MR1とは 意味・読み方・使い方

In this case, setting is performed so that the magnetic flux density, at which a magnetic detection signal Vout1 to be set only by sensitivity of the magnetic resistance element MR1 becomes maximal, is applied to the magnetic resistance element MR1.例文帳に追加

この際、磁気抵抗素子ＭＲ１の感度のみによって設定される磁気検出信号Ｖｏｕｔ１の極大となる磁束密度が磁気抵抗素子ＭＲ１へ印加されるように設定する。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes multi-level type memory cell transistors ML0, ML1, MR0, MR1 for storing the information of a plurality of bits.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数ビットの情報を記憶する多値式メモリセルトランジスタＭＬ０，ＭＬ１，ＭＲ０，ＭＲ１を有する。 - 特許庁

Magnetoresistance effect elements A1, A2, B1, B2, MR1, MR2 having the same layer constitution are formed on a common substrate 23.例文帳に追加

共通の基板２３上に、同じ層構成の磁気抵抗効果素子Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２，ＭＲ１，ＭＲ２が形成されている。 - 特許庁

The control part 321 is provided with a memory Mr1 for R, a memory Mg1 for G, and a memory Mb for B.例文帳に追加

制御部３２１は、Ｒ用メモリＭｒ１、Ｇ用メモリＭｇ１、及びＢ用メモリＭｂ１を備える。 - 特許庁

Voltage-current characteristics of a specified pixel PX are measured and data of one line are recorded in a line memory MR1.例文帳に追加

特定画素ＰＸの電圧—電流特性を測定して一ライン分のデータをラインメモリＭＲ１に記録する。 - 特許庁

The transistor resistance region 13 contains Nch transistor resistors MR1 to MR6 mounted in the P well 21.例文帳に追加

トランジスタ抵抗領域１３が、Ｐウェル２１の中に設けられたＮｃｈトランジスタ抵抗ＭＲ１〜ＭＲ６を含む。 - 特許庁

The belt-like electrodes Er1-Erm, Ec1-Ecn are provided with metal films Mr1-Mrm, Mc1-Mcn, respectively.例文帳に追加

帯状電極Ｅｒ１〜Ｅｒｍ、Ｅｃ１〜Ｅｃｎに対してそれぞれ金属膜Ｍｒ１〜Ｍｒｍ、Ｍｃ１〜Ｍｃｎを設ける。 - 特許庁

Thereafter, a maximum arrival area MR1 of the water from the nozzle 55a moves from the short side SLb to be closer to a short side SLa.例文帳に追加

その後、ノズル５５ａからの水の最大到達領域ＭＲ１は短辺ＳＬｂから短辺ＳＬａに漸近する。 - 特許庁