Subsequently, an Au film is formed on the TiW film.例文帳に追加

引き続いて、ＴｉＷ膜上にＡｕ膜を形成する。 - 特許庁

Consequently, growth of the TiW nucleus is suppressed.例文帳に追加

その結果、ＴｉＷ核の成長が抑制される。 - 特許庁

To selectively etch TiW films and improve its etching speed.例文帳に追加

ＴｉＷ膜を選択的にエッチングし、そのエッチング速度を向上させる。 - 特許庁

The upper surface of the pad 22 is formed of TiN or TiW.例文帳に追加

パッド２２の上面は、ＴｉＮ又はＴｉＷから形成されている。 - 特許庁

Setting the above area ratio to 0.02 or more and using the above etchant enable decreasing the etching degree of the TiW film 4 caused by the battery-effect between a CrSi resistor 3 and the TiW film 4 and suppress the undercut of the TiW film 4.例文帳に追加

また、上記面積比を０．０２以上にし、上記エッチング液を用いることで、ＣｒＳｉ抵抗３とＴｉＷ膜４との間の電池効果によるＴｉＷ膜４のエッチング量を少なくでき、ＴｉＷ膜４のアンダーカットを抑制できる。 - 特許庁

A TiW film having 3-5 nm film thickness is used for a base film 32 of the bias magnet film 31.例文帳に追加

バイアス磁石膜３１の下地膜３２に膜厚３ｎｍ〜５ｎｍのＴｉＷ膜を用いる。 - 特許庁

The aluminum contact is a pure aluminum contact and covers the TiW barrier layer.例文帳に追加

アルミニゥムコンタクトは純アルミニゥムコンタクトであり、ＴiＷバリア層を覆う。 - 特許庁

In step S107, iodine remaining in a region where the unwanted TiW film is removed is removed.例文帳に追加

ステップＳ１０７で、不要なＴｉＷ膜が除去された領域に残留するヨウ素を除去する。 - 特許庁

In manufacturing a semiconductor device 100, an etchant containing hydrogen peroxide and transition metal ions is used to selectively remove a second TiW film 115 and a first TiW film 111.例文帳に追加

半導体装置１００の製造において、過酸化水素と遷移金属イオンとを含むエッチング液を用いて第二のＴｉＷ膜１１５および第一のＴｉＷ膜１１１を選択的に除去する。 - 特許庁

The lamination film 14 is formed by laminating a TiW layer 9, Cu layer 10, a ferromagnetic layer 15 of Ni, Cu layer 11, and a TiW layer 12 in this order.例文帳に追加

積層膜１４は、ＴｉＷ層９、Ｃｕ層１０、Ｎｉからなる強磁性体層１５、Ｃｕ層１１及びＴｉＷ層１２をこの順に積層して形成する。 - 特許庁

Even if a TiW nucleus 31 is generated through reaction of titanium 30 and tungsten during the second step of first time (a), a W nucleus 32 is formed on the TiW nucleus 31 during the second step of second or subsequent time (b).例文帳に追加

１回目の第２工程でチタン３０とタングステンの反応によりＴｉＷ核３１が生じた場合（ａ）でも、２回目以降の第２工程で、このＴｉＷ核３１の上にＷ核３２が形成される（ｂ）。 - 特許庁

Here, a high melting metal (TiN/Ti, TiN, Ti, TiW, W, etc.), with a sheet resistance is used as a wiring material of the wiring layer M1.例文帳に追加

ここで、配線層Ｍ１の配線材料は、シート抵抗が高い高融点金属（ＴｉＮ／Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｔｉ，ＴｉＷ，Ｗ等）が用いられている。 - 特許庁

Concretely, firstly a control target temperature TIW of the supply oxidizing gas after the passage of the humidifier is determined so that the humidification amount complied with demand may be obtained.例文帳に追加

具体的には、まず、要求に見合った加湿量が得られるように加湿器通過後の供給酸化ガスの制御目標温度Ｔ_IWを決定する。 - 特許庁

A thin TiW barrier layer is formed between a sidewall spacer on an active surface and a top contact of aluminum.例文帳に追加

薄いＴiＷバリア層が能動表面の側壁スペーサとアルミニゥムのトップコンタクトとの間に設けられる。 - 特許庁

The TiW layer 7 prevents diffusion of elements between the impurity diffused layers 4 and 5 and between the Au layer 8 and the AuSn layer 9.例文帳に追加

ＴｉＷ層７は、不純物拡散層４，５とＡｕ層８、ＡｕＳｎ層９との間の元素の拡散を防止する。 - 特許庁

A TiW layer 7, an Au layer 8, a Pt layer 11, and an AuSn layer 9 are formed sequentially on the impurity diffusion layer 5.例文帳に追加

