anti-nodeとは 意味・読み方・使い方

Consequently, a standing-wave is formed in the loop-like element 9, a node 21 of a current standing-wave 20 is located at a position separated from the power supply unit by 1/4 wavelength, and an anti-node 22 of the current standing-wave 20 is located at a position separated from the power supply unit by 1/2 wavelength.例文帳に追加

すると、ループ状エレメント９に定在波が形成され、給電部から１／４波長離れた位置では電流定在波２０の節２１となり、給電部から１／２波長離れた位置では電流定在波２０の腹２２となっている。 - 特許庁

A resistor Rs, equivalent inductance Lc3 and equivalent capacitance Cc3 of a capacitor C3 for cancellation and equivalent inductance Ln2 of a node N2 configure an anti-resonance cancellation circuit 30.例文帳に追加

抵抗器Ｒｓと、相殺用コンデンサＣ３の等価インダクタンスＬｃ３及び等価容量Ｃｃ３と、及び接続点Ｎ２の等価インダクタンスＬｎ２とは、反共振相殺回路３０を構成している。 - 特許庁

Once in the lymph node, the now fully mature antigen presenting dendritic cells secrete the appropriate cytokines (e.g., TNFalpha and IL-12) and contact T cells inducing a substantial anti-tumor immune response.例文帳に追加

一旦、リンパ節中に入ると、今や完全に成熟した抗原提示樹状細胞は、適切なサイトカイン（例えば、ＴＮＦαおよびＩＬ−１２）を分泌し、そしてＴ細胞と接触して、実質的な抗腫瘍免疫応答を誘導する。 - 特許庁

To realize a packet processing method that utilizes an anti-multiple fault network structure able to efficiently utilize a communication network by normally operating the entire ring even on the occurrence of a fault in connecting lines or a node through the use of a double ring structure.例文帳に追加

二重リング構造を利用して、複数の連結線又はノードに障害が発生した場合でも全体リングの正常な動作を可能とし、通信網を効率的に利用し得る耐多重障害ネットワーク構造を利用したパケット処理方法を実現する。 - 特許庁

The active region has at least one periodical gain region 160, and an organic spacer layer 170 provided on either side of the periodical gain regions and arranged such that the periodical gain region is aligned with an anti-node of a standing wave electromagnetic spacer.例文帳に追加

活性領域は、１つ以上の周期的ゲイン領域１６０と、周期的ゲイン領域のいずれかの側に設けられ、周期的ゲイン領域が当該デバイスの定在波電磁場のアンチノードと合わせるように配置された有機スペーサ層１７０とを有する。 - 特許庁

Polarization quantity of three level or more is accumulated in one memory cell by making a maximum 2×n pieces of information correspond to memory cell potentials of (n) kinds and varying voltage between a plate electrode of a memory cell capacitor and a storage node when data is written by a hysteresis curve being peculiar to anti-ferroelectric substance.例文帳に追加

反強誘電体特有のヒステリシス曲線により、ｎ通りのメモリセル電位に対し、最大で２×ｎ個の情報を対応させ、データの書き込みの際に、メモリセルキャパシタのプレート電極とストレージノードの間の電圧を変えることにより、１メモリセルに３値以上の分極量を蓄積させる。 - 特許庁

The present inventors have succeeded in obtaining an anti VEGF-D antibody binding to VEGF-D in a system wherein a cell expressing VEGF-D is transplanted, and exhibiting lymphangiogenesis inhibiting activity and/or lymph-node metastasis inhibiting activity in vivo, and in humanizing the antibody while maintaining the activity thereof.例文帳に追加

本発明者らは、VEGF-Dを発現する細胞を移植した系において、VEGF-Dに結合し、in vivoでリンパ管形成阻害活性および/またはリンパ節転移抑制活性を有する抗VEGF-D抗体を取得し、当該抗体の活性を維持したまま抗体をヒト化することに成功した。 - 特許庁