Radical 17とは 意味・読み方・使い方

The power supply 17 of the second toy figure 2 has organic radical rechargeable batteries.例文帳に追加

そして、第２の形象玩具２の電源１７は有機ラジカル二次電池を有する。 - 特許庁

The silicon oxide film 17 is formed by supplying a radical oxygen on the amorphous silicon film 16.例文帳に追加

シリコン酸化膜１７は、アモルファスシリコン膜１６の上にラジカル酸素が供給されることにより形成されている。 - 特許庁

The metal thin film 14 is subjected to reactive ion etching treatment, pattern formation being faithful to the mask 17 is carried out by the ion etching, isotropic etching of a radical is utilized for advancing the etching from the gap between the mask 17 and the metal thin film 14, and the sectional shape of a gate electrode 18 is tapered.例文帳に追加

金属薄膜14をリアクティブ・イオン・エッチング処理し、イオンエッチングによってマスク17に忠実にパターン形成し、ラジカルの等方性エッチングを利用してマスク17と金属薄膜14の隙間からエッチングを進行させ、ゲート電極18の断面形状を肩の落ちたテーパ形状にする。 - 特許庁

Driving shaft 18 has a communicating hole 60 which forms a path communicating the inlet room 19 and crank room 17 so that the inlet 60a is located at the rear side of the second radical bearing 24.例文帳に追加

駆動軸18には吸入室19とクランク室17とを連通する経路を構成する連通孔60が、入口60ａが第２ラジアルベアリング25よりリヤ側に、出口60ｂが第１ラジアルベアリング24よりリヤ側に位置するように形成されている。 - 特許庁

By this configuration, even when the respective large-diameter locking portions 17, 17 are crushed inward in the radical direction, the both ends of the locking ring 11a, 11b are prevented from greatly protruding outward in the radial direction.例文帳に追加

この構成により、これら各大径係止部１７、１７を径方向内方に押し潰した場合にも、前記係止環１１ａ、１１ｂの両端部が径方向外方に大きく突出しない様にして、前記課題を解決する。 - 特許庁

As a result, the radical pressure change (vibration) in the forming chamber 17 and the output change of the output (vibration) of a load detector 8b which occur with the supply and the stoppage or the change of the flow rate of the inert gas are suppressed to precisely control the pressing force.例文帳に追加

これにより不活性ガスの供給停止や流量変更に伴う成形室17内の急激な圧力変動（振動）を抑えて荷重検出器８ｂの出力変動（振動）を抑え、押付力をより的確に制御する。 - 特許庁

Hydrogen and oxygen are simultaneously led into a reaction chamber in which the silicon substrate 10 having the STI film 17 formed is mounted, and the sacrificial oxide film 19 is formed in the element forming region 18 surrounded by the STI film 17 by radical oxidation.例文帳に追加

ＳＴＩ膜１７を形成したシリコン基板１０を載置した反応室内に水素と酸素を同時に導入し、ラジカル酸化によってＳＴＩ膜１７で囲まれた素子形成領域１８に犠牲酸化膜１９を形成する。 - 特許庁