不純物拡散層５上にＴｉＷ層７、Ａｕ層８、Ｐｔ層１１、およびＡｕＳｎ層９が順に積層されている。 - 特許庁

A barrier metal 38 is formed by sputtering, by which Ti concentration in a TiW target reaches 10.5 wt.% or less.例文帳に追加

ＴｉＷターゲット中のＴｉ濃度が１０．５Ｗｔ％以下となるスパッタリングによってバリアメタル３８を形成する。 - 特許庁

In step S105, an unwanted Au film is removed, and in step S106, an unwanted TiW film is removed.例文帳に追加

ステップＳ１０５で不要なＡｕ膜を除去して、ステップＳ１０６で不要なＴｉＷ膜を除去する。 - 特許庁

To prevent a TiW film which is formed as the barrier metal between a thin film resistor and an electrode film from coming off on the portion of an insulating film.例文帳に追加

薄膜抵抗体と電極膜とのバリアメタルとしてのＴｉＷ膜が絶縁膜上の部分で剥がれないようにする。 - 特許庁

When the control target temperature TIW like this is determined, the external conditions are taken into account such as the flow rate Q of the supply oxidizing gas.例文帳に追加

かかる制御目標温度Ｔ_IWを決定する際には供給酸化ガスの流量Ｑなどの外部条件も考慮に入れる。 - 特許庁

On the impurity diffused layer 5, a TiW layer 7, a Pt layer 11, an Au layer 8, and an AuSn layer 9 are laminated, in this order.例文帳に追加

不純物拡散層５上にＴｉＷ層７、Ｐｔ層１１、Ａｕ層８およびＡｕＳｎ層９が順に積層されている。 - 特許庁

A plurality of Ni-made ferroelectric materials 15 are arranged on a TiW layer 9 and a Cu layer 10 in the laminate film 14 into a matrix.例文帳に追加

積層膜１４においては、ＴｉＷ層９及びＣｕ層１０上に、Ｎｉからなる強磁性体１５を複数個マトリクス状に配列する。 - 特許庁

Since Ti concentration in the TiW target reaches 10.5 wt.% or less, the etching rate of the barrier metal 38 is quickened, and the etching time can be shortened.例文帳に追加

このように、ＴｉＷターゲット中のＴｉ濃度が１０．５Ｗｔ％以下となるようにすることで、バリアメタル３８のエッチングレートを早くし、エッチング時間を短くすることができる。 - 特許庁

In step S101, a TiW film is formed by a sputtering method so as to cover a surface protective film formed on the surface of a semiconductor element and a pad electrode.例文帳に追加

ステップＳ１０１で、半導体素子の表面上に形成された表面保護膜およびパッド電極を覆うように、ＴｉＷ膜をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

The electrode has a TiW alloy layer which is brought into contact with the semiconductor.例文帳に追加

本発明の半導体素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と、該半導体とオーミック接触する電極と、を有し、該電極が前記半導体と接するＴｉＷ合金層を有する。 - 特許庁

At an aperture H for interlayer connection formed to the interlayer insulating film 16, a TiW film 20 as a bonding layer is interposed between the TiN film 30 and gold wiring layer 19.例文帳に追加

層間絶縁膜１６に形成された層間接続用開口Ｈ内において、ＴｉＮ膜３０と金配線層１９との間には、接着層としてのＴｉＷ膜２０が介在されている。 - 特許庁

After forming the resin layer 18 on a substrate 10, a structure is formed for which the groove 18x is formed in the resin layer 18, and a protective metal layer 20 (Ni or TiW) is formed on the resin layer 18.例文帳に追加

基板１０上に樹脂層１８を形成した後に、樹脂層１８に溝１８ｘが形成され、かつ樹脂層１８の上に保護金属層２０（Ｎｉ又はＴｉＷ）が形成された構造を形成する。 - 特許庁

This photoreceptor element has a corrosion-resistant conductive layer (TiW layer 3) which is composed of a corrosion-resistant material and formed in such a way that the layer 3 is extended from the bonding pad section 20 of the element to the wiring section 23 of the element.例文帳に追加

受光素子のボンディングパッド部２０から配線部２３に延在するように耐腐食性の材質よりなる耐腐食性導電層（ＴｉＷ層３）を形成する。 - 特許庁

Setting the film thickness of the Al film 5 to 300 nm or less enables decreasing unevenness of etching depth caused by a battery-effect between the Al film 5, and the TiW film 4 and suppress an overhang of the Al film 5.例文帳に追加

