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Pd contactとは 意味・読み方・使い方
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「Pd contact」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 66件
A nickel based alloy welding material containing noble metal alloy such as Alloy 600+Pd or noble metal such as Pd is built up on a portion of a boundary between a nickel based alloy such as existing Alloy 600 and a repair welded portion in contact with a reactor water.例文帳に追加
既存のAlloy600等のニッケル基合金と補修溶接部との境界部の原子炉水と接する部分に、Alloy600+Pdのノーブルメタル合金材又はPd等のノーブルメタルを含有するニッケル基合金溶接材を肉盛する。 - 特許庁
Moreover, gate electrodes of the PD reset switch Q105 and the transfer switch Q101 are arranged so as to contact with the same side of the n-layer 303 of the photodiode PD.例文帳に追加
また、PDリセットスイッチQ105と転送スイッチQ101のゲート電極がフォトダイオードPDのn層303の同一の辺に接するように配置する。 - 特許庁
A barrier metal layer of Ni, Pt or Pd is formed on the close contact layer.例文帳に追加
密着層の上に、NiまたはPtまたはPdを材料としたバリアメタル層を形成する。 - 特許庁
Thereby, gas diffusibility into the carrier can be improved and the insides of the hollow particles can be used as a reaction field, which improves a contact probability between the carried Pd and a gas.例文帳に追加
担体内部へのガス拡散性が向上し、かつ中空状粒子内部を反応場として利用できるため、担持されているPdとガスとの接触確率が向上する。 - 特許庁
The laminated electrode structure of Au/Mo/Pd/Pd-Ga is formed on the p-type group-III nitride semiconductor contact layer by laminating metal layers in the sequence of Pd and Mo, then executing the heat treatment, and thereafter sequentially laminating Mo and Au.例文帳に追加
p型のIII族窒化物半導体コンタクト層上に、Pd、Moの順に金属層を積層し、熱処理を施し、その後にMo、Auを順次積層して、Au/Mo/Pd/Pd−Ga積層電極構造を形成する。 - 特許庁
Since Pd naturally generates organic contamination, it suppresses the generation of inorganic contamination largely increasing contact resistance.例文帳に追加
Pdは有機汚染を自然発生するので、接触抵抗を多大に増加させる無機汚染の発生を抑制する。 - 特許庁
An electric signal extracted from one end of the photodiode PD is input to a movable contact (a) of a relay RY.例文帳に追加
フォトダイオードPDの一端から取り出された電気信号はリレーRYの可動接点aに入力される。 - 特許庁
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「Pd contact」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 66件
At least one of Pt and Pd is carried on the carrier powder containing CeO_2 to prepare the catalyst powder, which is brought into contact with a solution having a reducing effect to reduce CeO_2 into Ce_2O_3.例文帳に追加
CeO_2を含む担体粉末にPt及びPdの少なくとも一種を担持して触媒粉末とし、次いで還元作用をもつ溶液と触媒粉末を接触させてCeO_2を還元して Ce_2O_3とする。 - 特許庁
A p electrode 12 is formed of a first Pd film 13, a Ta film 14 and a second Pd film 15, and is formed on a p type contact layer 11 of a nitride semiconductor.例文帳に追加
p電極12は、第1のPd膜13、Ta膜14および第2のPd膜15によって構成され、窒化物半導体から成るp型コンタクト層11上に形成される。 - 特許庁
A collet 100 includes: a holding part 102 which holds a base 22 having a PD 21 mounted thereon; and a probe 106 which is brought into contact with the base 22 held on the holding part 102 by suction and is brought into electric contact with the PD 21.例文帳に追加
本発明は、PD21を搭載したベース22を保持する保持部102と、保持部102により吸着保持されたベース22と接触し、かつPD21と電気的に接触するプローブ106と、を具備するコレットである。 - 特許庁
Air containing methyl acetylene (hereinafter, abbreviated as MA) or propadiene (hereinafter, abbreviated as PD) is brought into contact with an adsorbent capable of adsorbing 5 wt.% or more of MA or PD, in an MA or PD adsorption method.例文帳に追加
メチルアセチレン(以下、MAと略す。)又はプロパジエン(以下、PDと略す。)を含む気体とMA又はPDを5wt%以上吸着可能な吸着剤とを接触させることを特徴とするMA又はPDの吸着方法を提供する - 特許庁
To provide an elastic contact capable of stably depositing a Pd layer and improving contact reliability or the like and to provide a method of manufacturing the elastic contact, in a constitution of performing multi-stuck plating of an NiX layer and a Pd layer according to electroless plating.例文帳に追加
特に、無電解メッキによりNiX層とPd層とを積層メッキする構成において、前記Pd層が安定して析出して接触信頼性等を向上させることが可能な弾性接点及びその製造方法等を提供することを目的としている。 - 特許庁
Since the amorphous Pd-P-plating of the movable contact side is harder in hardness than the Ag-plating of the fixed contact side, the sliding lifetime of the slider 5a can be prolonged.例文帳に追加
固定接点側のAgメッキに対し、可動接点側の非晶質Pd−Pメッキの方が硬度が硬いため、摺動子5aの摺動寿命を延ばすことが可能となる。 - 特許庁
On the p-type GaN contact layer 11, the p-type electrode 15 having a Pd layer 16 and a Ta layer 17 is formed.例文帳に追加
p型GaNコンタクト層11上に、Pd層16とTa層17とを有するp型電極15を形成する。 - 特許庁
A plurality of dummy contact holes Dc are formed for one dummy pixel Pd, and one dummy contact hole is disposed at a corner of a dummy pixel light shielding film 9d, and two dummy contact holes are disposed along a trunk line of a scanning line 83 continuously to the dummy contact hole disposed at the corner.例文帳に追加
1つのダミー画素Pdに対して、複数のダミーコンタクトホールDcが形成されており、1つはダミー画素遮光膜9dの角部に配置され、2つは走査線83の幹線に沿って角部のダミーコンタクトホールと連続して配置されている。 - 特許庁
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