Speed bumpとは 意味・読み方・使い方

To provide a bump shape measuring technology having a simple constitution, capable of measuring the parameter of a bump necessary for sure conductive connection highly accurately at a high speed.例文帳に追加

確実に導通接続するために必要なバンプのパラメータを、構成を簡単にして高速で且つ高精度に計測することができるようにしたバンプ形状計測技術を提供することにある。 - 特許庁

To obtain a method of ultrasonic bonding with high bonding strength by fully applying a bump with an ultrasonic wave by controlling a speed at which the bump is collapsed immediately after the ultrasonic wave is applied.例文帳に追加

超音波印加直後のバンプが潰れる速度を制御することで、バンプに十分に超音波を印加し、接合強度の高い超音波接合方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has suppressed metal diffusion from a conductive pad to a solder bump and low contact resistance between the conductive pad and the solder bump, and is capable of achieving improved reliability, high speed, and high integration.例文帳に追加

導電パッドから半田バンプへの金属拡散が抑制され、導電パッドと半田バンプとの接続抵抗が小さく、信頼性向上、高速化、及び高集積化を実現可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To reduce static friction for a head, a coefft. of static friction (COS), a take-off speed, and contact area of a head on a CSS region by controlling height of bump, diameter of a periphery part, and an interval between adjacent bump.例文帳に追加

バンプ高さ（Ｈｂ）、縁部の直径、隣り合うバンプの間の間隔を制御することによって、本発明は、ヘッドに対する静摩擦、静摩擦係数（ＣＯＳ）、ティクオフ速度およびＣＳＳ領域上のヘッドの接触面積を低減する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FLIP-CHIP BUMP (PROTUBERANCE) AND UBM FOR HIGH-SPEED COPPER INTERNAL WIRING USING ELECTROLESS PLATING METHOD例文帳に追加

無電解メッキ法を用いた高速銅内部配線チップ用フリップチップバンプ（隆起）およびＵＢＭの形成方法 - 特許庁

To provide a method for forming a flip-chip bump or UBM(underbump metallurgy) for a high-speed copper internal wiring chip in the main.例文帳に追加

本発明は、おおむね高速銅内部配線チップ用フリップチップバンプまたはＵＢＭ（バンプ下冶金）を形成するための方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus 1 for determining bump ride-over includes wheel speed sensors 7a-7d for detecting the rotational speed of four wheels, a T/M output rotation number sensor 8 for detecting the number of rotation of an output shaft of a transmission 4, and a bump ride-over determining ECU 10.例文帳に追加

段差乗り上げ判定装置１は、４つの車輪の回転速度を検出する車輪速センサ７ａ〜７ｄと、トランスミッション４の出力軸の回転数を検出するＴ／Ｍ出力回転数センサ８と、段差乗り上げ判定ＥＣＵ１０とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that attains drive and low power consumption as to a high-speed signal by reducing the parasitic capacitance between the metal layers that are electrically connected via the pad electrode opening under the bump, when the high-speed signal is applied to a bump from the outside of an LSI.例文帳に追加

ＬＳＩ外部より高速の電気信号をバンプに印加した場合、バンプ下のパッド電極開口部より導通される金属層間において存在する寄生容量を減少させて、高速信号の駆動及び低消費電力化を図る半導体装置を提供する。 - 特許庁