Ta-Wとは 意味・読み方・使い方

An aluminum anodized coating is immersed into an aqueous solution containing the fluoro-complex salt of Zr, Si, Ti, Au, Ag, Co, Ni, Mo, Mn, Nb, Ta, W, Zn, Fe, Ir or Sc.例文帳に追加

アルミニウム陽極酸化皮膜を、Zr 、Si、Ti、Au、Ag、Co、Ni、Mo、Mn、Nb、Ta、W、Zn、Fe、Ir、又はScのフルオロ錯塩を含む水溶液に浸漬させることを特徴とする。 - 特許庁

The second barrier (126) is a barrier of low conductivity such as Ta, Ti, Mo, W, TaN, WN, MoN or TiN so that the second barrier remains in the bottom of the via or contact.例文帳に追加

第２のバリア（126）はビアまたはコンタクトの底に残っているので、第２のバリア（126）は、Ta, Ti, Mo, W, TaN, WN, MoNまたはTiNのような低い抵抗率のバリアを有する。 - 特許庁

The masteralloy can include Cr, B, Ta, Nb, C, Mo, W, Zr, Zn, Cu, Hf, O, Si or N.例文帳に追加

母合金には、Ｃｒ，Ｂ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｈｆ，Ｏ，Ｓｉ又はＮを含むことができる。 - 特許庁

The hard phase is mainly formed of carbonitrides of one or more metals selected from the group consisting of Ti and W, which are indispensable, and Ta, Nb, Mo, Hf, V and Cr.例文帳に追加

また、前記硬質相は、TiとWを必須とし、Ta、Nb、Mo、Hf、VおよびCrよりなる群から選択される１種以上を金属成分とする炭窒化物を主体とする。 - 特許庁

A water temperature sensor 23a for detecting the temperature (Tb) of cooling water W and an IGBT temperature sensor 13c for detecting the temperature (Ta) of an inverter 13 are electrically connected to an EV-ECU 17.例文帳に追加

冷却水Wの温度（Tb）を検出する水温センサ２３ａと、インバータ１３の温度（Ta）を検出するIGBT温度センサ１３ｃとをEV-ECU１７に電気的に接続した。 - 特許庁

The induction absorptive material is formed of at least one oxide of metals selected from the group consisting of Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir, and Bi and a transparent substrate.例文帳に追加

Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb,Ta, W, Re, Os, Ir,およびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物と透明基板とから形成される誘導吸収材料。 - 特許庁

The ferroelectric material has a chemical composition expressed by general formula of Bi_4-xLa_xTi_3-yA_yO_12, wherein La represents lanthanum or a lanthanoide, A represents V, W, Nb or Ta, and x and y satisfy 0.1≤x≤3 and 0.01≤y≤0.1.例文帳に追加

一般式Bi_4-xLa_xTi_3-yA_yO_12（式中、Laはランタンまたはランタノイド元素を表し、AはV, W, NbまたはTaを表し、0.1≦x≦3、0.01≦y≦0.1である。）で表される化学組成を有する強誘電体。 - 特許庁

The Ta-W alloy film which is formed using such a Ta-W-based sputtering target is applied, for example, to a first electrode 3 of a TFD element 1.例文帳に追加

このようなＴａ−Ｗ系スパッタリングターゲットを用いて成膜したＴａ−Ｗ合金膜は、例えばＴＦＤ素子１の第１の電極３に適用される。 - 特許庁