Ａｌ膜５の膜厚が３００ｎｍ以下とすることで、Ａｌ膜５とＴｉＷ膜４との間の電池効果によるＡｌのエッチング量のバラツキを少なくでき、Ａｌ膜５のオーバーハングを抑制できる。 - 特許庁

Before forming a TiW film 29 which is less adhesive to the insulating film is formed, a gas generating component is removed by performing heat treatment at 450°C for about 30 minutes as a deaerating process.例文帳に追加

絶縁膜への密着性が低いＴｉＷ膜２９を成膜する前に、脱気処理工程として熱処理を４５０℃で３０分程度行なうことで、気体発生成分を除去しておく。 - 特許庁

Since the material TiW has a diffusion coefficient lower than Au and prevents diffusion between the material Au of the bumps B1 and the material Sn of the junction film 15, the junction film 15 is kept at its Sn unitary state.例文帳に追加

ＴｉＷは、Ａｕに対する拡散係数が低く、バンプＢ１の材料であるＡｕと接合膜１５の材料であるＳｎとの拡散を防止するから、接合膜１５はＳｎ単体の状態に保持される。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes the steps of: forming a substrate layer comprising a TiW film on a surface of an insulating layer including a fine shape after forming the insulating layer having the fine shape on a substrate surface; and forming a wiring layer comprising a tungsten film on a surface of the substrate layer.例文帳に追加

本発明は、基板表面に、微細形状を有する絶縁層を形成した後、この微細形状を含む絶縁層表面に、ＴｉＷ膜からなる下地層を形成する工程と、下地層の表面に、タングステン膜からなる配線層を形成する工程とを含む。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, a TiW film 23 of metal film 27 under the bump is etched with aqueous hydrogen peroxide, or a liquid mixture or a solution of aqueous hydrogen peroxide mixed with at least one kind of the inorganic base group represented by aqueous ammonium.例文帳に追加

バンプ下金属膜２７のＴｉＷ膜２３は、過酸化水素水または過酸化水素水と１種類以上のアンモニア水を代表とする無機塩基類を混合した混合液または水溶液でエッチングする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Then, the flow rate of an oxidizing off gas for introducing it into the humidifier 120 using a bypass valve 160 is adjusted so that the supply oxidizing gas temperature T12 after the passage of the humidifier detected by a temperature sensor 24 may coincide with the control target temperature TIW.例文帳に追加

そして、温度センサ２４によって検知される加湿器通過後の供給酸化ガス温度Ｔ_I2が制御目標温度Ｔ_IWと一致するように、バイパスバルブ１６０を用いて加湿器１２０に導入する酸化オフガスの流量を調整する。 - 特許庁

The electrodes includes an electrode body 6, a connector electrode 8 formed at a position distant from the electrode body 6 from the view from the semiconductor layer 1 and containing Al, and a barrier layer 7 formed between the electrode body 6 and the connector electrode 8 and containing at least one selected from the group consisting of W, TiW, WN, TiN, Ta and TaN.例文帳に追加

電極は、電極本体６と、半導体層１から見て電極本体６よりも離れた位置に形成され、かつＡｌを含む接続用電極８と、電極本体６と接続用電極８との間に形成されたＷ、ＴｉＷ、ＷＮ、ＴｉＮ、Ｔａ、およびＴａＮよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含むバリア層７とを含んでいる。 - 特許庁

The Schottky electrode 2 includes: an electrode body 6; a connection electrode 8, which is formed in a position apart from the electrode body 6 when viewed from the semiconductor layer 1, and contains Al; and a barrier layer 7 formed between the electrode body 6 and connection electrode 8, and containing at least one selected from a group consisting of W, TiW, WN, TiN, and Ta.例文帳に追加

ショットキー電極２は、電極本体６と、半導体層１から見て電極本体６よりも離れた位置に形成され、かつＡｌを含む接続用電極８と、電極本体６と接続用電極８との間に形成された、Ｗ、ＴｉＷ、ＷＮ、ＴｉＮ、およびＴａよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含むバリア層７とを含んでいる。 - 特許庁

A semiconductor chip 1 has a semiconductor substrate 11, bumps B1 made of Au and formed on a surface of the semiconductor substrate 11, a diffusion preventing film 14 made of TiW and formed on the entire top surfaces of the bumps B1, and a junction film 15 formed on the diffusion preventing film 14 for junction with an electric connection of another device.例文帳に追加

半導体チップ１は、半導体基板１１と、この半導体基板１１の表面に形成され、ＡｕからなるバンプＢ１と、このバンプＢ１の頂面の全域に形成され、ＴｉＷからなる拡散防止膜１４と、この拡散防止膜１４上に形成され、他の装置の電気接続部との接合のための接合膜１５とを有している。 - 特許庁