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breakdown regionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 破壊領域
「breakdown region」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 353件
Then, the N-MOS region of the low-breakdown voltage transistor formation region and the P-MOS region of the high-breakdown voltage transistor formation region are respectively covered with resist masks 11, and the phosphorus ions are implanted rotatingly.例文帳に追加
次に、低耐圧のＮＭＯＳ領域と高耐圧のＰＭＯＳ領域をレジストマスク１１で覆い、リンを回転注入する。 - 特許庁
A breakdown voltage structure 20 provided between an active region 10 and an isolation region 30 is composed of a forward breakdown voltage structure region 40 and a reverse breakdown voltage structure region 50.例文帳に追加
活性領域１０と分離領域３０との間に設けられた耐圧構造部２０は、順方向耐圧構造領域４０と逆方向耐圧構造領域５０とからなる。 - 特許庁
The breakdown voltage of the element region is set lower than the breakdown voltage (a breakdown voltage line 29) of the peripheral voltage-resistant region by applying a negative voltage to the trench gate electrode, and the breakdown voltage of the element region is measured.例文帳に追加
トレンチゲート電極に負の電圧を印加することによって、素子領域の耐圧を周辺耐圧領域の耐圧（耐圧直線２９）よりも低くし、素子領域の耐圧を測定する。 - 特許庁
a breakdown or division of a region into different areas according to the dialects spoken in the respective areas発音を聞く 例文帳に追加
方言上の特色による地域の区画 - EDR日英対訳辞書
That is, a low-breakdown voltage element region and a high-breakdown voltage element region are mounted mixed on the semiconductor device 100.例文帳に追加
すなわち，半導体装置１００には，低耐圧素子領域と高耐圧素子領域とが混載されている。 - 特許庁
Then, a P-MOS region of a low-breakdown voltage transistor formation region and an N-MOS region of a high-breakdown voltage transistor formation region are covered with a resist mask 8 and boron ions are implanted rotatingly.例文帳に追加
次に、低耐圧トランジスタ形成領域のＰＭＯＳと高耐圧トランジスタ形成領域のＮＭＯＳ領域をレジストマスク８で覆い、ボロンを回転注入する。 - 特許庁
A metallurgical junction form and an impurity concentration profile of the resistive breakdown region 8 are determined so that an electrically neutralized region (8i) may remain in the resistive breakdown region 8 at application of a drain bias when junction breakdown occurs in the drain region 6 or the resistive breakdown region 8.例文帳に追加
ドレイン領域６または抵抗性降伏領域８に接合降伏が発生するドレインバイアスの印加時に抵抗性降伏領域８に電気的中性領域(８ｉ)が残るように、抵抗性降伏領域８の冶金学的接合形状と濃度プロファイルが決められている。 - 特許庁
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「breakdown region」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 353件
To obtain a thin high breakdown voltage flat transformer exhibiting excellent long term insulation performance in high breakdown voltage region.例文帳に追加
高耐電圧領域での長期の絶縁性能に優れた薄型の高耐電圧平面トランスを得る。 - 特許庁
Therefore, since breakdown occurs in an active region, causing an breakdown current to flow through the active region having a large area, current concentration does not occur, and a breakdown resistance of an element is increased.例文帳に追加
従って、ブレークダウンは活性領域で起こり、ブレークダウン電流は大面積の活性領域内を流れるので、電流集中が生じず、素子の破壊耐量が高くなっている。 - 特許庁
To obtain a high breakdown voltage semiconductor device that reduces an electric field relaxation region and increases the ratio of an active region even in a high breakdown voltage element.例文帳に追加
電界緩和領域を低減して、高耐圧素子においても活性領域の割合を高くした高耐圧半導体装置を得る。 - 特許庁
The insulating film 17 of semiconductor device 10 includes a first easy breakdown region 17a on the p-type semiconductor region 12 and a second easy breakdown region 17b on the n^+-type semiconductor region 13.例文帳に追加
半導体装置１０の絶縁膜１７は、Ｐ型半導体領域１２上に第１易破壊領域１７ａを備え、Ｎ^＋型半導体領域１３上に第２易破壊領域１７ｂとを備える。 - 特許庁
To enhance breakdown voltage by a constitution having a depletion type channel region.例文帳に追加
デプレッション型のチャンネル領域を有する構成で耐圧を向上させる。 - 特許庁
Therefore the electric breakdown can be prevented without forming an invalid region in the cell region 20.例文帳に追加
したがって、セル領域２０内で無効領域を設けることなく電気的破壊を防止することができる。 - 特許庁
For this condition, the phosphorus ions are implanted in the substrate in an N-MOS region of the low-breakdown voltage transistor formation region, but the phosphorus ions are stopped in the thick gate oxide film 5b in a P-MOS region of the high-breakdown voltage transistor formation region and do not reach the substrate 1.例文帳に追加
この条件では、リンイオンは、低耐圧のＮＭＯＳ領域では基板に注入されるが、高耐圧のＰＭＯＳ領域では、厚いゲート酸化膜５ｂ中に止まり、シリコン基板１に達しない。 - 特許庁
To alleviate an electric field applied between a contact and an element region to prevent dielectric breakdown.例文帳に追加
コンタクトと素子領域間にかかる電界を緩和し絶縁破壊を防ぐ。 - 特許庁
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