結果において効率よく抑制されるように、基板上の少なくとも2つの位置でレジストのフィーチャのフィーチャ・サイズを複数の走査電子顕微鏡のそれぞれを用いて測定する。 - 特許庁
To provide an image data analysis device with which image processing conditions (threshold value or the like) enabling desired pattern edges with good reproductivity can be easily obtained by using image data obtained by using a scanning type microscope (CD-SEM) even if the patterns change structures in a height direction.例文帳に追加
高さ方向で構造が変化するようなパターンであっても、走査型顕微鏡(CD−SEM)を用いて取得した画像データを用いて所望のパターンエッジが再現性よく決定できる画像処理条件(閾値等)を、簡便に得ることのできる画像データ解析装置を提供する。 - 特許庁
On measuring length of the resist film having the above pattern formed thereon by using a CD-SEM (critical dimension scanning electron microscope), first an objective chip region 11a for length measurement is designated among a plurality of chip regions, and the position of the length measurement pattern 13a placed in the left side is identified.例文帳に追加
このようなパターンの形成が行われたレジスト膜に対して、CD−SEMを用いて測長を行う場合には、複数のチップ領域のうちから測長対象チップ領域11aを指定した後、その左方に位置する測長パターン13aの位置を特定する。 - 特許庁
To provide an electron source which is used for a semiconductor wafer inspection device such as a scanning or transmission electron microscope, a surface analyzer like an Auger electron spectroscopic analyzer, an electron beam exposure apparatus, especially a scanning electron microscope using an electron beam accelerated with low voltage of 1 kV or less, a CD SEM, or a DRSEM.例文帳に追加
走査型又は透過型電子顕微鏡、オージェ電子分光装置等の表面分析装置、電子線露光機、特に、電子ビームの加速電圧が1kV以下の低加速で用いられる走査型電子顕微鏡、CD SEM、DRSEM等の半導体ウェハ検査装置に用いられる電子源を提供する。 - 特許庁
To provide an electron source used for a scanning or transmission electron microscope, a surface analyzer such as an Auger electron spectroscope, an electron beam exposure machine, in particular, a scanning electron microscope used at low acceleration where an acceleration voltage of an electron beam is not higer than 1kV, or a semiconductor wafer inspection device such as a CD SEM or a DRSEM.例文帳に追加
走査型又は透過型電子顕微鏡、オージェ電子分光装置等の表面分析装置、電子線露光機、特に、電子ビームの加速電圧が1kV以下の低加速で用いられる走査型電子顕微鏡、CD SEM、DRSEM等の半導体ウェハ検査装置に用いられる電子源を提供する。 - 特許庁
To provide a resist pattern measuring method capable of determining automatically and measuring correctly a remaining part (line pattern) and a cut-out part (space pattern) as to a measuring-objective pattern in an image, and capable of measuring a true resist pattern corrected in a shrinkage amount, when measuring a resist pattern by a CD-SEM.例文帳に追加
CD−SEMによるレジストパターンの測定において、画像中の測定対象パターンが残し部(Lineパターン)と抜き部(Spaceパターン)を自動的に判定して正しく測定すると共に、レジストのシュリンク量を補正した真のレジストパターン寸法を測定することを可能にするレジストパターン測定方法及びレジストパターン測定装置を提供する。 - 特許庁
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